深入解析 onsemi NVMFS5C628NL 功率 MOSFET

在电子工程师的日常设计工作中，功率 MOSFET 是不可或缺的关键元件。今天，我们就来详细解析 onsemi 推出的 NVMFS5C628NL 单通道 N 沟道功率 MOSFET，探讨它的特性、参数以及应用场景。

文件下载：NVMFS5C628NL-D.PDF

一、产品概述

NVMFS5C628NL 是 onsemi 旗下一款高性能的功率 MOSFET，具备 60V 的耐压能力和 150A 的连续漏极电流，采用 DFN5/DFNW5 封装，凭借其出色的性能和紧凑的设计，在众多电子设备中得到广泛应用。

（一）主要参数

参数	数值
V(BR)DSS（漏源击穿电压）	60V
RDS(ON) MAX（最大漏源导通电阻）	2.4 mΩ @ 10 V；3.3 mΩ @ 4.5 V
ID MAX（最大漏极电流）	150A

（二）产品特性

1. 紧凑设计：采用 5x6 mm 的小尺寸封装，为紧凑型设计提供了可能，适用于对空间要求较高的应用场景。
2. 低导通损耗：低 (R_{DS(on)}) 特性能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
3. 低驱动损耗：低 (Q_{G}) 和电容特性有助于减少驱动损耗，提升整体性能。
4. 可焊侧翼选项：NVMFS5C628NLWF 具备可焊侧翼选项，增强了光学检测能力，便于生产制造。
5. 汽车级认证：通过 AEC - Q101 认证，并且支持 PPAP，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
6. 环保合规：该器件无铅且符合 RoHS 标准，符合环保要求。

二、电气特性

（一）关断特性

• V(BR)DSS（漏源击穿电压）：在 VGS = 0 V，ID = 250 μA 的条件下，最小值为 60V。
• IDSS（零栅压漏极电流）：在 VGS = 0 V，VDS = 60 V 的条件下，25°C 时为 10 μA，125°C 时为 250 μA。
• IGSS（栅源泄漏电流）：在 VDS = 0 V，VGS = 20 V 的条件下，最大值为 100 nA。

（二）导通特性

• VGS(TH)（栅极阈值电压）：在 VGS = VDS，ID = 135A 的条件下，范围为 1.2 - 2.0 V。
• RDS(on)（漏源导通电阻）：VGS = 10V，ID = 50A 时，典型值为 2.0 mΩ，最大值为 2.4 mΩ；VGS = 4.5 V，ID = 50A 时，典型值为 2.6 mΩ，最大值为 3.3 mΩ。
• gFS（正向跨导）：在 VDS = 15 V，ID = 50A 的条件下，典型值为 110 S。

（三）电荷与电容特性

• CISS（输入电容）：在 VGS = 0 V，f = 1 MHz，VDS = 25 V 的条件下，典型值为 3600 pF。
• C OSS（输出电容）：典型值为 1700 pF。
• C RSS（反向传输电容）：典型值为 28 pF。
• Q G(TOT)（总栅极电荷）：VGS = 4.5 V，VDS = 48 V，ID = 50 A 时，为 24 nC；VGS = 10 V，VDS = 48 V，ID = 50 A 时，为 52 nC。

（四）开关特性

在 (V{GS}=10 ~V)，(V{DS}=48 ~V)，(I{D}=50 ~A)，(R{G}=2.5 Omega) 的条件下：

• td(ON)（开启延迟时间）：典型值为 10 ns。
• tr（上升时间）：典型值为 55 ns。
• td(OFF)（关断延迟时间）：典型值为 37 ns。
• tf（下降时间）：典型值为 8.5 ns。

（五）漏源二极管特性

• VSD（正向二极管电压）：VGS = 0V，IS = 50A，25°C 时，范围为 0.8 - 1.2 V；125°C 时，为 0.75 V。
• RR（反向恢复时间）：在 (V_{GS}=0 ~V)，(dI_s / dt = 100 ~A / mu s)，IS = 50 A 的条件下，典型值为 55 ns。
• QRR（反向恢复电荷）：典型值为 60 nC。

三、热阻特性

参数	数值	单位
RJC（结到壳热阻 - 稳态）	1.3	°C/W
RJA（结到环境热阻 - 稳态）	40	°C/W

需要注意的是，整个应用环境会影响热阻值，它们并非常数，仅在特定条件下有效。

四、典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，直观地展示了该 MOSFET 在不同条件下的性能表现，例如：

1. 导通区域特性曲线：展示了不同栅源电压下，漏极电流与漏源电压的关系。
2. 传输特性曲线：体现了不同结温下，漏极电流与栅源电压的关系。
3. 导通电阻与栅源电压关系曲线：清晰地显示了导通电阻随栅源电压的变化情况。

这些曲线对于工程师在实际设计中评估 MOSFET 的性能和选择合适的工作点具有重要的参考价值。

五、产品订购信息

器件型号	标记	封装	包装数量
NVMFS5C628NLT1G	5C628L	DFN5 (Pb - Free)	1500 / 卷带封装
NVMFS5C628NLAFT1G	5C628L	DFN5 (Pb - Free)	1500 / 卷带封装
NVMFS5C628NLAFT1G - YE	5C628L	DFN5 (Pb - Free)	1500 / 卷带封装
NVMFS5C628NLET1G - YE	5C628L	DFN5 (Pb - Free)	1500 / 卷带封装
NVMFS5C628NLET1G	5C628L	DFN5 (Pb - Free)	1500 / 卷带封装
NVMFS5C628NLWFAFT1G	628LWF	DFNW5 (Pb - Free, Wettable Flanks)	1500 / 卷带封装

同时，文档中也列出了部分已停产的器件型号，工程师在选择时需要注意。

六、机械尺寸

文档详细给出了 DFN5 和 DFNW5 两种封装的机械尺寸图和具体尺寸参数，包括长度、宽度、高度等，为 PCB 设计提供了精确的参考。

七、总结与思考

onsemi 的 NVMFS5C628NL 功率 MOSFET 凭借其出色的性能、紧凑的设计和丰富的特性，在众多电子应用领域具有广阔的应用前景。在实际设计中，工程师需要根据具体的应用需求，综合考虑其电气特性、热阻特性等参数，合理选择工作点，以确保系统的性能和可靠性。

大家在使用这款 MOSFET 时，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。