STMicroelectronics MLPF-WB-01D3 2.4GHz低通滤波器嵌入了一个阻抗匹配网络和谐波滤波器。匹配阻抗网络设计用于最大限度地提高采用UFQFPN和VFQFPN封装的STM32WBxx的RF性能。ST MLPF-WB-01D32.4GHz低通滤波器在非导电玻璃基板上使用IPD技术,优化RF性能。
数据手册:*附件:STMicroelectronics MLPF-WB-01D3 2.4GHz低通滤波器数据手册.pdf
特性
- 在STM32WBxx集成阻抗匹配,采用UFQFPN和VFQFPN封装
- 天线侧标称阻抗为50Ω
- 深度抑制谐波滤波器
- 低插入损耗
- 占位面积小
- 薄型 ≤ 630μm,回流后
- 高RF性能
- 减少RF物料清单和面积
- ECOPACK2合规元器件
引脚分配图

MLPF-WB-01D3 2.4GHz低通滤波器技术解析与应用指南
MLPF-WB-01D3是意法半导体针对STM32WB系列无线微控制器优化的集成式低通滤波器,集阻抗匹配与谐波抑制功能于一体。本文基于数据手册内容,深入解析其关键特性、参数定义及实际设计要点。
一、核心特性与工作原理
1.1 架构特性
- 阻抗匹配集成:专门为STM32WBxx系列的UFQFPN/VFQFPN封装优化输入阻抗匹配,天线端标准阻抗为50Ω
- 谐波深度抑制:提供2次至5次谐波的高衰减能力(2fo典型衰减39dB,5fo典型衰减45dB)
- 微型化封装:采用玻璃基板芯片级封装(CSPG),回流焊后高度≤0.63mm,占板面积仅1.6×1.0mm
1.2 技术原理
该器件基于ST专利的IPD技术,在非导电玻璃基板上实现匹配网络与滤波功能。输入侧匹配STM32WBxx单端阻抗,输出侧直接对接50Ω天线系统,有效简化射频前端设计。
二、关键电气参数解析
2.1 绝对额定值(环境温度25°C)
- 最大输入功率:10dBm
- ESD防护等级:人体放电模式2000V(JESD22-A114-C标准)
- 工作温度范围:-40℃至+105℃
2.2 阻抗特性
- 输入阻抗:匹配STM32WBxx UFQFPN/VFQFPN封装
- 输出阻抗:50Ω(典型值)
2.3 射频性能参数(2400-2500MHz频段)
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.9 | 1.1 | dB | ||
| 输入回波损耗 | 19 | 21 | dB | ||
| 输出回波损耗 | 20 | 21 | dB | ||
| 2次谐波衰减 | 4800-5000MHz | 34 | 39 | dB | |
| 3次谐波衰减 | 7200-7500MHz | 60 | 63 | dB | |
| 4次谐波衰减 | 9600-10000MHz | 53 | 57 | dB | |
| 5次谐波衰减 | 12000-12500MHz | 44 | 45 | dB |
三、封装与装配指南
3.1 封装结构
- 6焊球阵列:底部视图焊球排列为2×3矩阵
- 焊球定义:
- A1: OUT(天线输出)
- A2: GND4(接地)
- A3: IN(STM32WB输入)
- B1: GND3(接地)
- B2: GND2(接地)
- 机械尺寸:主体尺寸1.6×1.0mm,高度0.63mm(典型值)
3.2 PCB设计要点
- 传输线阻抗控制:
- MLPF至天线:50Ω特性阻抗
- STM32至MLPF:67Ω特性阻抗
- 接地优化:器件周边需最大化接地过孔密度
- 焊盘设计:
- 铜焊盘直径:220µm(推荐),180-260µm(允许范围)
- 阻焊开窗:非阻焊定义型320µm,阻焊定义型220µm
3.3 装配工艺规范
- 焊锡膏:推荐无卤素免清洗型,粉末粒径20-38µm
- 贴装精度:±0.05mm标准公差,贴装力度1.0N
- 回流焊曲线:峰值温度240-245℃,液相线以上时间60秒(最大90秒),升温速率0.9℃/s,冷却速率2-3℃/s
四、应用场景与设计建议
4.1 适用协议
4.2 设计检查清单
- 阻抗验证:使用矢量网络分析仪确认传输线阻抗匹配
- 焊盘检查:确保铜焊盘尺寸与阻焊开窗符合规范
- 热管理:严格控制回流焊温度曲线,避免热冲击
- 接地完整性:检查器件周边接地过孔密度与连续性
五、性能优化策略
- 布局对称性:保持焊盘区域布线对称,避免因焊锡流动不均导致的偏斜现象
- 过孔处理:推荐采用填孔工艺替代开孔,精确控制焊锡量
- 材料选择:优先选用ECOPACK2环保兼容材料
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