100V N沟道功率MOSFET SMT10T07ALU简介

SMT10T07ALU

SMT10T07ALU 是一款高性能 100V N 沟道功率 MOSFET，采用 TO252-3L 封装形式，凭借低导通电阻、优异的品质因数（FoM）及稳定的电气性能，成为工业、通信等领域高频开关与功率控制的理想选择，且产品符合无卤环保标准，满足现代电子设备的绿色设计要求。

核心性能优势

01超低导通电阻，能效表现优异

产品在栅源电压 VGS=10V、漏极电流 ID=20A 时，静态漏源导通电阻 RDS (ON) 典型值仅 6.1mΩ，最大值 7.4mΩ；即使在低栅压 VGS=4.5V、ID=15A 工况下，典型值也仅 7.9mΩ，大幅降低导通损耗，提升电路能源利用效率。

02高电流承载能力

在壳温 25℃时，持续漏极电流可达 73A，壳温升至 100℃仍保持 46A 的额定值，脉冲漏极电流更是高达 292A，能适配大电流功率控制场景，满足高负载工作需求。

03优异的品质因数与可靠性

具备出色的 FoM，且经过 100%ΔVDS、非钳位感性开关（UIS）及栅极电阻（Rg）测试，单脉冲雪崩能量 250mJ、单脉冲雪崩电流 31A，抗冲击能力强，工作稳定性佳。

04高频开关特性出色

栅极电荷特性优异，VGS=10V 时总栅极电荷 Qg 仅 27nC，低栅压 4.5V 时 Qg 为 13.2nC；开关延迟时间短，开通延迟 4.6ns、关断延迟 23ns，上升时间 10ns、下降时间 21ns，配合低输入 / 输出电容特性，完美适配高频开关应用。

05宽温工作范围

结温和存储温度范围覆盖 - 55℃~+150℃，能在高低温极端环境下稳定工作，适应工业设备、户外通信装置等复杂的工作环境。

关键电气与热学参数

极限额定参数（Tc=25℃，除非另有说明）

漏源电压 VDS：100V

栅源电压 VGS：±20V

功率耗散（Tc=25℃/100℃）：74W/29W

体二极管正向电流（Tc=25℃）：73A

核心热学特性

结到环境热阻 RθJA：典型 30℃/W，最大 38℃/W

结到外壳热阻 RθJC：典型 1.3℃/W，最大 1.7℃/W优异的热传导特性有效降低器件温升，保障长期工作的可靠性。

封装与机械特性

SMT10T07ALU 采用 TO252-3L 贴片封装，引脚配置为顶部视图 D（漏极）、G（栅极）、S（源极），封装使用绿色模塑化合物，符合 UL94V-0 阻燃等级，防潮敏感度为 J-STD-020 标准 3 级。封装尺寸标准化，适配常规贴片焊接工艺，推荐焊接焊盘尺寸经过优化，可提升焊接可靠性与散热效果，卷盘包装为 13 英寸载带卷盘，每盘 2500pcs，满足批量生产需求。

应用领域

依托优秀的电气性能，SMT10T07ALU 可广泛应用于各类功率电子电路，核心应用包括：

电机控制电路，为各类直流、交流电机提供精准高效的功率驱动；

通信及工业领域的 DC/DC 变换器，实现电压的高效转换与稳定输出；

高频开关电源，利用高频开关特性提升电源转换效率与小型化程度；

同步整流电路，替代传统整流二极管，降低整流损耗，提升整机能效。