安森美NVMFD6H852NL双N沟道MOSFET：高效设计新选择

在电子设计领域，MOSFET作为重要的功率开关器件，其性能直接影响到整个系统的效率和稳定性。安森美（onsemi）推出的NVMFD6H852NL双N沟道MOSFET，凭借其出色的特性和性能，为工程师们提供了一个优秀的选择。

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产品概述

NVMFD6H852NL是一款双N沟道MOSFET，适用于多种功率应用场景。它具有80V的漏源击穿电压（V(BR)DSS），最大漏极电流（ID MAX）可达25A，在10V栅源电压下，漏源导通电阻（RDS(ON)）最大为25.5mΩ，在4.5V栅源电压下为31.5mΩ。这种低导通电阻的特性有助于减少传导损耗，提高系统效率。

产品特性亮点

紧凑设计

该MOSFET采用5x6mm的小尺寸封装，为紧凑型设计提供了可能。在如今对电子产品小型化需求日益增长的背景下，这种小尺寸封装能够节省电路板空间，使设计更加紧凑。对于那些对空间要求较高的应用，如便携式设备、小型电源模块等，NVMFD6H852NL无疑是一个理想的选择。

低损耗特性

• 低导通电阻：低RDS(ON)能够有效降低传导损耗。在功率转换过程中，导通电阻越小，电流通过时产生的热量就越少，从而提高了能源利用效率，减少了系统的发热问题。这对于提高整个系统的稳定性和可靠性至关重要。
• 低栅极电荷和电容：低QG和电容可以减少驱动损耗。在开关过程中，栅极电荷的充放电需要消耗能量，低QG意味着驱动电路所需的能量更少，从而降低了驱动损耗。同时，低电容也有助于提高开关速度，减少开关损耗。

可焊性与可靠性

NVMFD6H852NLWF型号提供可焊侧翼选项，增强了光学检测能力，有助于提高焊接质量和生产效率。此外，该产品通过了AEC - Q101认证，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力，能够满足汽车等对可靠性要求较高的应用场景。

电气特性分析

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	VDSS	80	V
栅源电压	VGS	±20	V
连续漏极电流（TC = 25°C）	ID	25	A
连续漏极电流（TC = 100°C）	ID	18	A
功率耗散（TC = 25°C）	PD	38	W
功率耗散（TC = 100°C）	PD	19	W
脉冲漏极电流（TA = 25°C，tp = 10s）	IDM	98	A
工作结温和存储温度范围	TJ, Tstg	-55 to +175	°C
源极电流（体二极管）	IS	32	A
单脉冲漏源雪崩能量（TJ = 25°C，IL(pk) = 1.3A）	EAS	86	mJ

从这些最大额定值可以看出，NVMFD6H852NL能够在较宽的温度范围内正常工作，并且具有较高的电流和功率承受能力，适用于各种不同的应用场景。

电气特性参数

• 关断特性：漏源击穿电压V(BR)DSS为80V，其温度系数为47.5mV/°C。零栅压漏极电流IDSS在TJ = 25°C时为10nA，在TJ = 125°C时为250nA。
• 导通特性：栅极阈值电压VGS(TH)在特定测试条件下有相应的值，阈值温度系数为 - 5.0mV/°C。在VGS = 10V时，漏源导通电阻RDS(ON)有一定的范围，VGS = 4.5V时，RDS(ON)最大为31.5mΩ。
• 电荷、电容和栅极电阻：输入电容CIss为521pF，输出电容Coss为69pF，反向传输电容CRSS为4pF。总栅极电荷QG(TOT)在不同栅源电压下有不同的值，如VGS = 10V时为10nC，VGS = 4.5V时为5nC。
• 开关特性：在特定测试条件下，开启延迟时间td(ON)、上升时间tr、关断延迟时间td(OFF)和下降时间tf都有相应的数值，这些参数反映了MOSFET的开关速度。
• 漏源二极管特性：正向二极管电压VSD在不同温度下有不同的值，反向恢复时间tRR、电荷时间ta、放电时间to和反向恢复电荷QRR等参数也都有明确的数值。

这些电气特性参数为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据，工程师可以根据具体的应用需求来选择合适的工作条件和参数。

典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压的关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、导通电阻随温度的变化、漏源泄漏电流与电压的关系、电容变化、栅源与总电荷的关系、电阻性开关时间随栅极电阻的变化、二极管正向电压与电流的关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间的关系以及热响应等。这些曲线直观地展示了NVMFD6H852NL在不同工作条件下的性能表现，工程师可以通过分析这些曲线来优化电路设计，确保MOSFET在最佳状态下工作。

订购信息

NVMFD6H852NL有不同的型号可供选择，如NVMFD6H852NLT1G和NVMFD6H852NLWFT1G，它们都采用DFN8封装，并且是无铅的。产品以1500个/卷带盘的形式包装。对于卷带盘的规格，包括零件方向和带盘尺寸等信息，可以参考安森美的卷带盘包装规格手册BRD8011/D。

总结

安森美NVMFD6H852NL双N沟道MOSFET以其紧凑的设计、低损耗特性、良好的可焊性和可靠性，以及丰富的电气特性和典型特性曲线，为电子工程师在功率设计领域提供了一个强大的工具。在实际应用中，工程师可以根据具体的需求，结合这些特性和参数，进行合理的电路设计，以实现高效、稳定的功率转换。你在使用这款MOSFET的过程中，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的设计思路呢？欢迎在评论区分享交流。