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美浦森推出新一代低损耗IGBT产品及配套的FRD

CHANBAEK 来源:美浦森半导体 2026-03-26 17:15 次阅读
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近年来,光伏储能,电能质量以及充电模块和 UPS 技术呈现出迅猛发展的态势。由 IGBT和FRD组成的不同形式的三电平电路凭借其高效率、低谐波损耗及优异的电压适应能力,在电能质量,光伏储能以及充电模块和 UPS 行业得到了广泛应用,成为了提升设备性能与可靠性的关键电路架构之一。

NPC1 三电平电路的其中一个桥臂(如下图所示),有四个IGBT和两个钳位FRD组成。可以让650V/750V IGBT工作在800VDC母线电压和380VAC输出电压中,让1200V的IGBT工作在1500VDC母线电压和650VAC输出电压中。同时具有动态响应快,开关频率高(大于20kHz,适合APF高频动态补偿(响应<2ms),双向功率友好等优点。所以被新能源行业广泛应用,同时组成该电路的器件也面临较大的损耗挑战。

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维也纳三电平电路广泛用于充电模块和UPS的PFC电路中,最常用的 380VAC输入的维也纳PFC电路,由接入380VAC电网的由6颗1200VFRD和6颗650V的IGBT组成(如下图)。具有可靠性高,效率高,成本和散热友好等优点,同时因为应用中有效率要求,所以也对器件损耗提出挑战。

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美浦森推出全新一代高性能IGBT单管和配套的FRD。该产品以最新一代IGBT 7技术为基准,实现了损耗显著降低与温升大幅优化的核心突破。专为三电平等先进拓扑结构深度优化,它能直接帮助客户实现:

— 系统效率全面提升:更低导通与开关损耗,直接将(PCS)储能和电能质量变流器效率推升至新高度。

— 运行更可靠,寿命更长:优异的低温升特性,降低了系统热应力,显著提升功率循环寿命与整体可靠性。

下面是MSH75GS065DB1(VCESAT@75A=1.4V,Ets<4mJ)和国外IGBT 7的参数对比图,MSH75GS065DB1产品性能和国外IGBT完全对标,同时优于国产竞品,实际应用中也有良好表现。

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MSH75GS065DB1三管并联电路,在Ic=200A,VCC=400V 下进行了半桥电路的双脉冲动态性能(模拟T1 T2上半部分)(下图测试波形),产品呈现出较好的动态性能,也有较好的柔软度表现,完全满足现有主流的多管并联应用。

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除了MSH75GS065DB1以外,美浦森还提供其他规格IGBT产品,也提供配套的FRD,形成一整套的解决方案给客户。IGBT有650V 40A-275A, 750V 80A-120A,FRD有650V 30A-120A,1200V 60A-140A等不同规格,满足不同客户的需求。下面是美浦森在新能源行业的 IGBT 和 FRD 产品列表。

用于380VC和690VAC APF和光储充电路的IGBT列表

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配套247封装的IGBT 7快恢复二极管(FRD)列表

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关于美浦森

美浦森半导体(MSemitek)成立于2014年,总部位于深圳,是国内最早专业从事硅与碳化硅器件研发、生产和销售的半导体公司,国家级高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业。公司在深圳、苏州设有研发中心,在深圳建立“MS OpenLab美浦森实验室”(已通过国家级CNAS认可和广东省工程技术研究中心认定)。

公司产品线包括:高中低压全系列(Trench/SGT MOSFET、超结MOSFET、Planar MOSFET)、碳化硅系列(SiC Diode/MOSFET)、IGBT系列(单管/模块),其广泛应用于PC/服务器、工业电源、光伏/储能逆变、汽车电子、BMS、电机/电动工具、UPS等领域。美浦森坚持投入先进制程研发、搭建系统级应用平台,提升品质管控能力,致力于提供性能卓越的产品,为客户创造价值。

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