安森美亮相PCIM Asia 2025

PCIM Asia 2025近日火爆开幕，在人潮涌动的展会现场，安森美（onsemi）展台强大的“电力”脉冲，从为下一代AI数据中心注入动力的澎湃芯脏，到驱动电动汽车驰骋的硬核支撑，再到赋能工业自动化的精密控制，展示了业界领先的Si和SiC等智能技术如何赋能美好未来。

AI 数据中心区：小身材驱动大算力

走进AI数据中心展区，映入眼帘的是安森美为推动下一代AI数据中心供电的硬核Demo以及合作伙伴解决方案展示，这种技术能力的广度和深度，让安森美成为少数能满足现代AI基础设施严苛供电需求的公司之一 。

12kW AI云计算电源单元（PSU）

作为展台上的明星展品，一个集中式设施，通过几个关键阶段运行：AC-DC转换、电池备份单元（BBU）、热插拔和中间总线转换器（IBC）、电源分配。这款电源单元通过集成先进的M3S MOSFET与SiC JFET器件，具备更高的开关频率和更强的热管理能力，确保了卓越的性能，是现代AI数据中心的理想解决方案 。

3kW全桥LLC

输入380-420Vdc，输出40-60Vdc，巴掌大的身材（166.1×107×41mm）里藏着全套安森美“芯”脏，从NCP13994控制器到FDMT800152DC晶体管，电力十足还超省心。

3kW图腾柱PSU SiC

85-230Vac宽幅输入，稳定输出48Vdc，300×180×54mm的尺寸里藏着安森美NCP1681图腾柱PFC等一众黑科技，散热效率直接拉满。

3kW 250kHz LLC

250kHz满负荷狂飙，比传统方案小30%，SiC加持让电力转换快到飞起，其中NCP4390 LLC谐振转换器用控制器全程控场，紧凑又能打。

40W AI服务器辅助电源

专为现代AI数据中心设计，走高频高密度路线，26.4W/in³的功率密度超亮眼。180-305Vac单相输入，稳定输出12V、3A，峰值效率超88%，峰值功率可达50W，从高频QR反激控制器，到高性能同步整流控制器，再到集成栅极驱动的GaN FET，全套安森美产品组合发力，让辅助供电也能高效又可靠～

电动汽车区：电动化的硬核支撑

穿梭到电动汽车展区，我们看到了安森美以车载能源转换、驱动控制到整车配电的完整技术矩阵，呈现面向下一代电驱系统的高能效、高功率密度与高安全平台能力。

车载充电器（OBC）方案

这款方案采用了创新的M3S EliteSiC技术，通过DAB结构实现交流到直流的转换 ，完美契合未来电动汽车的发展需求。在11kW功率下，它能实现97.2%的峰值系统效率，并且功率密度高达2.3 kW/L（含外壳），显著减少了无源器件的使用 。

主驱逆变器及配套方案

M3e EliteSiC可实现2.1mΩ的Rsp，基于M3e EliteSiC技术的最新功率模块，实现了超高功率密度。安森美自主研发的基于M3e EliteSiC的B2S模块具备低于4nH的杂散电感，并且支持螺丝与压接两种便捷安装方式。安森美还提供配套的隔离式栅极驱动器，核心驱动器NCV51755支持15A峰值电流，并满足ISO-26262 ASIL-D功能安全等级 。

PowerTrenchT10 MOSFET

采用Top Cool封装技术的安森美 PowerTrenchT10 MOSFET，专为汽车等对能效、可靠性要求高的应用而打造，Top Cool封装可进一步提高散热效率。

汽车区域架构方案

在汽车区域架构应用领域，安森美的SmartFET产品融合了SmartGuard特性。这一方案支持可调节的I²t保护，可替代多种保险丝；提供容性负载安全充电模式；并具备低静态电流模式，有效支持车载OTA软件更新。

汽车LED大灯控制方案

随着软件定义车辆SDV的趋势日益显著，高度集成的前灯控制系统方案实现了利用10BASE-T1S对汽车前灯的精确控制，通过MCU-less架构实现区域控制，包括每个灯光功能都可以通过图形用户界面（GUI）进行控制，提供了高度灵活的头灯配置。

汽车线控趣味互动区

利用汽车线控技术，取消机械连接，将操作指令转化为电信号，通过ECU驱动执行机构，能够更好地支持自动驾驶功能，同时搭配专属驾舱，为体验者提供更精准的转向控制和更灵活的驾驶体验。

工业展区：高效与安全的双重保障

在工业应用展区中，安森美展示了从能源转换、存储到电力控制的全场景解决方案，以宽电压适配、高可靠保护与高能效表现，支撑工业领域的数字化与低碳化升级。

100kW直流超快充电模块（DCFC）

为缩短电动汽车的充电时间，业界正在转向直流快速充电桩和超快速充电桩。安森美的100kW直流超快充电模块采用先进的SiC MOSFET技术与液冷散热系统，兼具卓越性能、超高效率与宽电压范围。它支持双向功率流，效率高达97% ，能满足电动巴士和电动卡车等商用电动车的双向快速充电需求 。

SiC Combo JFET 电子断路器

相较于传统机电式断路器，电子断路器在响应速度、使用寿命和功能扩展性等方面均具备显著优势。安森美的SiC Combo JFET将一个SiC JFET和一个低压Si MOSFET集成到一个封装中，在满足小尺寸需求的同时，还具有高性能的常关特性。得益于SiC优异的材料特性和JFET的高效结构，该器件可实现更低的导通电阻和更佳的热性能。

SPM 31智能功率模块

安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他领先解决方案更低的整体系统成本。这些IPM改进了热性能、降低了功耗，支持快速开关速度，非常适用于三相变频驱动应用，如伺服驱动控制、热泵、商用暖通空调系统等。

灵巧手传感方案

安森美为灵巧手提供的全方位传感解决方案，涵盖电感定位、视觉/深度感知、超声波与力/压力检测，配合单对以太网与电机驱动，实现高精度导航、安全交互与复杂操作，赋能工业自动化应用。

Treo产品墙与SiC产品墙

Treo产品墙展示了基于该平台的10BASE-T1S以太网、超声波传感器、控制器等产品，体现模块化架构如何帮助客户简化设计流程，加快开发，并在精度、性能和能效方面实现显著提升。

SiC产品墙则完整呈现从6/8英寸SiC 晶圆、PowerTrenchT10 MOSFET、EliteSiC 分立器件到 PIM/APM 模块的全链条布局，展示了安森美作为全球少数能提供从衬底到模块的端到端SiC方案供应商，从核心材料到系统级方案的自主整合实力。