中科微电半导体

动态

• 发布了文章 2025-11-27 15:48

  MOSFET：电子世界的“开关大师”与技术演进

  

  在现代电子设备的核心部件中，金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）无疑是当之无愧的“开关大师”。从智能手机的芯片到新能源汽车的动力控制系统，从光伏逆变器到工业机器人，MOSFET以其高效的开关特性和稳定的控制性能，支撑着整个电子信息产业的运转。对于电子工程相关专业的学生和行业从业者而言，深入理解MOSFET的技术本质、发展脉络与应用逻辑，既是夯实专

  MOS管 场效应管 电子元器件 驱动芯片

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• 发布了文章 2025-11-25 14:38

  ZK3080T：低压大电流场景下的功率器件标杆

  

  在功率电子技术飞速发展的今天，元器件的性能直接决定了电子设备的可靠性、效率与安全性。ZK3080T作为一款在低压大电流领域表现突出的功率器件，其“30V/80A”的核心参数组合、TO-252封装设计以及±20%的参数精度控制，使其成为消费电子、汽车电子、工业控制等领域的优选元器件。深入剖析ZK3080T的技术特性、应用价值与使用要点，对于电子工程师优化电路设

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• 发布了文章 2025-11-17 11:19

  中科微电ZK40N100G：Trench工艺+紧凑封装，中低压大电流场景新标杆

  

  在功率半导体器件向“高效化、小型化、高可靠性”转型的趋势下，中科微电推出的N沟道MOS管ZK40N100G，凭借40V耐压、90A大电流的硬核参数，搭配Trench（沟槽）工艺与PDFN5x6-8L紧凑封装，精准破解中低压场景下“大电流承载、低能耗、小体积”的核心痛点，成为消费电子、工业控制、汽车电子等领域的优选解决方案。本文将从参数解析、技术优势、场景落地

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• 发布了文章 2025-11-07 17:27

  低压大电流新选择：ZK40N190G MOSFET的技术优势与应用价值

  

  在新能源、工业控制、汽车电子等领域的快速发展中，低压大电流场景对功率器件的承载能力、散热性能和可靠性提出了越来越高的要求。ZK40N190G作为一款采用Trench沟槽工艺的N沟道MOSFET，以40V耐压、190A超大电流承载能力及PDFN5x6-8L封装优势，精准匹配低压大电流功率变换需求，成为众多高功率密度设备的核心功率器件选择。

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• 发布了文章 2025-11-06 16:52

  能量调控的精巧使者：ZK68N80T MOSFET的特性与价值

  

  在电力电子系统的精密架构中，MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）始终占据着核心地位，它们如同能量流转的“闸门”，精准控制着电流的通断与强弱。ZK68N80T这款N沟道MOSFET，以其明确的性能标识、优化的封装设计和先进的制造工艺，成为众多设备中不可或缺的“能量调控使者”，在方寸之间演绎着高效与可靠的双重担当。

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• 发布了文章 2025-11-06 16:25

  功率器件MOS管中的实干家：ZK100G120B的性能优势与场景赋能

  

  在布满精密元件的电路板上，功率器件就像“能量调度官”，负责电能的高效传输与精准控制。ZK100G120B这款标注着“100V、120A、SGT、TO-263-2L”的器件，没有华丽的外观，却以扎实的参数配置和可靠的性能表现，在中低压功率场景中占据重要地位。当我们深入解读它的各项参数密码，便能发现它成为众多工程师首选的核心原因。

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• 发布了文章 2025-11-06 14:49

  中科微电ZK40P80G：小封装大能量的P沟道MOS管新选择

  

  中科微电推出的ZK40P80G P沟道MOS管，突破性地将-80A大电流、-40V高耐压与PDFN5x6-8L紧凑封装相结合，搭配1.5mΩ低导通电阻与成熟Trench工艺，为小型化、高功率密度设备提供了理想的功率解决方案。

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• 发布了文章 2025-11-06 14:35

  ZK40P80T：P沟道MOS管中的高功率性能担当

  

  中科微电深耕功率器件领域，针对P沟道器件的应用痛点，推出了ZK40P80T这款高性能P沟道MOS管，以-40V耐压、-80A电流的强劲参数，搭配1.5mΩ低导通电阻与成熟Trench工艺，为反向电压控制、电池管理等场景提供了高效可靠的解决方案，重新定义了中低压P沟道MOS管的性能标准。

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• 发布了文章 2025-11-06 13:44

  中科微电ZK150G002P：高耐压大电流N沟槽MOS管的性能突破

  

  在功率半导体器件的迭代浪潮中，N沟槽MOS管凭借其优异的开关特性与电流控制能力，成为高功率电子系统的核心组成部分。当市场对器件的耐压等级、电流承载能力提出更高要求时，一款兼具150V高耐压、200A大电流与3.5毫欧低导通电阻的N沟槽MOS管——ZK150G002P应运而生。它不仅精准契合了新能源、工业控制等领域的严苛需求，更以硬核参数彰显了功率半导体技术的

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• 发布了文章 2025-11-05 16:30

  ZK40N100G：PDFN封装赋能的中低压大电流MOS管标杆

  

  在中低压功率电子系统的设计中，MOS管的电流承载能力、封装尺寸与能效表现，是决定产品竞争力的核心要素。ZK40N100G作为一款高性能N沟道MOS管，以40V耐压、90A大电流、PDFN5x6-8L紧凑封装及Trench工艺加持，精准适配消费电子、新能源、工业控制等领域的大功率需求，成为兼顾“强性能、小体积、高效率”的优选器件，为电路设计突破空间与能效瓶颈提

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