解决效率 电压尖峰问题！萨瑞微推出“低内阻+低Crss；Coss”同步优化方案

MOS 管 DS 尖峰的产生是多重因素共同作用的结果，涉及电路寄生参数、开关速度、负载特性及驱动电路设计等关键环节。针对这一行业痛点，萨瑞微创新性推出 “低导通内阻（Rds (on)）+ 低反向传输电容（Crss）+ 低输出电容（Coss）” 同步优化方案，实现效率提升与尖峰抑制的双重突破。

01

核心参数优势

Core parameter advantages

器件本身及 MOS 管周边元件会随电压变化率（dv/dt）产生寄生电感。若电感值较大，MOS 管关断时会在电感两端产生高额压降，叠加于漏极电压形成峰值电压；其中寄生源极电感（Ls）在关断时还会产生反向峰值电压，进一步放大尖峰幅度。

萨瑞微通过精准调控 Crss 与 Coss 参数，有效降低振荡反馈，从源头抑制尖峰产生。实测数据显示，方案可显著削减漏极电压尖峰，提升电路工作稳定性（相关波形测试结果见原文附图）。

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效率与散热性能提升

（输入条件：Vin=90Vac/60Hz，输出规格：20V/3.25A）

Improved efficiency and cooling performance

更低的 Rds (on) 带来显著性能优势：相同功耗下器件温升更低，不仅能降低热应力对器件寿命的影响，减少高温导致的参数漂移与失效风险，还可简化散热设计，大幅降低散热片的体积与成本投入。（实测效率如图）

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稳定的EMI性能

Stable EMI performance

传统MOS

低Rds（on）+低Crss；Coss

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产品核心优势

Product core advantages

1

低导通内阻设计：提升电路转换效率，降低器件工作温度，延长使用寿命，有效提升效率0.2%。

2

低寄生电容组合：有效减少 LC 振荡，从根源抑制电压尖峰，提升系统稳定性。

3

无额外 EMI 干扰：参数协同优化避免电磁兼容风险，无需额外增加滤波成本。

萨瑞微 “低 Rds (on)+ 低 Crss + 低 Coss” 方案，打破单一参数调控的行业局限，通过三者精准协同实现深度系统级优化，助力客户在电路效率与电压尖峰抑制之间达成更优工程平衡，为电源、逆变器等各类电力电子应用提供高可靠性解决方案。