微电子科学家吴德馨院士逝世，在国内率先提出利用MEMS结构实现激光器和光纤的无源耦合

3月24日，中国科学院微电子研究所官方账号发布讣告，中国科学院院士，我国杰出的微电子科学家，中国科学院微电子研究所研究员，原中国科学院微电子中心主任，第九届、第十届全国人民代表大会常务委员会委员吴德馨同志逝世。

吴德馨院士在国内率先提出了利用MEMS结构实现激光器和光纤的无源耦合，并研究成功工作速率达10Gbps的光发射模块。其中“先进的深亚微米工艺技术及新型器件”获2003年北京市科学技术一等奖。

以下为中国科学院微电子研究所发布吴德馨院士生平简介：

中国共产党的优秀党员，我国杰出的微电子科学家，中国科学院院士，中国科学院微电子研究所研究员、原中国科学院微电子中心主任，第九届、第十届全国人民代表大会常务委员会委员，中国科学院技术科学部第八届常务委员会委员、第九届常务委员会副主任，中国科学院信息技术科学部第十二届常务委员会委员，第四届中国科学院学部主席团成员吴德馨同志，因病医治无效，于2026年3月23日13时15分在北京逝世，享年90岁。

吴德馨同志1936年12月生于河北乐亭，1979年6月加入中国共产党，1961年毕业于清华大学无线电电子工程系，成为清华大学第一批半导体专业毕业生。毕业后被分配至中国科学院半导体研究所工作，1986年调入中国科学院微电子中心（现中国科学院微电子研究所）工作至今，历任助理研究员、研究员、中心副主任、主任，1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。先后荣获国家科技进步二等奖、北京市科学技术一等奖、中国科学院科技进步一等奖、何梁何利基金科学与技术进步奖等多个重要奖项。

吴德馨同志是我国半导体与集成电路研究的开拓者之一，为国家微电子事业发展做出了卓越贡献。在半导体所工作期间，她作为课题负责人承担了解放初期“12年科学规划”中的“平面型高速开关晶体管的研究”，独立自主地解决了提高开关速度的关键问题，开关速度达到当时国际同类产品水平。该技术在中国科学院109厂和上海器件五厂进行了推广，打破了西方国家对我国的封锁，为“两弹一星”配套的“109丙”计算机提供了核心器件，产生了重大的经济和社会效益，获全国新产品一等奖。

1986年，吴德馨同志调入中国科学院微电子中心任副主任、研究员。作为主要负责人从事N沟MOS 4K、16K和64K动态随机存储器（DRAM）的工艺研究，首次在国内成功研制出4K、16K位DRAM。成功开发出双层多晶硅和差值氧化工艺，打破了我国大规模集成电路成品率长期低下的局面，为我国集成电路的工业生产奠定了基础。

1991年，吴德馨同志担任中国科学院微电子中心主任。她大胆改革、努力创新，积极探索新的科研和开发领域，领导开发了0.8微米CMOS全套工艺，科研成果和产品开发等效益不断增加，开创了微电子中心发展的新局面。

离开领导岗位的吴德馨并未放松科学研究，她领导科研人员成功研制0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结场效应晶体管，在国内首次成功研制出全功能砷化镓/铟镓磷HBT 10Gbps光纤通信光发射驱动电路。

任全国人大常委会委员期间，吴德馨同志认真履行职能，积极建言献策，多次向中央领导汇报微电子技术的发展趋势并提出建议，多次参加国家和中国科学院发展规划的制定，多次主持执笔两院院士对国家集成电路发展咨询报告的撰写等工作，有力推动了我国半导体事业的发展。

吴德馨同志将六十余载光阴全部奉献给祖国的半导体与微电子事业，用一生诠释了爱国奉献、严谨求实的科学家精神。她的逝世是我国微电子学界和科技事业的重大损失。她的崇高品德、治学精神与卓越贡献，将永远铭刻在我们心中。