重磅干货 | 英飞凌工业半导体年度十大热门技术文章

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英飞凌IGBT7系列芯片大解析

IGBT7从2019年问世至今，从首发的T7，到成为拥有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。这几大系列之间，究竟有何区别？它们各自的适用领域又都在哪里？今天这篇文章就带大家一起来解析一下。

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IGBT的电流是如何定义的

英飞凌IGBT模块型号上是标称电流，是基于一定的壳温计算得到的集电极直流电流，与实际IGBT开关输出电流并不是一个概念。

系统设计原则一：IGBT的最高工作结温不允许超过Tvjmax。

系统设计原则二：IGBT最大电流取决于脉冲电流能力和反偏安全工作区，也就是IGBT关断电流能力，一般是两倍的标称电流，设计中关断电流不能超过反偏安全工作区，那么系统设计是安全可靠的。

图：TRENCHSTOP IGBT4 IGC142T120T8RM数据手册截图

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经典导读：IGBT驱动电流行为综述

文章剖析了IGBT驱动电流的基本概念，通过实测案例和理论分析，揭示了在不同栅极电压下，寄生电感如何影响IGBT的开关速度和损耗；探讨了驱动设计时如何选取合适的驱动电流，以确保既满足驱动能力要求，又避免引起开通振荡。对于从事IGBT应用及相关领域研究的工程师和技术人员来说，无疑具有重要的参考价值！

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经典导读：IGBT损耗计算

文章通过对比理想的开通波形和实际开通波形，详细推导了开通损耗的计算公式，并提出了分段近似计算的方法来处理实际波形中的非线性部分。对于导通损耗，文章指出了Vce与Ic的关联性，并给出了利用实际测试波形和规格书中的Vce-Ic曲线进行计算的步骤。

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碳化硅何以英飞凌？——

沟槽栅技术可靠性真相

全社会都在积极推动低碳化转型，而低碳化的背后其实是电气化。在新型电气能源架构中，相比于从前，一次能源到终端用户的能源转换次数增多。虽然可再生能源是免费的，但是这种多层级的能源转换，每一步都会带来一定的能耗损失，因此追求更高效的能源转化效率至关重要。

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碳化硅何以英飞凌？——

SiC MOSFET性能评价的真相

在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章，本文将继续为您揭开这些误区的真相（误区一见：碳化硅何以英飞凌？—— 沟槽栅技术可靠性真相），并介绍英飞凌如何通过技术创新应对这些挑战。

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栅极氧化层在SiC MOSFET设计中的

重要作用

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题：即如何实现平衡性能、鲁棒性、可靠性和易用性的设计。比导通电阻是衡量SiC MOSFET技术先进性的关键参数，但其它标准，例如可靠性，也是制约器件表现的重要因素。对于不同的应用，导通电阻与可靠性之间的折衷也略有差异。因此，合理的器件定义应当保证设计灵活性，以满足不同的任务需求，无需大量设计工作和设计布局变化。

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驱动电路基础知识和设计实战宝典

驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章将详细讲解如何正确理解和应用这些驱动器的功能。

图 1ED332xMC12N系列电隔离单通道驱动IC的输入侧框图

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功率器件热设计基础文集

功率半导体器件热设计系列文章上线！本专栏汇集了14篇由英飞凌资深专业人士撰写的功率半导体器件热设计系列文章，约3万字，涵盖热阻、结温、热容等多方面知识，从热阻基础到瞬态热测量，从结温获取到PCB设计，为你的热设计难题提供专业、权威且实用的技术参考。

IGBT模块的风冷散热

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三相四线变换器拓扑与原理简介

三相四线制配电具有稳定性高、适用范围广等优点，多应用于工商业、民用等低压配电场景，在传统的APF、UPS等应用里，三相四线变换器已被大量采用，近年来，工商业侧储能正以其经济性、电网友好性等特点蓬勃发展，其中离网应用场景下，不平衡负载的带载能力、谐波畸变度等都是其PCS的重要指标。SiC MOSFET结合三相四桥臂变换器在此应用场景具有明显的应用优势。

图. 变压器式三相四线拓扑