onsemi NTMT100N60S5H MOSFET：高效开关性能的理想之选

在电子工程领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能直接影响着电子系统的效率和稳定性。今天，我们来深入了解一下安森美（onsemi）的NTMT100N60S5H MOSFET，看看它能为我们的设计带来哪些优势。

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产品概述

NTMT100N60S5H是一款N沟道的功率MOSFET，属于SUPERFET V MOSFET FAST系列。该系列旨在通过极低的开关损耗，在硬开关应用中最大限度地提高系统效率。它采用了Power88封装，这是一种超薄的表面贴装封装（SMD），通过提供开尔文源配置和较低的寄生源电感，实现了出色的开关性能。

产品特性

高耐压与低电阻

• 耐压能力：在结温 (T{J}=150^{circ}C) 时，可承受650V的电压；在 (T{J}=25^{circ}C) 时，漏源击穿电压 (V_{(BR)DSS}) 最小为600V。
• 低导通电阻：典型的 (R{DS(on)}) 为80mΩ（(V{GS}=10V)，(I{D}=13.5A)，(T{J}=25^{circ}C)），最大为100mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。

可靠性保障

• 雪崩测试：经过100%雪崩测试，确保在极端条件下的可靠性。
• 环保标准：符合无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）要求，并且满足RoHS标准，符合环保设计理念。

应用领域

• 电信/服务器电源：在电信和服务器电源系统中，对电源的效率和稳定性要求极高。NTMT100N60S5H的低开关损耗和高耐压特性，能够有效提高电源的转换效率，确保系统稳定运行。
• 电动汽车充电器/不间断电源（UPS）/太阳能/工业电源：这些应用场景通常需要处理高功率和高电压，NTMT100N60S5H的高性能能够满足这些需求，为系统提供可靠的功率支持。

电气特性

绝对最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	600	V
栅源电压（DC）	(V_{GS})	±30	V
连续漏极电流（(T_{c}=25^{circ}C)）	(I_{D})	27	A
连续漏极电流（(T_{c}=100^{circ}C)）	(I_{D})	17	A
功率耗散（(T_{c}=25^{circ}C)）	(P_{D})	179	W
脉冲漏极电流（(T_{c}=25^{circ}C)）	(I_{DM})	95	A
脉冲源极电流（体二极管）	(I_{SM})	95	A
工作结温和存储温度范围	(T{J},T{STG})	-55 to +150	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	27	A
单脉冲雪崩能量（(I{L}=5.1A)，(R{G}=25)）	(E_{AS})	230	mJ
雪崩电流	(I_{AS})	5.1	A
重复雪崩能量	(E_{AR})	1.79	mJ
MOSFET (dv/dt)	(dv/dt)	120	V/ns
峰值二极管恢复 (dv/dt)		20
焊接用引脚温度（距外壳1/8英寸，10s）	(T_{L})	260	°C

电气参数

• 关断特性：漏源击穿电压 (V{(BR)DSS}) 为600V（(V{GS}=0V)，(I{D}=1mA)，(T{J}=25^{circ}C)），零栅压漏极电流 (I{DSS}) 最大为1μA（(V{GS}=0V)，(V{DS}=600V)，(T{J}=25^{circ}C)），栅源泄漏电流 (I{GSS}) 最大为±100nA（(V{GS}=±30V)，(V_{DS}=0V)）。
• 导通特性：漏源导通电阻 (R{DS(on)}) 典型值为80mΩ（(V{GS}=10V)，(I{D}=13.5A)，(T{J}=25^{circ}C)），栅极阈值电压 (V{GS(th)}) 为2.7 - 4.3V（(V{GS}=V{DS})，(I{D}=2.7mA)，(T{J}=25^{circ}C)），正向跨导 (g{FS}) 典型值为26.8S（(V{DS}=20V)，(I{D}=13.5A)）。
• 电荷、电容与栅极电阻：输入电容 (C{ISS}) 典型值为2616pF（(V{DS}=400V)，(V{GS}=0V)，(f = 250kHz)），输出电容 (C{OSS}) 典型值为39.8pF，总栅极电荷 (Q{G(TOT)}) 典型值为46.6nC（(V{DD}=400V)，(I{D}=13.5A)，(V{GS}=10V)），栅极电阻 (R_{G}) 典型值为1.16Ω（(f = 1MHz)）。
• 开关特性：开启延迟时间 (t{d(ON)}) 为21.6ns（(V{GS}=0/10V)，(V{DD}=400V)，(I{D}=13.5A)，(R{G}=4.7)），上升时间 (t{r}) 为5.81ns，关断延迟时间 (t{d(OFF)}) 为61.1ns，下降时间 (t{f}) 为2.64ns。
• 源漏二极管特性：正向二极管电压 (V{SD}) 最大为1.2V（(V{GS}=0V)，(I{SD}=13.5A)，(T{J}=25^{circ}C)），反向恢复时间 (t{RR}) 最大为362ns（(V{GS}=0V)，(I{SD}=13.5A)，(dI/dt = 100A/s)，(V{DD}=400V)），反向恢复电荷 (Q_{RR}) 为5331nC。

封装与订购信息

该产品采用PQFN4 8x8, 2P CASE 520AB封装，每盘3000个，采用带盘包装。对于带盘规格的详细信息，可参考安森美的Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D。

总结

NTMT100N60S5H MOSFET凭借其高耐压、低导通电阻、出色的开关性能和可靠性，为电信、服务器电源、电动汽车充电器等领域的设计提供了优秀的解决方案。在实际应用中，我们需要根据具体的设计需求，合理选择和使用该器件，以充分发挥其性能优势。你在使用MOSFET时，有没有遇到过一些特殊的设计挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。