探索NXH80B120MNQ0SNG双升压电源模块：高效与可靠的完美结合

在电源模块的选择上，电子工程师们总是在追求更高的效率、更好的可靠性以及更广泛的适用性。今天，我们就来深入了解一款备受关注的电源模块——NXH80B120MNQ0SNG，看看它能为我们的设计带来哪些惊喜。

文件下载：onsemi NXH80B120MNQ0全碳化硅MOSFET模块.pdf

模块概述

NXH80B120MNQ0SNG是一款集成了双升压级的电源模块。其内部采用了碳化硅（SiC）MOSFET和SiC二极管，这种组合显著降低了传导损耗和开关损耗，为工程师实现高效、可靠的电源设计提供了有力支持。该模块适用于太阳能逆变器和不间断电源等典型应用场景。

原理图

模块特性

性能卓越的器件

• SiC MOSFET：耐压达1200V，导通电阻低至80mΩ，具备出色的开关性能。
• SiC二极管：具有低反向恢复特性和快速开关速度，能有效减少开关损耗。
• 旁路和反并联二极管：耐压高达1600V，为电路提供了额外的保护。

优化的设计

• 低电感布局：减少了电磁干扰（EMI），提高了模块的稳定性。
• 可焊接引脚：方便进行电路板组装。
• 热敏电阻：可实时监测模块温度，确保工作在安全范围内。

环保合规

该模块符合无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）的环保标准，并且满足RoHS指令要求。

关键参数分析

绝对最大额定值

在使用该模块时，必须严格遵守绝对最大额定值，以避免器件损坏。以下是部分关键参数：	器件类型	参数	数值	单位
BOOST MOSFET	漏源电压（Vos）	1200	V
	栅源电压（VGs）	-15/+25	V
	连续漏极电流（@VGs=20V，Tc=80）	23	A
BOOST DIODE	峰值重复反向电压（VRRM）	1200	V
	连续正向电流（@Tc =80°C）	31	A
BYPASS DIODE	峰值重复反向电压（VRRM）	1600	V
	连续正向电流（@Tc=80C，TJ=150°C）	44	A

推荐工作范围

模块的推荐工作结温范围为 -40°C 至（TJMAX - 25）°C。超出此范围可能会影响器件的可靠性和性能。

电气特性

BOOST MOSFET特性

• 静态漏源导通电阻：在不同的测试条件下，其阻值有所变化。例如，在VGs = 20 V，Io = 20 A，TJ = 25°C时，典型值为80mΩ；而在TJ = 150°C时，典型值变为114mΩ。
• 开关损耗：在不同的温度和电流条件下，开关损耗也会有所不同。如在TJ = 25°C，VDs = 700V，VGs = 20V，-5V，ID = 30A，RG = 4.7Ω时，导通开关损耗（Eon）典型值为166mJ，关断开关损耗（Eoff）典型值为49.2mJ。

BOOST DIODE特性

• 反向恢复特性：在TJ = 25°C，VDs = 700V，VGs = 20V，-5V，ID = 30A，RG = 4.7Ω时，反向恢复时间（trr）为12ns，反向恢复电荷（Qrr）为159nC。

热敏电阻特性

热敏电阻的标称电阻在不同温度下有不同的值，如在25°C时为22kΩ，在100°C时为1486Ω。其B值（B(25/50)）为3950K，公差为±3%。

典型特性曲线

文档中提供了丰富的典型特性曲线，包括MOSFET的导通区域特性、传输特性，BOOST二极管和旁路二极管的正向特性，以及MOSFET和BOOST二极管的开关特性等。这些曲线可以帮助工程师更好地理解模块在不同工作条件下的性能表现，从而进行更精确的设计。

机械结构与安装

封装尺寸

模块采用Q0BOOST - Case 180AJ封装，文档详细给出了其机械尺寸和引脚位置信息，方便工程师进行电路板布局设计。

推荐安装模式

文档还提供了推荐的安装模式和安装孔细节，确保模块能够正确安装并发挥最佳性能。

总结与思考

NXH80B120MNQ0SNG电源模块凭借其高效的SiC器件、优化的设计和丰富的特性，为电子工程师在太阳能逆变器和不间断电源等应用中提供了一个优秀的选择。在实际设计中，工程师需要根据具体的应用需求，仔细考虑模块的各项参数和特性，合理选择工作条件，以确保系统的稳定性和可靠性。同时，通过对典型特性曲线的分析，可以进一步优化设计，提高系统的性能。大家在使用这款模块的过程中，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的设计经验呢？欢迎在评论区分享交流。