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华润微 CRTM900P10LQ -100V Trench P-MOSFET 技术参数与应用解析

佰祥电子—IC专家—技术中心 来源:佰祥电子—IC专家—技术中 作者:佰祥电子—IC专家 2026-04-01 09:27 次阅读
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华润微代理商 - 华润微授权佰祥电子为中国区华润微代理商,佰祥电子本期为大家带来华润微专为中高压功率控制场景匠心打造的 Trench P-MOSFET——CRTM900P10LQ,以 - 100V 高耐压、74mΩ 低导通电阻、-17A 大电流、PDFN5x6 高功率密度封装等核心优势,破解中高压功率场景中器件导通损耗高、耐压余量不足、车载级可靠性难满足、功率模块小型化设计的行业痛点。

wKgZO2nMtSuAFpeeAACwioencQM734.pngCRTM900P10LQ PDFN5x6 封装外形尺寸图

一、原生适配:专为中高压功率控制场景匠心定制

CRTM900P10LQ 并非普通 P-MOSFET 器件的简单设计,而是立足中高压功率控制全场景使用需求的定制化 Trench 工艺研发,完美适配各类工业电机控制、高端电池管理系统、UPS 不间断电源等设备,在低导通损耗、高耐压稳定性、车载级可靠性、高功率密度、极简外围设计之间实现最优平衡,一站式提供 - 100V 额定耐压、74mΩ 低导通电阻、-17A 持续电流、AEC-Q101 车载认证、100% 全项严苛测试的完整功率开关一体化解决方案。

wKgZO2nMtU-ADQ5wAACdS4dSaQ0888.pngCRTM900P10LQ 输出特性曲线

二、七大核心亮点,重新定义中高压功率场景 P-MOSFET 应用标杆

wKgZO2nMtX2AKpO9AAB8pHzegGQ759.pngCRTM900P10LQ 导通电阻 - 温度特性曲线

先进 CRM Trench 工艺,74mΩ 低导阻优 FOM 值

采用华润微 CRM (CQ) 先进 Trench 沟槽工艺,原生实现 74mΩ 典型导通电阻,大幅降低器件导通损耗,直接提升功率转换效率;拥有优异的Qg​×RDS(on)​品质因数(FOM),实现开关损耗与导通损耗的最优平衡,完美适配中高压功率场景的高频开关需求;工艺层面优化器件内部沟道结构,提升功率密度,无需多器件并联即可满足中高压常规功率需求。

-100V 高耐压特性,车载级耐压余量充足

额定漏源击穿电压 - 100V,耐压余量充足,完美适配 30-100V 全系列中高压功率控制的电压需求;在额定电压范围内漏源击穿电压(BV DSS)特性高度稳定,无明显参数漂移,有效抵御供电电压波动带来的器件故障风险;器件耐压性能经过车载级标准验证,在复杂中高压供电环境下运行更可靠,适配多场景电压动态变化需求。

-17A 大电流承载,66A 脉冲高裕量

25℃硅片极限下支持 - 17A 持续漏极电流,100℃工况下仍保持 - 12A 持续电流输出,充分满足中高压功率场景的大电流开关需求;25℃下脉冲漏极电流可达 - 66A,脉冲电流裕量充足,适配瞬时大电流功率控制场景;器件内部优化电流分布设计,避免局部电流集中,大电流工况下温升低,运行状态更稳定,无需额外增加扩流器件。

PDFN5x6 小型化封装,高功率密度易量产

采用 PDFN5x6 高功率密度封装,封装尺寸小巧,大幅节省 PCB 板布局空间,优化中高压功率模块的整体体积,适配小型化功率设备设计需求;完美兼容主流 SMT 贴片工艺,引脚布局标准化,量产贴装效率高、良率优;封装散热性能优异,结壳热阻仅 2.9℃/W,有效提升器件大电流工况下的散热能力,保障长期稳定运行。

优异开关特性,低栅极电荷低驱动损耗

优化器件栅极电荷特性,栅极总电荷(Qg)典型值仅 50nC,栅漏电荷(Qgd)低至 8nC,栅极驱动损耗大幅降低;开通延迟时间仅 9ns,开关响应速度快,精准适配中高压场景的高频开关应用需求;开关过程中尖峰电压小,EMI 电磁干扰低,大幅降低外围 EMC 设计难度,减少阻容滤波器件的使用,简化驱动电路设计。

wKgZO2nMtaeAWe4oAAHH9jQxx8I380.pngCRTM900P10LQ 电阻负载开关测试电路与波形

-55~+175℃宽温域,全环境稳定工作

支持 - 55~+175℃宽结温与存储温度范围,覆盖工业级、车载级全温域应用需求;宽温域内导通电阻温漂特性优异,高低温极端环境下器件电气参数无明显衰减,电流承载与耐压能力保持稳定;适配户外、工业设备、车载辅助系统等复杂使用环境,高低温工况下无明显性能损耗,有效提升整机的环境适应能力与使用寿命。

车载级全项认证,100% 严苛测试高可靠

通过 AEC-Q101 车载级可靠性认证,完全满足车载电子设备的高可靠性要求,可直接应用于车载辅助功率控制场景;器件经过 100% DVDS 测试与 100% 雪崩测试,单脉冲雪崩能量达 225mJ,抗浪涌、抗冲击能力优异;栅源极支持 ±20V 电压,过压耐受能力强,在异常供电工况下可有效保护器件不被损坏,全场景运行更安全。

三、主流应用场景

wKgZO2nMtcWATJpTAAB_S98IETA655.pngCRTM900P10LQ 安全工作区曲线

工业电机控制与驱动

高端电池管理系统

UPS 不间断电源

车载辅助功率控制模块

中高压锂电便携设备

工业级功率开关电路

四、总结

CRTM900P10LQ 是一款采用 CRM 先进 Trench 工艺、-100V 高耐压、74mΩ 低导通电阻、-17A 大电流承载、PDFN5x6 高功率密度封装的车载级高性能 P-MOSFET,在耐压等级、导通损耗、电流承载、功率密度、开关特性、温域适配、可靠性认证上实现全维度突破,相比同类型产品更能满足中高压功率场景的低损耗、高可靠、小型化应用需求,依托华润微在功率半导体领域的核心技术积累,成为中高压功率控制场景 P-MOSFET 应用的标杆之选。

佰祥电子作为华润微官方授权代理商,常备 CRTM900P10LQ 原厂现货,可提供完整规格书、定制化应用方案、全流程硬件调试指导、样品快速申请及大规模量产技术支持,正品保障、价格优势显著、交货周期短,助力客户中高压功率相关产品高效开发、稳定量产、快速抢占市场。

面向功率半导体市场车载化、高可靠、低损耗、小型化的发展趋势,CRTM900P10LQ 以 - 100V 高耐压、74mΩ 低导通电阻、-17A 大电流、PDFN5x6 高功率密度封装、AEC-Q101 车载认证、宽温域稳定工作、全项严苛测试保障的核心优势,成为中高压功率控制场景 P-MOSFET 应用的全新标杆方案。

审核编辑 黄宇

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