深入解析 onsemi NVMYS008N08LH 单通道 N 沟道功率 MOSFET

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率器件，广泛应用于各种电路中。今天，我们来详细探讨 onsemi 推出的 NVMYS008N08LH 单通道 N 沟道功率 MOSFET，看看它有哪些独特的特性和优势。

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产品概述

NVMYS008N08LH 是 onsemi 旗下一款高性能的功率 MOSFET，具备 80V 的耐压能力，极低的导通电阻 (R_{DS(on)}) 仅为 8.8 mΩ，最大连续漏极电流可达 59A。它采用了紧凑的 5x6 mm LFPAK4 封装，非常适合对空间要求较高的设计。

特性亮点

1. 紧凑设计

该 MOSFET 采用 5x6 mm 的小尺寸封装，能有效节省 PCB 空间，对于一些追求小型化的电子设备设计来说，无疑是一个理想的选择。比如在便携式电子设备、小型电源模块等应用中，紧凑的设计可以让产品更加轻薄。

2. 低损耗特性

• 低 (R_{DS(on)})：低导通电阻能够显著降低导通损耗，提高功率转换效率。在高电流应用中，这一特性可以减少发热，延长器件的使用寿命。
• 低 (Q_{G}) 和电容：低栅极电荷 (Q_{G}) 和电容能够降低驱动损耗，提高开关速度，使电路的响应更加迅速。

3. 行业标准封装

LFPAK4 封装是行业标准封装，具有良好的兼容性和可互换性，方便工程师进行设计和替换。

4. 汽车级认证

该器件通过了 AEC - Q101 认证，并且具备 PPAP 能力，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

5. 环保特性

NVMYS008N08LH 是无铅产品，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

电气特性

1. 最大额定值

参数	符号	数值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	80	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
稳态连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	(I_{D})	59	A
稳态连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	(I_{D})	42	A
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	(P_{D})	73	W
功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)）	(P_{D})	37	W
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10mu s)）	(I_{DM})	319	A
工作结温和存储温度范围	(T{J})，(T{stg})	- 55 至 +175	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	61	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 3.4A)）	(E_{AS})	267	mJ
焊接用引脚温度（距外壳 1/8″，10s）	(T_{L})	260	°C

2. 电气特性参数

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
关断特性
漏源击穿电压	(V_{(BR)DSS})	(V{GS}=0V)，(I{D}=250mu A)	80	-	-	V
漏源击穿电压温度系数	(frac{Delta V{(BR)DSS}}{Delta T{J}})	-	-	45.7	-	mV/°C
零栅压漏极电流	(I_{DSS})	(V{GS}=0V)，(V{DS}=80V)，(T_{J}=25^{circ}C)	-	-	10	(mu A)
		(V{GS}=0V)，(V{DS}=80V)，(T_{J}=125^{circ}C)	-	-	100	nA
栅源泄漏电流	(I_{GSS})	(V{DS}=0V)，(V{GS}=±20V)	-	-	±100	nA
导通特性
栅极阈值电压	(V_{GS(TH)})	(V{GS}=V{DS})，(I_{D}=70mu A)	1.2	2.0	-	V
阈值温度系数	(frac{Delta V{GS(TH)}}{Delta T{J}})	-	-	-5.2	mV/°C
漏源导通电阻	(R_{DS(on)})	(V{GS}=10V)，(I{D}=10A)	7.2	8.8	-	mΩ
		(V{GS}=4.5V)，(I{D}=10A)	8.8	11	-	mΩ
正向跨导	(g_{FS})	(V{DS}=8V)，(I{D}=10A)	-	84	-	S
电荷、电容和栅极电阻
输入电容	(C_{ISS})	(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V)	-	1420	-	pF
输出电容	(C_{OSS})	(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V)	-	192	-	pF
反向传输电容	(C_{RSS})	(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V)	-	11	-	pF
总栅极电荷	(Q_{G(TOT)})	(V{GS}=10V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A)	-	25	-	nC
		(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A)	-	12	-	nC
阈值栅极电荷	(Q_{G(TH)})	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A)	-	2.4	-	nC
栅源电荷	(Q_{GS})	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A)	-	4.6	-	nC
栅漏电荷	(Q_{GD})	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A)	-	4.3	-	nC
平台电压	(V_{GP})	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A)	-	3.1	-	V
开关特性
导通延迟时间	(t_{d(ON)})	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=30A)，(R{G}=2.5Omega)	-	37	-	ns
上升时间	(t_{r})	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=30A)，(R{G}=2.5Omega)	-	87	-	ns
关断延迟时间	(t_{d(OFF)})	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=30A)，(R{G}=2.5Omega)	-	22	-	ns
下降时间	(t_{f})	(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=30A)，(R{G}=2.5Omega)	-	8	-	ns
漏源二极管特性
正向二极管电压	(V_{SD})	(V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=25^{circ}C)	0.81	-	1.2	V
		(V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=125^{circ}C)	-	-	0.65	V
反向恢复时间	(t_{RR})	(V{GS}=0V)，(frac{dI{S}}{dt}=100A/mu s)，(I_{S}=30A)	-	39	-	ns
充电时间	(t_{a})	(V{GS}=0V)，(frac{dI{S}}{dt}=100A/mu s)，(I_{S}=30A)	-	23	-	ns
放电时间	(t_{b})	(V{GS}=0V)，(frac{dI{S}}{dt}=100A/mu s)，(I_{S}=30A)	-	16	-	ns
反向恢复电荷	(Q_{RR})	(V{GS}=0V)，(frac{dI{S}}{dt}=100A/mu s)，(I_{S}=30A)	-	36	-	nC

典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、雪崩时峰值电流与时间关系以及热响应等曲线。这些曲线可以帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现。

应用注意事项

1. 热阻问题

整个应用环境会影响热阻数值，热阻不是常数，仅在特定条件下有效。例如，表面贴装在使用 (650mm^{2})、2 oz. 铜焊盘的 FR4 板上时，热阻会有所不同。在设计时，需要根据实际应用环境来评估热阻，确保器件在安全的温度范围内工作。

2. 脉冲电流

最大脉冲电流与脉冲持续时间和占空比有关，在使用脉冲电流时，需要根据具体的脉冲参数来确定最大电流值。

3. 适用范围

该产品不适合用于生命支持系统、FDA 3 类医疗设备或在国外司法管辖区具有相同或类似分类的医疗设备，以及用于人体植入的设备。如果购买或使用该产品用于此类非预期或未经授权的应用，买方需要承担相应的责任。

总结

NVMYS008N08LH 单通道 N 沟道功率 MOSFET 凭借其紧凑的设计、低损耗特性、行业标准封装以及汽车级认证等优势，在众多电子应用中具有很大的吸引力。工程师在设计过程中，需要充分考虑其电气特性和应用注意事项，以确保电路的性能和可靠性。大家在实际应用中有遇到过类似 MOSFET 的问题吗？欢迎在评论区分享你的经验和见解。