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博世PCIM Asia 2025精彩回顾

博世汽车电子事业部 来源:博世汽车电子事业部 2025-09-30 14:42 次阅读
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2025 年 9 月 26 日,PCIM Asia 2025 圆满落幕!本届展会作为亚洲电力电子领域的重磅平台,吸引了来自全球的功率半导体企业共襄盛举。博世以明星碳化硅解决方案为核心,从芯片到模块集中呈现创新实力,彰显凭借垂直整合能力带来的卓越性能与可靠性。

本次展会上,博世展台吸引了超过 2,500 人次的专业观众参观,逾 500 人次观看了博世汽车电子视频号的线上技术直播。众多合作伙伴就博世碳化硅产品的技术细节、应用前景及商务合作与博世德国和中国专家展开了热烈的探讨。

更多展台亮点,小编带你继续回顾。

亮点展区

在全球电气化浪潮中,博世始终以技术引领者的姿态走在前沿。本次展区精彩纷呈,集中展示了博世的碳化硅明星产品组合。凭借前瞻性的技术创新和高质量的制造交付,每一款产品都凝聚着对卓越的追求,旨在为客户创造最佳产品体验。

碳化硅 MOSFET

新型碳化硅电源开关是专门为汽车应用设计的。碳化硅半导体具有更高的功率密度和效率。更低的能量损耗、更高的开关频率和更小的芯片面积,使其在电动汽车的使用中更具吸引力。博世提供 1200V 和 750V 两种电压等级的双通道碳化硅沟槽 MOSFET。并拥有自主知识产权的碳化硅技术,独立完成碳化硅的研发、生产及检测。博世对碳化硅 MOSFET 技术在性能、可靠性和稳健性以及易用性方面进行了优化。第二代产品改进了高温下的导通电阻、开关表现、内置栅极电阻及布局。750V 的产品已在 2023 年量产,1200V 的产品则在 2024 年量产,后续将量产的第三代产品会进一步巩固领先地位。

碳化硅功率模块

1. 碳化硅功率模块 PM6 系列

博世碳化硅功率模块 PM6 在当前最小体积下实现了最大的功率密度。PM6 平台有多种输出电流选择,具备出色的可靠性。该模块采用博世第二代碳化硅芯片,通过主电流路径中创新的无键合、无焊接 AIT 设计,将陶瓷基板覆盖在芯片上下两面,构造低电阻和可靠的夹层结构。AMB 直接焊接至散热器,实现低热阻,同时兼容标准门驱动器。通过 CTE2 匹配的 AIT 结构,PM6 支持更大温度变化范围,进一步提升整体可靠性与功率密度。

2.紧凑型碳化硅功率模块 CSL

博世碳化硅功率模块 CSL 涵盖了电动汽车大众市场的主要需求。凭借可扩展的功率范围,博世 CSL 功率模块提供了最大的灵活性:800V 母线电压下,电流范围可以覆盖 410 Arms - 500 Arms;400V 母线电压下,电流范围可覆盖 640 Arms - 800 Arms。该产品具备较小的杂散电感(<6nH),以及较好的均流能力(一个桥臂上不同芯片温度差可控制在3℃以内),性能领先市场。

电流型栅极驱动芯片 EG12x

EG12x 是一款专为驱动高压 SiC 或 IGBT 栅极设计的驱动 IC,主要应用于新能源汽车的牵引逆变器。该驱动器采用电容耦合技术,在低压和高压领域之间提供电气隔离。EG12x 可以通过多种分段式栅极驱动电流曲线进行配置,以实现各种工况下开关损耗和过冲之间的平衡,从而有效提高电控系统的整体效率。

此外,EG12x 集成了完备的故障保护功能,有效减少了系统所需的物料清单中的元器件数量,从而在确保安全标准的前提下降低了整体成本并简化了系统设计。

精彩活动

硬核直播及技术演讲

博世展位舞台持续精彩,硬核直播及福利互动火热进行,为观众带来功率电子的满满干货。博世专家分别就碳化硅 MOSFET、碳化硅功率模块、EG120 栅极驱动芯片及博世雇主品牌人才发展的主题进行了深入分享,线上线下反响热烈。

技术论坛

9 月 24 日,博世功率半导体产品管理总监 Anne Bedacht 博士在 PCIM 展商论坛上发表了题为“博世碳化硅产品及优势 —— 助力中国新能源汽车发展,满足客户需求”的演讲。博世作为全球领先的一级供应商,自 2021 年起在中国领先车企实现 SiC MOSFET 的量产,累计交付超 5700 万颗高质量芯片。依托专利沟槽技术,博世不断提升性能,提供规模化产能以满足客户需求,全面支持中国电动汽车的发展。

9 月 25 日,博世功率半导体技术专家 Steffen Beushausen 分享了“博世碳化硅技术及卓越可靠性:保障新能源汽车长期安全高效运行”的主题演讲。Steffen 介绍了博世在功率电子领域的的市场地位、量产成果、技术优势及产能布局,并着重讲解了博世碳化硅卓越的性能优势。凭借优异的宇宙射线鲁棒性,器件能够在超过额定击穿电压的瞬态条件下工作,从而实现更快的开关速度。

学术交流

9月24日,博世高级客户项目经理方岚及功率半导体专家周雯琪携博世功率电子最新研究成果参与了 PCIM 墙报交流环节,分享了最前沿的学术洞见。

周雯琪的学术论文“A Robust and Reproducible Gate Charge Measurement Approach for SiC MOSFET Characterization” 荣获“Excellent Poster Award”。

博世是全球少数具备自研并量产碳化硅功率半导体能力的汽车零部件供应商之一,至今已在该领域深耕逾 20 年。凭借垂直整合的独特优势,博世能够精准理解客户需求,严苛验证产品性能,并持续推动技术创新。博世碳化硅将继续携手客户,共创智能电驱新时代!

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原文标题:聚焦功率电子,博世 PCIM Asia 2025 圆满落幕!

文章出处:【微信号:AE_China_10,微信公众号:博世汽车电子事业部】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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