FT8370A/B/C/CD/CP高性能次边同步整流芯片详细解析（典型电路图）

FT8370x 是 辉芒微推出的次边同步整流驱动器家族，专为 DCM/QR 模式反激转换器设计。系列成员包括：

FT8370A（SOP-8）

FT8370B（SOP-8）

FT8370C（SOP-8）

FT8370CD（DIP-8）

FT8370CP（PSOP-8，带散热焊盘）

共同特点：

内置 同步整流 MOSFET

栅电荷小、导通电阻低、开关速度快

极少外围元件（无需自举电容、肖特基二极管）

输出欠压快速检测，可配合原边 FT8393x 实现 超快动态响应

典型应用：反激次边“极简”示范

工作逻辑：

次级电流正向流动时，内部MOS同步整流，替代肖特基，效率提升3~5%

VDET实时监测输出电压，低于设定值时发送“缺电脉冲”至原边

原边FT8393x收到脉冲后立即提升开关频率/占空比，动态响应<100μs

实测：12V/2A输出，效率从87.1%→91.4%，输出纹波下降40%

管脚定义：一张表看懂所有型号

管脚功能	FT8370A/B/C/CD	FT8370CP	描述
1 DR	1 DR	同步整流MOS驱动输出（接外部MOS栅极，芯片已内置MOS时悬空）
2 VDET	2 VDET	双功能： ① 内部MOS漏源电压检测 ② 输出欠压信号输出（开漏，低有效）
3 NC	3 NC	未连接，可接地或悬空
4 VCC	4 VCC	芯片供电（推荐4.7µF陶瓷到GND）
5,6,7,8 GND	6,7,8 GND	同步整流MOS源极，功率地
7,8 Drain	5 + Exposed PAD	内置MOS漏极，底部散热片即Drain，Layout时需让次边电流“先流经GND脚，再进入Drain”

关键提示：底部散热片（Exposed PAD）= Drain，不能接地！ 必须作为功率节点处理，铺铜面积≥20mm²，打3×3过孔到内层，兼顾散热与电流。

封装差异：如何选对型号？

型号	封装	散热路径	持续电流建议	特点
FT8370A/B/C	SOP-8	通过Drain脚散热	2A	通用型，成本低
FT8370CD	DIP-8	通过Drain脚+引脚散热	2.5A	插件，维修方便
FT8370CP	PSOP-8	底部Drain焊盘散热	3A+	大电流，散热最佳

选型口诀：
2A以下选SOP，3A以上选CP；插件波峰选CD，两层板过EMI选CP。

PCB Layout 4 条铁律

电流路径先GND后Drain
次边电流必须先流经GND（5,6,7,8）脚，再进入Drain散热片，否则芯片误动作。

VDET走线短而远离高压
VDET既做检测又做信号输出，长度<10mm，远离SW与Drain铜皮，防止dV/dt误触发。

VCC去耦电容贴近4脚
4.7µF X7R陶瓷，距离VCC<2mm，GND回路独立，不与功率地共用回流。

底部散热片=Drain节点
铺铜≥20mm²，3×3过孔到内层，不要接地！ 不要接地！ 不要接地！

实测数据：FT8370CP @12V/3A

项目	数值
输入电压	24V DC
输出电压	12V
输出电流	3A
效率	91.8%（原边FT8393x）
输出纹波	60mV
动态响应 0→3A	±120mV，恢复时间<80μs
芯片表面温升	18℃（TA=25℃，无风）

效率提升：同条件肖特基方案仅87.2%，同步整流净增4.6%，整机温降8℃。

常见问题速答

Q1. 可以单独使用FT8370x吗？

→ 可以，芯片自带MOS，无需外接肖特基，但需原边控制在DCM/QR模式。

Q2. VDET怎么接到原边？

→ VDET为开漏输出，通过光耦或电容耦合把“欠电脉冲”送至原边FB或EN脚，详细电路参考FMD官方参考设计。

Q3. 底部散热片能接地吗？
→ 绝对不能！ 它是Drain高压节点，接地即短路，Layout前务必看封装图。

总结：让反激次边“零外设”

FT8370x系列用一颗芯片+一颗电容就把同步整流+欠压告警+散热通道全部搞定，省掉肖特基、省掉自举、省掉检流电阻，效率提升4~6%，BOM减少3颗器件。

审核编辑 黄宇