onsemi NTMT125N60S5H MOSFET：高效性能与广泛应用的完美结合

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET是一个不可或缺的关键元件。今天，我们就来深入了解一下onsemi公司推出的NTMT125N60S5H这款单N沟道功率MOSFET。

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产品概述

NTMT125N60S5H属于SUPERFET V MOSFET FAST系列，其主要特点是在硬开关应用中具有极低的开关损耗，这对于提高系统效率至关重要。它采用了TDFN4封装，这是一种超薄的表面贴装封装，通过提供开尔文源配置和较低的寄生源电感，实现了出色的开关性能。

主要参数与特性

1. 绝对最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	600	V
栅源电压（DC）	(V_{GSS})	±30	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	(I_{D})	22	A
连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	(I_{D})	13	A
功耗（(T_{C}=25^{circ}C)）	(P_{D})	152	W
脉冲漏极电流	(I_{DM})	77	A
脉冲源极电流（体二极管）	(I_{SM})	77	A
工作结温和存储温度范围	(T{J},T{STG})	-55 to +150	(^{circ}C)
源极电流（体二极管）	(I_{S})	22	A
单脉冲雪崩能量（(I = 4.5A)，(R_{G}= 25)）	(E_{AS})	184	mJ
雪崩电流	(I_{AS})	4.5	A
重复雪崩能量	(E_{AR})	1.52	mJ
MOSFET (dv/dt)	(dv/dt)	120	V/ns
峰值二极管恢复 (dv/dt)		20	V/ns
焊接用引脚温度（距外壳1/8英寸，10秒）	(T_{L})	260	(^{circ}C)

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

2. 电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压 (V{(BR)DSS}) 在 (V{GS} = 0 V)，(I{D} = 10 mA)，(T{J} = 25^{circ}C) 时为 600V；零栅压漏极电流 (I{DSS}) 在 (V{GS} = 0 V)，(V{DS} = 600 V)，(T{J} = 25^{circ}C) 时为 1μA；栅源泄漏电流 (I{GSS}) 在 (V{GS} = ±30 V)，(V_{DS} = 0 V) 时为 ±100nA。
• 导通特性：漏源导通电阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS}= 10 V)，(I{D} = 11 A)，(T = 25^{circ}C) 时，典型值为 100mΩ，最大值为 125mΩ；栅极阈值电压 (V{GS(th)}) 在 (V{GS} = V{DS})，(I{D} = 2.1 mA)，(T = 25^{circ}C) 时，最小值为 2.7V，最大值为 4.3V；正向跨导 (g{fs}) 在 (V{DS} = 20 V)，(I{D} = 11 A) 时为 21.4S。
• 电荷、电容与栅极电阻：输入电容 (C{Iss}) 在 (V{DS} = 400 V)，(V{GS} = 0V)，(f = 250 kHz) 时为 2037pF；输出电容 (C{oss}) 为 31.9pF；总栅极电荷 (Q{G(tot)}) 在 (V{DD} = 400 V)，(I{D} = 11 A)，(V{GS} = 10V) 时为 37.1nC 等。
• 开关特性：开通延迟时间 (t{d(on)}) 在 (V{GS} = 0/10 V)，(V{DD} = 400 V)，(I{D}=11 A)，(R_{G}=7.5 Omega) 时为 57.4ns。
• 源漏二极管特性：正向二极管电压 (V{SD}) 在 (V{GS} = 0V)，(I{SD} = 11 A)，(T = 25^{circ}C) 时为 1.2V；反向恢复时间 (t{rr}) 在 (V{GS} = 0V)，(I{SD} = 11 A)，(di/dt = 100 A/μs)，(V{DD} = 400 V) 时为 335ns；反向恢复电荷 (Q{rr}) 为 4519nC。

典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、二极管正向电压与源极电流的关系、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流与壳温的关系、(E_{OSS}) 与漏源电压的关系以及瞬态热阻抗等。这些曲线对于工程师在实际设计中评估器件性能和进行参数选择具有重要的参考价值。

应用领域

该MOSFET适用于多种领域，如电信/服务器电源、电动汽车充电器、不间断电源（UPS）、太阳能和工业电源等。其高性能和可靠性能够满足这些应用场景对功率器件的严格要求。

封装信息

NTMT125N60S5H采用TDFN4封装，具体尺寸在文档中有详细说明。同时，订购信息显示，该器件以3000个/卷带和卷轴的形式发货。对于卷带和卷轴的规格，可参考Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D。

总结

onsemi的NTMT125N60S5H MOSFET凭借其极低的开关损耗、出色的开关性能和丰富的电气特性，为电子工程师在设计电源相关电路时提供了一个优秀的选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的设计需求，结合器件的参数和典型特性曲线，合理选择和使用该器件，以确保系统的高效稳定运行。大家在使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。