FQD11P06 / FQU11P06 P沟道QFET® MOSFET：特性与应用解析

在电子设计领域，功率MOSFET是至关重要的元件，广泛应用于各种电源和功率控制电路中。今天我们要探讨的FQD11P06 / FQU11P06 P沟道QFET® MOSFET，是Fairchild Semiconductor的一款优秀产品，它具备诸多出色特性，下面就为大家详细介绍。

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产品背景与更名说明

Fairchild Semiconductor已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改，原编号中的下划线（_）将改为破折号（-）。大家可通过ON Semiconductor网站（www.onsemi.com）核实更新后的设备编号。

产品概述

FQD11P06 / FQU11P06是P沟道增强型功率MOSFET，采用了Fairchild Semiconductor专有的平面条纹和DMOS技术。这种先进技术经过特别优化，能有效降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。该产品适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源等应用。

产品特性

电气性能

• 高电流与电压处理能力：能够承受 -9.4 A的连续电流（(T{C}=25^{circ}C)），耐压达 -60 V，在 (V{GS}=-10 V) 时，最大导通电阻 (R_{DS(on)}) 为185 mΩ。
• 低栅极电荷：典型值为13 nC，有助于减少开关损耗，提高开关速度。
• 低Crss：典型值为45 pF，可降低米勒效应，改善开关性能。
• 100%雪崩测试：确保了产品在雪崩状态下的可靠性。

热特性

• 低热阻：结到外壳的热阻 (R_{theta JC}) 最大为3.28 °C/W，有助于热量散发，提高产品的稳定性。

绝对最大额定值

符号	参数	FQD11P06 TM / FQU11P06TU	单位
(V_{DSS})	漏源电压	-60	V
(I_{D})	漏极电流（连续，(T_{C}=25^{circ}C)）	-9.4	A
(I_{D})	漏极电流（连续，(T_{C}=100^{circ}C)）	-5.95	A
(I_{DM})	漏极脉冲电流	-37.6	A
(V_{GSS})	栅源电压	± 30	V
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	160	mJ
(I_{AR})	雪崩电流	-9.4	A
(E_{AR})	重复雪崩能量	3.8	mJ
(dv/dt)	峰值二极管恢复dv/dt	-7.0	V/ns
(P_{D})	功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）	2.5	W
(P_{D})	功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	38	W
	25°C以上降额	0.3	W/°C
(T{J}, T{STG})	工作和存储温度范围	-55 至 +150	°C
(T_{L})	焊接时最大引脚温度（距外壳1/8 "，5秒）	300	°C

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 (B_{VDSS})：为 -60 V。
• 击穿电压温度系数 (Delta B{VDSS} / Delta T{J})：为 -0.07 V/°C。
• 零栅压漏极电流 (I_{DSS})：最大为 -100 nA。
• 栅体正向和反向泄漏电流 (I{GSSF}) 和 (I{GSSR})：最大为100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压 (V_{GS(th)})：在 (V{DS}=V{GS})，(I_{D}=-250 mu A) 时，范围为 -2.0 至 -4.0 V。
• 静态漏源导通电阻 (R_{DS(on)})：在 (V{GS}=-10 V)，(I{D}=-4.7 A) 时，典型值为0.15 Ω，最大值为0.185 Ω。
• 正向跨导 (g_{FS})：在 (V{DS}=-30 V)，(I{D}=-4.7 A) 时，典型值为4.9 S。

动态特性

• 输入电容 (C_{iss})：典型值为420 pF，最大值为550 pF。
• 输出电容 (C_{oss})：典型值为195 pF，最大值为250 pF。
• 反向传输电容 (C_{rss})：典型值为45 pF，最大值为60 pF。

开关特性

• 导通延迟时间 (t_{d(on)})：最大为6.5 ns。
• 导通上升时间 (t_{r})：范围为40 至 90 ns。
• 关断延迟时间 (t_{d(off)})：范围为15 至 40 ns。
• 关断下降时间 (t_{f})：范围为45 至 100 ns。
• 总栅极电荷 (Q_{g})：在 (V{DS}=-48 V)，(I{D}=-11.4 A)，(V_{GS}=-10 V) 时，典型值为13 nC，最大值为17 nC。
• 栅源电荷 (Q_{gs})：典型值为2.0 nC。
• 栅漏电荷 (Q_{gd})：典型值为6.3 nC。

漏源二极管特性

• 最大连续漏源二极管正向电流 (I_{S})：为 -9.4 A。
• 最大脉冲漏源二极管正向电流 (I_{SM})：为 -37.6 A。
• 漏源二极管正向电压 (V_{SD})：在 (V{GS}=0 V)，(I{S}=-9.4 A) 时为 -4.0 V。
• 反向恢复时间 (t_{rr})：典型值为83 ns。
• 反向恢复电荷 (Q_{rr})：典型值为0.26 μC。

典型特性曲线

文档中还提供了一系列典型特性曲线，包括导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、体二极管正向电压与源极电流和温度的关系、转移特性、电容特性、栅极电荷特性等。这些曲线有助于工程师更好地理解产品在不同工作条件下的性能。

封装与订购信息

零件编号	顶部标记	封装	包装方式	卷轴尺寸	胶带宽度	数量
FQD11P06TM	FQD11P06	D - PAK	卷带包装	330 mm	16 mm	2500 个
FQU11P06TU	FQU11P06	I - PAK	管装	N/A	N/A	70 个

注意事项

系统集成

由于Fairchild Semiconductor与ON Semiconductor的整合，部分零件编号可能会发生变化，使用时需注意核实。

应用限制

该产品不适合用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备，以及用于人体植入的设备。若用于非预期或未经授权的应用，买方需承担相关责任。

性能验证

“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能也可能随时间变化，因此所有工作参数都需要由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。

在实际设计中，大家可以根据上述特性和参数，结合具体应用场景，合理选择和使用FQD11P06 / FQU11P06 P沟道QFET® MOSFET。你在使用这类MOSFET时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享交流。