安森美 NTB25P06 和 NVB25P06 P 沟道 MOSFET 深度解析

在电子设计领域，MOSFET 是至关重要的元件，广泛应用于各种电路中。安森美（onsemi）的 NTB25P06 和 NVB25P06 P 沟道 MOSFET，专为低电压、高速开关应用而设计，能够在雪崩和换向模式下承受高能量。下面就带大家深入了解这两款 MOSFET。

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产品特性与应用

特性

• AEC Q101 认证：NVB25P06 通过了 AEC Q101 认证，这意味着它符合汽车级标准，具有高可靠性和稳定性，适用于对安全性和可靠性要求较高的汽车电子应用。
• 环保特性：这些器件无铅且符合 RoHS 标准，符合环保要求，有助于电子设备制造商满足相关环保法规。

典型应用

• PWM 电机控制：可用于精确控制电机的转速和扭矩，提高电机的效率和性能。
• 电源供应：在电源电路中，能够实现高效的电压转换和功率管理。
• 转换器：可用于各种类型的转换器，如 DC - DC 转换器，提高转换效率。
• 桥电路：在桥电路中发挥重要作用，实现电能的转换和控制。

产品参数解读

最大额定值

额定参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	-60	V
栅源电压（连续/非重复，(t ≤ 10 ms)）	(V{GS})、(V{GSM})	±15、±20	V、(V_{pk})
漏极电流（连续@ (T_A = 25°C) / 单脉冲，(t_p ≤ 10 μs)）	(ID)、(I{DM})	27.5、80	A、(A_{pk})
总功率耗散@ (T_A = 25°C)	(P_D)	120	W
工作和存储温度范围	(TJ)、(T{stg})	-55 至 +175	°C
单脉冲漏源雪崩能量（起始 (T = 25°C)，(V{DD} = 25 V)，(V{GS}= 10V)，(I_{L(pk)} = 20 A)，(L = 3 mH)，(R_G = 25 Ω)）	(E_{AS})	600	mJ
热阻（结到壳/结到环境（注 1）/结到环境（注 2））	(R{θJC})、(R{θJA})、(R_{θJA})	1.25、46.8、63.2	°C/W
焊接用最大引脚温度（距外壳 1/8"，10 s）	(T_L)	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：(V_{(BR)DSS}) 典型值为 -64 V，具有正温度系数。这意味着随着温度升高，击穿电压会有所增加。
• 零栅压漏极电流：在不同温度下，该电流值有所不同，(T = 25°C) 时为 -10 μA，(T = 150°C) 时为 -100 μA。
• 栅体泄漏电流：最大为 +100 nA。

导通特性

• 栅阈值电压：(V_{GS(th)}) 典型值为 -2.8 V，具有负阈值温度系数，即温度升高时，阈值电压会降低。
• 静态漏源导通电阻：在不同的栅源电压和漏极电流下，电阻值有所变化。例如，(V_{GS} = -10V)，(I_D = -12.5 A) 时，典型值为 0.065 Ω。
• 正向跨导：(g_{FS}) 典型值为 13 mhos。

动态特性

• 输入电容：(C_{iss}) 典型值为 1200 pF。
• 输出电容：(C_{oss}) 典型值为 345 pF。
• 反向传输电容：(C_{rss}) 典型值为 90 pF。

开关特性

• 导通延迟时间：(t_{d(on)}) 典型值为 14 ns。
• 上升时间：(t_r) 典型值为 72 ns。
• 关断延迟时间：(t_{d(off)}) 典型值为 43 ns。
• 下降时间：(t_f) 典型值为 190 ns。
• 栅极电荷：(Q_T) 典型值为 33 nC。

体漏二极管额定值

• 二极管正向导通电压：在不同温度下有所不同，(T = 25°C) 时为 -1.8 V，(T = 150°C) 时为 -1.4 V。
• 反向恢复时间：(t_{rr}) 典型值为 70 ns。
• 反向恢复存储电荷：(Q_{RR}) 典型值为 0.2 μC。

封装与订购信息

封装

采用 D2PAK 封装，这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性。

订购信息

器件型号	封装	包装
NTB25P06T4G	D2PAK（无铅）	800/ 卷带包装
NVB25P06T4G	D2PAK（无铅）	800/ 卷带包装

实际应用中的考虑因素

在实际应用中，工程师需要根据具体的电路需求和工作条件，合理选择这两款 MOSFET。例如，在设计电源电路时，要考虑漏源电压、漏极电流和功率耗散等参数，确保 MOSFET 能够在安全的工作范围内运行。同时，还要注意散热设计，以保证器件的温度在合理范围内，提高其可靠性和稳定性。

安森美 NTB25P06 和 NVB25P06 P 沟道 MOSFET 具有优异的性能和广泛的应用前景。电子工程师在设计电路时，可以充分利用它们的特性，实现高效、可靠的电路设计。大家在实际应用中有没有遇到过相关的问题呢？欢迎在评论区分享交流。