安森美NVMFD6H840NL双N沟道MOSFET的特性与应用分析

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率开关器件，其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天我们就来深入探讨安森美（onsemi）推出的NVMFD6H840NL双N沟道MOSFET，看看它有哪些独特之处。

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产品概述

NVMFD6H840NL是一款80V、6.9mΩ、74A的双N沟道MOSFET，专为紧凑型设计而打造，采用了5x6mm的小尺寸封装，能有效节省电路板空间。该器件具有低导通电阻（(R{DS(on)})）和低栅极电荷（(Q{G})）及电容，可分别降低传导损耗和驱动损耗。此外，还有NVMFD6H840NLWF版本提供可焊侧翼选项，便于进行光学检测。它通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力，并且符合无铅和RoHS标准。

主要参数与特性

最大额定值

在(T_{J}=25^{circ}C)的条件下，该MOSFET的各项最大额定值如下：

• 电压参数：漏源电压(V{DSS})为80V，栅源电压(V{GS})为±20V。
• 电流参数：连续漏极电流在不同温度下有所不同，(T{C}=25^{circ}C)时为74A，(T{C}=100^{circ}C)时为52A；脉冲漏极电流(I{DM})在(T{A}=25^{circ}C)、(t{p}=10mu s)时为336A；源极电流（体二极管）(I{S})为75A。
• 功率参数：功率耗散在不同散热条件下也有差异，(T{C}=25^{circ}C)时为90W，(T{C}=100^{circ}C)时为45W；(T{A}=25^{circ}C)时为3.1W，(T{A}=100^{circ}C)时为1.5W。
• 温度范围：工作结温和存储温度范围为(-55^{circ}C)至(+175^{circ}C)。

电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压(V{(BR)DSS})为80V，其温度系数为45.9mV/°C；零栅压漏极电流(I{DSS})在(T{J}=25^{circ}C)时为10μA，(T{J}=125^{circ}C)时为250μA；栅源泄漏电流(I{GSS})在(V{DS}=0V)、(V_{GS}=20V)时为100nA。
• 导通特性：栅极阈值电压(V{GS(TH)})在(V{GS}=V{DS})、(I{D}=96A)时为1.2 - 2.0V，阈值温度系数为 - 4.9mV/°C；漏源导通电阻(R{DS(on)})在(V{GS}=10V)、(I{D}=20A)时为5.7 - 6.9mΩ，在(V{GS}=4.5V)、(I{D}=20A)时为7.0 - 8.8mΩ；正向跨导(g{FS})在(V{DS}=5V)、(I{D}=20A)时为99S。
• 电荷、电容与栅极电阻：输入电容(C{Iss})在(V{Gs}=0V)、(f = 1MHz)、(V{ps}=40V)时为2002pF，输出电容(C{oss})为249pF，反向传输电容(C{RSS})为11pF；总栅极电荷(Q{G(TOT)})在(V{Gs}=10V)、(V{ps}=40V)、(I{p}=20A)时为32nC，在(V{s}=4.5V)、(V{ps}=40V)、(I{D}=20A)时为15nC；阈值栅极电荷(Q{G(TH)})为3.0nC，栅源电荷(Q{GS})为5.1nC，栅漏电荷(Q{GD})为5.3nC，平台电压(V{GP})为2.8V。
• 开关特性：在(V{GS}=4.5V)、(V{DS}=64V)、(I{D}=20A)、(R{G}=2.5Ω)的条件下，开启延迟时间(t{d(ON)})为15ns，上升时间(t{r})为34ns，关断延迟时间(t{d(OFF)})为52ns，下降时间(t{f})为22ns。
• 漏源二极管特性：正向二极管电压(V{SD})在(T{J}=25^{circ}C)、(V{GS}=0V)、(I{S}=20A)时为0.8 - 1.2V，在(T{J}=125^{circ}C)时为0.7V；反向恢复时间(t{RR})为45ns，充电时间(t{a})为24ns，放电时间(t{b})为22ns，反向恢复电荷(Q_{RR})为50nC。

典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源与总电荷关系、电阻性开关时间与栅极电阻关系、二极管正向电压与电流关系、安全工作区、最大额定正向偏置雪崩、最大漏极电流与时间关系以及热响应等曲线。这些曲线能帮助工程师更直观地了解该MOSFET在不同工作条件下的性能表现，从而更好地进行电路设计和优化。

封装与订购信息

该MOSFET采用DFN8 5x6（SO8FL）封装，有两种型号可供选择：

• NVMFD6H840NLT1G，标记为6H840L，采用无铅封装，每盘1500个。
• NVMFD6H840NLWFT1G，标记为840LWF，为无铅且带可焊侧翼封装，同样每盘1500个。

总结与思考

NVMFD6H840NL双N沟道MOSFET凭借其小尺寸、低损耗等特性，在功率电子设计中具有很大的优势。对于电子工程师来说，在选择MOSFET时，需要综合考虑其各项参数和特性，以满足具体应用的需求。比如，在设计高功率密度的电路时，低导通电阻和低栅极电荷能有效提高电路效率；而在对空间要求较高的应用中，小尺寸封装则能节省宝贵的电路板空间。那么，在你的实际设计中，更看重MOSFET的哪些特性呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。