安森美NVTFS024N06C MOSFET：高效与紧凑的完美结合

在电子工程师的日常设计中，MOSFET是一种常见且至关重要的功率器件。今天，我们来深入了解一下安森美（onsemi）推出的NVTFS024N06C单通道N沟道MOSFET，它在紧凑设计和高性能方面表现出色。

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产品特点

紧凑设计

NVTFS024N06C采用了3.3 x 3.3 mm的小封装尺寸，这对于追求紧凑设计的应用来说是一个巨大的优势。无论是在空间有限的便携式设备，还是对体积有严格要求的工业应用中，这种小尺寸的MOSFET都能轻松适配，为设计带来更多的灵活性。

低损耗特性

• 低导通电阻（$R_{DS(on)}$）：该MOSFET具有低$R_{DS(on)}$，能够有效降低导通损耗。在功率转换应用中，低导通电阻意味着更少的能量损失，从而提高了系统的效率。例如，在电池供电的设备中，低导通电阻可以延长电池的使用寿命。
• 低栅极电荷（$Q_{G}$）和电容：低$Q_{G}$和电容能够减少驱动损耗，降低驱动电路的功耗。这使得MOSFET在高速开关应用中能够更快地响应，减少开关时间，提高系统的整体性能。

可焊侧翼选项

NVTFWS024N06C提供了可焊侧翼选项，这对于光学检测非常有利。可焊侧翼能够提高焊接的可靠性，同时也便于在生产过程中进行自动化检测，确保产品的质量和一致性。

汽车级认证

该器件通过了AEC - Q101认证，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这意味着它可以满足汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景，为工程师在汽车电子设计中提供了可靠的选择。

环保特性

NVTFS024N06C是无铅、无卤素/BFR的，并且符合RoHS标准。这不仅符合环保要求，也满足了全球各地对电子产品环保标准的严格要求。

典型应用

NVTFS024N06C适用于多种应用场景，包括：

• 电动工具和电池驱动的吸尘器：在这些设备中，MOSFET需要具备高效的功率转换能力，以延长电池的使用时间。低导通电阻和低驱动损耗使得NVTFS024N06C能够满足这些要求。
• 无人机和物料搬运设备：无人机和物料搬运设备对功率密度和可靠性有较高的要求。NVTFS024N06C的小尺寸和高性能特性使其成为这些应用的理想选择。
• 电池管理系统（BMS）和家庭自动化：在BMS中，MOSFET用于电池的充放电控制，需要具备精确的控制能力和高可靠性。家庭自动化系统则需要紧凑的设计和低功耗的器件，NVTFS024N06C都能满足这些需求。

电气特性

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	$V_{DSS}$	60	V
栅源电压	$V_{GS}$	±20	V
连续漏极电流（$T_{C}=25^{circ}C$）	$I_{D}$	24	A
连续漏极电流（$T_{C}=100^{circ}C$）	$I_{D}$	17	A
功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$）	$P_{D}$	28	W
功率耗散（$T_{C}=100^{circ}C$）	$P_{D}$	14	W
脉冲漏极电流（$T{A}=25^{circ}C$，$t{p}=10mu s$）	$I_{DM}$	112	A
工作结温和存储温度范围	$T{J}$，$T{stg}$	-55 to +175	$^{circ}C$
源极电流（体二极管）	$I_{S}$	23	A
单脉冲漏源雪崩能量（$I_{L(pk)} = 5.3 A$）	$E_{AS}$	14	mJ
引脚温度（焊接回流）	$T_{L}$	260	$^{circ}C$

电气特性（$T_{J}=25^{circ}C$）

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	$V_{(BR)DSS}$	$V_{GS} = 0V$，$I = 250mu A$	60	-	-	V
漏源击穿电压温度系数	$V{(BR)DSS}/T{J}$	$I_{D} = 250mu A$，参考25°C	27	-	-	mV/°C
零栅压漏极电流（$T = 125^{circ}C$）	$I_{DSS}$	$V{GS} = 0V$，$V{DS} = 60V$	-	-	250	$mu A$
零栅压漏极电流（$T = 25^{circ}C$）	$I_{DSS}$	$V{GS} = 0V$，$V{DS} = 60V$	-	-	10	$mu A$
栅源泄漏电流	$I_{GSS}$	$V{DS} = 0V$，$V{GS} = 20V$	-	-	100	nA
栅极阈值电压	$V_{GS(TH)}$	$V{GS} = V{DS}$，$I_{D} = 20mu A$	2.0	-	4.0	V
负阈值温度系数	$V{GS(TH)}/T{J}$	$I_{D} = 20mu A$，参考25°C	-7.8	-	-	mV/°C
漏源导通电阻	$R_{DS(on)}$	$V{GS} = 10V$，$I{D} = 3A$	18.8	-	22.6	mΩ
正向跨导	$g_{fs}$	$V{DS} = 5V$，$I{D} = 3A$	10	-	-	S
栅极电阻	$R_{G}$	$T_{A} = 25^{circ}C$	0.8	-	-	Ω
输入电容	$C_{iss}$	-	-	333	-	pF
输出电容	$C_{oss}$	$V{GS} = 0V$，$f = 1 MHz$，$V{DS} = 30V$	-	225	-	pF
反向传输电容	$C_{rss}$	-	-	5.05	-	pF
总栅极电荷	$Q_{G(TOT)}$	-	-	5.7	-	nC
阈值栅极电荷	$Q_{G(TH)}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I_{D} = 3A$	1.3	-	2.0	nC
栅源电荷	$Q_{GS}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I_{D} = 3A$	-	-	-	nC
栅漏电荷	$Q_{GD}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I_{D} = 3A$	0.68	-	-	nC
导通延迟时间	$t_{d(on)}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I{D} = 3A$，$R{G} = 6Omega$	6.6	-	-	ns
上升时间	$t_{r}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I{D} = 3A$，$R{G} = 6Omega$	1.3	-	-	ns
关断延迟时间	$t_{d(off)}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I{D} = 3A$，$R{G} = 6Omega$	10	-	-	ns
下降时间	$t_{f}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I{D} = 3A$，$R{G} = 6Omega$	3.0	-	-	ns
正向二极管电压（$T = 125^{circ}C$）	$V_{SD}$	$V{GS} = 0V$，$I{S} = 3A$	0.66	-	1.2	V
正向二极管电压（$T = 25^{circ}C$）	$V_{SD}$	$V{GS} = 0V$，$I{S} = 3A$	0.8	-	-	V
反向恢复时间	$t_{RR}$	-	-	23	-	ns
放电时间	$t_{a}$	$V{GS} = 0V$，$dI{S}/dt = 100A/mu s$，$V{DS} = 30V$，$I{S} = 2A$	11	-	-	ns
充电时间	$t_{b}$	$V{GS} = 0V$，$dI{S}/dt = 100A/mu s$，$V{DS} = 30V$，$I{S} = 2A$	12	-	-	ns
反向恢复电荷	$Q_{RR}$	-	-	11	-	nC

封装和订购信息

NVTFS024N06C有两种封装选项：

• NVTFS024N06CTAG：24NC（无铅）8FL封装，每盘1500个，采用卷带包装。
• NVTFWS024N06CTAG：24NW（无铅，可焊侧翼）8FL封装，每盘1500个，采用卷带包装。

总结

安森美NVTFS024N06C MOSFET以其紧凑的设计、低损耗特性、环保特性和广泛的应用场景，为电子工程师提供了一个优秀的选择。在实际设计中，工程师可以根据具体的应用需求，充分利用该MOSFET的特点，实现高效、可靠的电路设计。你在使用MOSFET时，是否也遇到过类似的性能和尺寸的权衡问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。