0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

中科微电MOS管ZK30N100G的技术优势与场景革命

中科微电半导体 2025-10-09 16:49 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

一、型号背后的技术逻辑:高压场景的专属解决方案
中科微电ZK30N100G的型号命名,是对其核心性能的直观注解:“30” 对应30A持续漏极电流(I_D) ,满足中大功率设备的电流承载需求;“100” 代表1000V漏源极击穿电压(V_DS) ,轻松应对工业高压、光伏逆变等高压工况;后缀 “G” 则标志着其采用中科微电自研的优化封装与SGT工艺,为性能释放提供硬件支撑。
作为国产功率半导体的代表性产品,ZK30N100G依托中科微电在台湾研发中心的技术积累,突破了传统MOS管在 “高压与低损耗” 间的矛盾 —— 通过SGT(超级结栅极沟槽)工艺,在实现1000V高耐压的同时,将导通电阻(R_DS (ON))控制在极低水平,这一特性使其在高功率场景中,既能稳定承载电流,又能大幅降低能量损耗。
二、三大核心性能:重新定义高压 MOS 管标准
1. 高压大电流双保险,适配复杂工况
•耐压冗余充足:1000V的V_DS值不仅能应对380V工业电整流后的500V+ 直流母线,更可兼容光伏系统中600-800V的串联电压,即使遭遇电网波动或负载突变,也能避免器件击穿,为电路提供 “安全缓冲”。
•电流承载强劲:30A持续漏极电流可覆盖电机、加热设备等20-30A常规负载,脉冲电流耐受能力更能应对设备启动时的瞬时峰值,解决了传统MOS管 “小电流不够用、大电流扛不住” 的痛点。
2. 低损耗设计,助力能效升级
参考中科微电同系列产品的实测数据,ZK30N100G在10V栅压下的导通电阻(R_DS (ON))可低至行业领先水平。以20A工作电流计算,其功率损耗仅为传统器件的70%—— 在24小时连续运行的工业加热设备中,每年可节省电能消耗约300度;在光伏逆变器中,能将转换效率提升至95.5%以上,直接提升发电收益。
3. 高频响应 + 宽温耐受,适应多场景需求
•开关速度快:纳秒级开关响应可精准匹配PWM调制信号,在电机驱动中实现0-额定转速的无级调速,减少转速波动对机械结构的冲击,让设备运行更平稳。
•环境适应性强:-55℃至150℃的宽温工作范围,使其既能在寒冷地区的户外光伏电站稳定运行,也能耐受工业车间的高温环境;抗静电、抗浪涌设计则进一步降低了复杂工况下的故障概率。
三、场景落地:从实验室到产业的价值兑现
1. 工业加热:控温精准,成本下降
在冶金、化工领域的电窑炉、高频加热机中,ZK30N100G作为核心开关元件,通过调节导通占空比实现5-20kW功率的平滑控制。某钢铁厂应用后,加热炉的控温精度从±5℃提升至±2℃,产品合格率提高3%,同时因损耗降低,每月电费节省约2000元。
2. 光伏逆变:高效转换,收益提升
光伏电池组产生的直流电需经逆变器转换为交流电入网,ZK30N100G的1000V耐压值完美适配多组电池串联场景,30A电流能力满足5-10kW中小功率逆变器需求。在山东某光伏电站的试点中,采用该器件的逆变器,年发电量较使用进口器件提升1.5%,按当地电价计算,每年新增收益约3万元 / 兆瓦。
3. 电机驱动:稳定可靠,寿命延长
在风机、水泵、机床主轴等电机驱动系统中,ZK30N100G可有效抵御电机运行产生的反电动势冲击,降低驱动电路故障概率。某汽车零部件厂将其应用于机床电机驱动后,设备故障率从2.1%降至 0.5%,每年减少停机维护时间约120小时,间接创造产值约50万元。
四、国产替代加速:ZK30N100G的产业意义
过去,高压MOS管市场长期被国外品牌垄断,不仅采购成本高,且供应链稳定性受国际形势影响。中科微电ZK30N100G的推出,实现了 “性能对标进口、价格更具优势”—— 其售价较同规格进口器件低20%-30%,交货周期缩短至15天以内,为国内设备企业提供了 “高性价比 + 稳定供应” 的双重保障。
据行业报告显示,2024年中科微电MOS管在工业领域的渗透率已达12%,其中ZK30N100G凭借适配场景广、可靠性高的优势,成为光伏逆变器、工业电源厂商的 “首选国产器件”。这款产品的成功,不仅印证了国产功率半导体的技术突破,更推动了工业、能源等关键领域的 “自主可控” 进程。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电子元器件
    +关注

    关注

    134

    文章

    3817

    浏览量

    112995
  • 场效应管
    +关注

    关注

    47

    文章

    1287

    浏览量

    70257
  • MOS管
    +关注

    关注

    110

    文章

    2754

    浏览量

    74932
  • 驱动芯片
    +关注

    关注

    13

    文章

    1550

    浏览量

    57667
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    中科电车规MOSZK60G270G:特性解析与应用场景

    ,贯穿动力、电源、安全等关键系统。本篇中科为大家介绍一下中科
    的头像 发表于 09-25 10:53 510次阅读
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b>电车规<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>ZK60G270G</b>:特性解析与应用<b class='flag-5'>场景</b>

    中科N沟道MOSZK60N20DQ技术解析特性、应用与设计指南

    在便携式电子、物联网、小型电机驱动等中小功率场景中,兼具低功耗、快速响应与高可靠性的MOS成为核心器件。ZK60N20DQ作为一款高性能N
    的头像 发表于 09-29 17:45 611次阅读
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>电</b><b class='flag-5'>N</b>沟道<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>:<b class='flag-5'>ZK60N</b>20DQ<b class='flag-5'>技术</b>解析特性、应用与设计指南

    中科ZK60N120G:SGT工艺赋能的高压大电流MOS管标杆

    中科ZK60N120G是一款专为中大功率场景设计的N 沟道增强型功率
    的头像 发表于 10-10 17:51 674次阅读
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>电</b><b class='flag-5'>ZK60N120G</b>:SGT工艺赋能的高压大电流<b class='flag-5'>MOS</b>管标杆

    大功率场景的能效标杆:中科MOSZK100G325TL技术解析

    中科ZK100G325TL以SGT工艺突破损耗瓶颈,用TOLL封装破解体积与散热矛盾,通过100V/411A的参数组合精准切入工业驱动、
    的头像 发表于 10-14 17:00 599次阅读
    大功率<b class='flag-5'>场景</b>的能效标杆:<b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>电</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>ZK100G</b>325TL<b class='flag-5'>技术</b>解析

    100V/245A大功率突破!中科ZK100G245TL SGT MOS重塑工业电源效率

    中科MOS2024年工业领域渗透率已达12%,ZK100G245TL正成为光伏逆变器、工
    的头像 发表于 10-15 10:24 387次阅读
    <b class='flag-5'>100</b>V/245A大功率突破!<b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>电</b><b class='flag-5'>ZK100G</b>245TL SGT <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>重塑工业电源效率

    中科ZK100G200P:100V大电流MOS的性能突破与场景革命

    在功率半导体国产化浪潮中,ZK100G200P凭借“性能对标进口、成本更具优势”的特点,成为打破国际品牌垄断的关键力量。其100V/205A参数组合、SGT工艺带来的高频低损耗特性。
    的头像 发表于 10-15 11:20 399次阅读
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>电</b><b class='flag-5'>ZK100G</b>200P:<b class='flag-5'>100</b>V大电流<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的性能突破与<b class='flag-5'>场景</b><b class='flag-5'>革命</b>

    中科mosZK30N100G 30V 90A

    ZK30N100T是一款采用先进沟槽技术N沟道增强型功率MOSFET,文档从核心特性、关键参数、应用场景、封装与包装、电气及热特性、测试电路、机械尺寸等多维度展开介绍,为该器件的选型
    发表于 10-15 17:54 0次下载

    ZK30N100G:Trench工艺加持的100A低压MOS,重构低压功率控制新生态

    在低压功率电子领域,“大电流承载”与“低损耗运行”始终是终端设备追求的核心目标。中科推出的ZK30N100G N沟道
    的头像 发表于 10-22 10:59 247次阅读
    <b class='flag-5'>ZK30N100G</b>:Trench工艺加持的<b class='flag-5'>100</b>A低压<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>,重构低压功率控制新生态

    中科ZK200G120P:SGT工艺赋能的功率MOS管标杆

    中科深耕功率半导体领域11年,依托深厚的技术积淀与项目经验,推出的ZK200G120P N
    的头像 发表于 10-25 11:10 253次阅读
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>电</b><b class='flag-5'>ZK200G</b>120P:SGT工艺赋能的功率<b class='flag-5'>MOS</b>管标杆

    中科ZK200G120B:源厂技术赋能的中低压MOS性能标杆

    在工业自动化、新能源汽车、通信电源等中低压功率场景中,功率MOS的性能直接决定系统的能效、可靠性与成本控制。作为国产功率半导体源厂的代表性产品,中科
    的头像 发表于 10-25 11:32 192次阅读
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>电</b><b class='flag-5'>ZK200G</b>120B:源厂<b class='flag-5'>技术</b>赋能的中低压<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>性能标杆

    SGT工艺赋能大功率器件:中科ZK100G325B MOS深度解析

    中科作为国内功率半导体领域的领军企业,凭借多年技术沉淀推出的ZK100G325B N沟道
    的头像 发表于 10-28 11:54 168次阅读
    SGT工艺赋能大功率器件:<b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>电</b><b class='flag-5'>ZK100G</b>325B <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>深度解析

    SGT工艺加持下的高效功率器件:中科ZK150G09T MOS全面解读

    损耗与稳定性,成为行业研发的核心课题。中科作为国内功率半导体领域的技术先行者,凭借对SGT(屏蔽栅沟槽)工艺的深度钻研,推出了ZK150G
    的头像 发表于 10-28 12:03 197次阅读
    SGT工艺加持下的高效功率器件:<b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>电</b><b class='flag-5'>ZK150G</b>09T <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>全面解读

    双向控制赋能低压场景中科ZK4030DS MOS技术解析与应用探索

    一、参数解构:N+P双沟道的性能优势在低压功率电子领域,对器件双向电流控制能力、电压适配性及能效的要求日益严苛,中科
    的头像 发表于 10-28 15:34 275次阅读
    双向控制赋能低压<b class='flag-5'>场景</b>:<b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>电</b><b class='flag-5'>ZK</b>4030DS <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>技术</b>解析与应用探索

    中科ZK30N140T:Trench工艺加持的低压大电流MOS新标杆

    在功率半导体领域,中科凭借多年技术积淀,持续推出契合市场需求的核心器件。针对低压大电流场景中“功率与体积难兼顾、效率与成本难平衡”的行业
    的头像 发表于 10-31 14:55 217次阅读
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>电</b><b class='flag-5'>ZK30N</b>140T:Trench工艺加持的低压大电流<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>新标杆

    中科ZK40N100G:Trench工艺+紧凑封装,中低压大电流场景新标杆

    在功率半导体器件向“高效化、小型化、高可靠性”转型的趋势下,中科推出的N沟道MOS
    的头像 发表于 11-17 11:19 276次阅读
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>电</b><b class='flag-5'>ZK40N100G</b>:Trench工艺+紧凑封装,中低压大电流<b class='flag-5'>场景</b>新标杆