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NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

数据:

NXH100B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。
特性 优势
  • IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ
  • 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率
  • 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管
  • 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率
  • SiC整流器规格:VF = 1.44 V
  • 用于高速开关的SiC二极管
  • 焊针和压合销选项
  • 灵活安装
应用 终端产品
  • MPPT提升阶段
  • Bat tery Charger Boost Stage
  • 太阳能逆变器
  • 储能系统

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(4)
元器件购买 NXH100B120H3Q0 相关库存