0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

3 Channel Boost Q1 Power Module NXH40B120MNQ1SNG产品解析

h1654155282.3538 来源:未知 作者:陈翠 2025-12-09 10:50 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

3 Channel Boost Q1 Power Module NXH40B120MNQ1SNG产品解析

在电子设备的电源管理领域,高效、可靠的电源模块一直是工程师们追求的目标。今天,我们就来详细探讨一款具有出色性能的电源模块——ON Semiconductor的NXH40B120MNQ1SNG。

文件下载:onsemi NXH40B120MNQ1全碳化硅MOSFET模块.pdf

产品概述

NXH40B120MNQ1SNG是一款集成了三通道升压级的电源模块。它采用了碳化硅(SiC)MOSFET和SiC二极管,这种设计使得该模块具有较低的传导损耗和开关损耗,能够帮助设计师实现高效率和卓越的可靠性。该模块适用于太阳能逆变器和不间断电源等典型应用场景。

原理图

产品特性

1. 高性能器件

  • SiC MOSFET:该模块集成了1200V、40mΩ的SiC MOSFET,这种器件具有低导通电阻,能够有效降低传导损耗,提高电源转换效率。
  • SiC二极管:采用了具有低反向恢复和快速开关特性的SiC二极管,减少了开关过程中的能量损耗,同时提高了开关速度,有助于提升整个电源模块的性能。
  • 旁路和反并联二极管:配备了1200V的旁路和反并联二极管,进一步增强了模块的可靠性和稳定性。

2. 优化设计

  • 低电感布局:模块采用了低电感布局,降低了杂散电感对电路的影响,减少了电压尖峰和电磁干扰,提高了系统的稳定性和电磁兼容性。
  • 可焊引脚:模块的引脚设计为可焊式,方便工程师进行焊接操作,提高了生产效率和产品的可靠性。
  • 热敏电阻:内置热敏电阻,可用于监测模块的温度,便于工程师进行温度控制和保护,确保模块在安全的温度范围内工作。

3. 环保特性

该模块符合RoHS标准,是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR Free)的环保产品,满足了现代电子产品对环保的要求。

电气特性

1. 绝对最大额定值

文档中给出了该模块在不同参数下的绝对最大额定值,如温度、电流、电压等。在使用该模块时,必须确保工作条件在这些额定值范围内,否则可能会损坏器件,影响产品的可靠性。

2. 推荐工作范围

模块的推荐工作结温范围为40°C至150°C。在这个范围内使用模块,可以保证其性能和可靠性。超出这个范围,模块的性能可能会受到影响,甚至可能导致器件损坏。

3. 详细电气参数

  • BOOST MOSFET特性:包括零栅极电压漏极电流、静态漏源导通电阻、栅源泄漏电流、开关时间、开关损耗、电容参数等。这些参数反映了MOSFET的性能,对于电源电路的设计和优化非常重要。
  • BOOST二极管特性:如二极管反向泄漏电流、二极管正向电压、反向恢复时间、反向恢复电荷、峰值反向恢复电流等。这些参数影响着二极管在电路中的性能和可靠性。
  • 旁路二极管特性:同样给出了旁路二极管的反向泄漏电流、正向电压、热阻等参数,为电路设计提供了重要依据。
  • 热敏电阻特性:热敏电阻的标称电阻、偏差、功率耗散、B值等参数,可用于温度监测和控制。

典型特性曲线

文档中提供了大量的典型特性曲线,包括MOSFET、BOOST二极管和旁路二极管的输出特性、传输特性、瞬态热阻抗、安全工作区、开关损耗与电流和栅极电阻的关系、反向恢复特性等。这些曲线直观地展示了模块在不同工作条件下的性能,工程师可以根据这些曲线进行电路设计和优化,选择合适的工作点和参数。

机械尺寸和引脚信息

1. 机械尺寸

模块采用PIM32封装,尺寸为71x37.4(焊针),文档详细给出了各个尺寸的最小值、标称值和最大值,以及引脚的位置信息。这些信息对于PCB设计和机械安装非常重要,确保模块能够正确地安装在电路板上。

2. 引脚连接

明确了每个引脚的位置和功能,方便工程师进行电路连接和布线。

订购信息

文档提供了详细的订购信息,包括产品型号、标记、封装和运输信息。工程师可以根据这些信息进行产品订购。

总结

NXH40B120MNQ1SNG电源模块凭借其高性能的SiC器件、优化的设计、低损耗和环保特性,为太阳能逆变器和不间断电源等应用提供了一个优秀的解决方案。工程师在使用该模块时,需要仔细阅读文档,了解其电气特性、典型特性曲线和机械尺寸等信息,根据实际应用需求进行合理的设计和优化,以充分发挥模块的性能优势。大家在实际使用这款模块时,有没有遇到过一些独特的问题或者有什么特别的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电源模块
    +关注

    关注

    33

    文章

    2045

    浏览量

    95700
  • 三通道
    +关注

    关注

    0

    文章

    27

    浏览量

    12317
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3319

    浏览量

    51729
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    该电路如何实现Q1导通的

    这是网上的一个电路图,解释是说如果C8漏电或输出短路,则在起机瞬间,RT1的压降增大,Q1导通从而使Q2没有栅极电压不导通,RT1进而烧毁,保护后极电路。但我看不懂当RT
    发表于 10-25 11:57

    为什么说Q1Q导通LED亮呢?

    光照时,Q1B极电位很低,经测量为0.37 V,Q1的E极为0 V,Q1的C极为3 V, 根据三极管三个极电位比较,集电极反偏,发射极正偏
    发表于 03-22 13:42

    NXH25T120L2Q1 功率集成模块(PIM) 3通道T型NPC 1200 V 25 A IGBT 650 V 25 A IGBT

    电子发烧友网为你提供ON Semiconductor(ti)NXH25T120L2Q1相关产品参数、数据手册,更有NXH25T120L2Q1的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,NX
    发表于 07-31 08:02

    NXH160T120L2Q1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

    电子发烧友网为你提供ON Semiconductor(ti)NXH160T120L2Q1相关产品参数、数据手册,更有NXH160T120L2Q1的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,
    发表于 07-31 08:02

    NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

    电子发烧友网为你提供ON Semiconductor(ti)NXH240B120H3Q1相关产品参数、数据手册,更有NXH240B120H3Q1的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,
    发表于 07-31 08:02

    NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

    电子发烧友网为你提供ON Semiconductor(ti)NXH80B120H2Q0相关产品参数、数据手册,更有NXH80B120H2Q0的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,NX
    发表于 07-31 08:02

    NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

    电子发烧友网为你提供ON Semiconductor(ti)NXH100B120H3Q0相关产品参数、数据手册,更有NXH100B120H3Q0的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,
    发表于 07-31 07:02

    NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

    电子发烧友网为你提供ON Semiconductor(ti)NXH160T120L2Q2F2S1相关产品参数、数据手册,更有NXH160T120L2Q2F2S1的引脚图、接线图、封装手册、中文资料
    发表于 07-31 07:02

    NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

    电子发烧友网为你提供ON Semiconductor(ti)NXH80B120L2Q0相关产品参数、数据手册,更有NXH80B120L2Q0的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,NX
    发表于 07-31 05:02

    安森美半导体NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块:高功率低功耗

    半导体推出了新的碳化硅功率模块,适用于太阳能逆变器的使用,目前,该产品已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用于他们的M70A三相光伏组串逆变器。 安森美半导体的NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一个1200 V、4
    的头像 发表于 10-20 20:39 2110次阅读

    SiC集成功率模块NXH40B120MNQ,高集成度应用广泛

    设计方面体积可以更小更轻,对产品的设计创新也有很大的帮助。像安森美半导体最近推出的SiC集成功率模块,就被广泛的应用在太阳能逆变器中,广受好评。 NXH40B120MNQ集成度高,引脚分配针对逆变器设计进行了优化,它的全SiC电源模块
    的头像 发表于 11-05 10:13 1954次阅读

    Q1和非Q1器件的TPS54340/360/540/560和TPS54340B/360B/540B/560B之间的差异

    电子发烧友网站提供《Q1和非Q1器件的TPS54340/360/540/560和TPS54340B/360B/540B/560
    发表于 09-13 09:45 0次下载
    <b class='flag-5'>Q1</b>和非<b class='flag-5'>Q1</b>器件的TPS54340/360/540/560和TPS54340<b class='flag-5'>B</b>/360<b class='flag-5'>B</b>/540<b class='flag-5'>B</b>/560<b class='flag-5'>B</b>之间的差异

    onsemi NXH240B120H3Q1:Si/SiC混合模块的卓越性能解析

    在电子工程领域,功率模块的性能直接影响着众多应用的效率和可靠性。今天,我们来深入探讨onsemi的NXH240B120H3Q1 Si/SiC混合模块,它在太阳能逆变器和ESS等应用中展现出了独特的优势。
    的头像 发表于 12-04 10:52 175次阅读
    onsemi <b class='flag-5'>NXH240B120H3Q1</b>:Si/SiC混合模块的卓越性能<b class='flag-5'>解析</b>

    探索 onsemi NXH40B120MNQ0SNG 双升压功率模块的卓越性能

    在电子工程领域,功率模块的性能对于众多应用的效率和可靠性起着关键作用。今天,我们将深入探讨 onsemi 的 NXH40B120MNQ0SNG 双升压功率模块,了解其特点、参数以及典型应用。
    的头像 发表于 12-08 14:09 127次阅读
    探索 onsemi <b class='flag-5'>NXH40B120MNQ0SNG</b> 双升压功率模块的卓越性能

    探索NXH80B120MNQ0SNG双升压电源模块:高效与可靠的完美结合

    在电源模块的选择上,电子工程师们总是在追求更高的效率、更好的可靠性以及更广泛的适用性。今天,我们就来深入了解一款备受关注的电源模块——NXH80B120MNQ0SNG,看看它能为我们的设计带来哪些惊喜。
    的头像 发表于 12-09 10:43 95次阅读
    探索<b class='flag-5'>NXH80B120MNQ0SNG</b>双升压电源模块:高效与可靠的完美结合