onsemi FCP16N60与FCPF16N60 MOSFET：卓越性能与应用解析

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET是不可或缺的关键元件。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的两款N沟道MOSFET——FCP16N60和FCPF16N60，看看它们的特性和应用场景。

文件下载：FCP16N60-D.pdf

产品概述

SUPERFET MOSFET是安森美第一代高压超结（SJ）MOSFET家族产品，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度减少传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET MOSFET非常适合用于开关电源应用，如PFC、服务器/电信电源、FPD电视电源、ATX电源和工业电源应用等。

关键参数

1. 最大额定值

参数	FCP16N60	FCPF16N60	单位
漏源电压（VDSS）	600	-	V
连续漏极电流（TC=25°C）	16	16*	A
连续漏极电流（TC=100°C）	10.1	10.1*	A
脉冲漏极电流（IDM）	48	48*	A
栅源电压（VGSS）	±30	-	V
单脉冲雪崩能量（EAS）	450	-	mJ
雪崩电流（IAR）	16	-	A
重复雪崩能量（EAR）	20.8	-	mJ
峰值二极管恢复dv/dt	4.5	-	V/ns
功率耗散（TC=25°C）	167	37.9	W
25°C以上降额	1.33	0.3	W/°C
工作和存储温度范围（TJ，TSTG）	-55 to +150	-	°C
焊接时最大引脚温度（距外壳1/8”，5秒）	300	-	°C

注：*漏极电流受最大结温限制。

2. 热特性

参数	FCP16N60	FCPF16N60	单位
结到外壳热阻（RθJC）	0.75	3.3	°C/W
结到环境热阻（RθJA）	62.5	62.5	°C/W

3. 电气特性

• 关断特性：包括栅极到体泄漏电流（I_GSS）、零栅压漏极电流（I_DSS）、漏源雪崩击穿电压（BV_DSS）等参数。
• 导通特性：如栅极阈值电压（V_GS(th)）、静态漏源导通电阻（R_DS(on)）、正向跨导（g_fs）等。
• 动态特性：输入电容（C_iss）、输出电容（C_oss）、反向传输电容（C_rss）、总栅极电荷（Q_g）等。
• 开关特性：开启延迟时间（t_d(on)）、开启上升时间（t_r）、关断延迟时间（t_d(off)）、关断下降时间（t_f）等。
• 漏源二极管特性：最大连续漏源二极管正向电流（I_S）、最大脉冲漏源二极管正向电流（I_SM）、漏源二极管正向电压（V_SD）、反向恢复时间（t_rr）、反向恢复电荷（Q_rr）等。

典型性能特性

文档中给出了多个典型性能特性曲线，帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现：

• 导通区域特性：展示了不同栅源电压下，漏极电流与漏源电压的关系。
• 传输特性：体现了漏极电流与栅源电压的关系，且受温度影响。
• 导通电阻变化特性：显示了导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化情况。
• 体二极管正向电压变化特性：反映了体二极管正向电压随源极电流和温度的变化。
• 电容特性：给出了输入电容、输出电容和反向传输电容随漏源电压的变化。
• 栅极电荷特性：展示了总栅极电荷与栅源电压的关系。
• 击穿电压变化特性：体现了击穿电压随温度的变化。
• 导通电阻变化特性：显示了导通电阻随温度的变化。
• 最大安全工作区：分别给出了FCP16N60和FCPF16N60的最大安全工作区，帮助工程师确定器件的安全工作范围。
• 瞬态热响应曲线：展示了FCP16N60和FCPF16N60的瞬态热响应特性。

封装与订购信息

1. 封装

• FCP16N60采用TO - 220 - 3封装。
• FCPF16N60采用TO - 220 - 3 FullPak封装。

2. 订购信息

器件	封装	包装数量
FCP16N60	TO - 220 - 3	1000 Units / Tube
FCPF16N60	TO - 220 - 3 FullPak	1000 Units / Tube

应用场景

由于其出色的性能，FCP16N60和FCPF16N60适用于多种开关电源应用，如太阳能逆变器、AC - DC电源等。在实际设计中，工程师可以根据具体的应用需求，结合器件的参数和性能特性，合理选择和使用这两款MOSFET。

总结

安森美（onsemi）的FCP16N60和FCPF16N60 MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的应用场景，为电子工程师提供了可靠的选择。在设计过程中，我们需要充分了解器件的参数和特性，结合实际应用需求，确保设计的可靠性和稳定性。你在使用MOSFET的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。