Texas Instruments JFE2140 N沟道JFET数据手册

Texas Instruments JFE2140 N沟道 JFET是Burr-Brown™ 匹配对分立式JFET，采用TI的高性能模拟双极工艺制造而成。JFE2140在所有电流范围内均具有出色的噪声性能，用户可将静态电流设置为50μA至20mA。当偏置为5mA时，JFE2140产生0.9nV/√Hz的输入参考噪声，从而实现了超低噪声性能和极高的输入阻抗 (> 1TΩ)。此外，JFET之间的匹配经过测试达到 ±4mV，确保了差分对配置的低失调和高CMRR性能。

数据手册：*附件：Texas Instruments JFE2140 N沟道JFET数据手册.pdf

此外，TI JFE2140 N沟道JFET还设有连接到独立钳位节点的集成二极管，确保无需添加高漏电流、非线性外部二极管即可提供保护。

JFE2140可承受40 V高漏极-源极电压，指定温度范围为–40°C至+125 °C。该器件允许栅极到源极和栅极到漏极电压低至-40V。

特性

• 超低噪声：
  • 电压噪声：
    • 0.9nV/√Hz（1kHz，IDS = 5mA时）
    • 1.1nV/√Hz（1kHz，IDS = 2mA时）
  • 电流噪声：1.6fA/√Hz（1 kHz时）
• 低VGS 失配：4mV（最大值）
• 低栅极电流：10pA（最大值）
• 低输入电容：13pF（VDS = 5V时）
• 高栅极至漏极和栅极至源极击穿电压：–40V
• 高跨导：30mS
• SOIC和2mm × 2mm WSON封装

简化示意图

功能框图

Texas Instruments JFE2140 N沟道JFET数据手册总结‌

‌1. 产品概述‌
JFE2140是德州仪器（TI）推出的超低噪声、匹配双通道N沟道JFET，专为高精度音频和传感器应用设计。其核心特性包括：

• ‌超低噪声‌：1kHz时电压噪声低至0.9 nV/√Hz（5mA偏置），电流噪声1.6 fA/√Hz。
• ‌高匹配精度‌：栅源电压失配最大4mV，提升差分电路共模抑制比（CMRR）。
• ‌低栅极电流‌：≤10 pA，适合高阻抗信号源（如麦克风、水听器）。
• ‌宽工作范围‌：支持-40°C至+125°C温度，栅源/栅漏耐压-40V。

‌2. 关键参数‌

• ‌电气特性‌：
  • 输入电容13 pF（VDS=5V），跨导30 mS。
  • 饱和电流IDSS典型值18 mA，击穿电压VDSS 40V。
• ‌封装选项‌：8引脚SOIC（4.9×6 mm）和WSON（2×2 mm）。

‌3. 应用场景‌

• ‌音频设备‌：麦克风前置放大、吉他放大器、专业调音台。
• ‌传感器接口‌：水听器、振动监测传感器。
• ‌差分电路‌：凭借高匹配性优化差分放大器性能。

‌4. 功能设计‌

• ‌集成保护二极管‌：通过VCH/VCL引脚实现输入过压钳位，无需外部二极管。
• ‌工作模式‌：支持线性区（电阻特性）和饱和区（跨导放大），VGSC为截止电压阈值。

‌5. 典型电路‌

• ‌共源放大器‌：通过RS调节偏置电流，RD设置增益（公式：增益≈-gm·RD/(1+gm·RS)）。
• ‌复合放大器‌：结合运放（如OPA1692）提升增益精度和带宽。
• ‌差分前端‌：搭配全差分运放（如OPA1637）实现高CMRR。

‌6. 布局建议‌

• 缩短输入走线，避免与电源/输出线平行。
• 关键信号采用保护环设计，PCB清洗后需85°C烘烤除湿。