Texas Instruments DRV8231 33V H桥驱动器是一款集成电机驱动器,具有N沟道H桥、电荷泵、电流检测反馈、电流调节和保护电路。电荷泵通过支持N沟道MOSFET半桥和100%占空比驱动来提高效率。
数据手册:*附件:Texas Instruments DRV8231 33V H桥驱动器驱动器数据手册.pdf
DRV8231通过比较ISEN引脚上电流检测分流电阻器上的模拟输入VREF和电压来进行电流调节。限流能力可显著降低电机启动和失速情况下的大电流。
低功耗休眠模式通过关断大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。内部保护特性包括电源欠压闭锁、输出过流和器件过热。Texas Instruments DRV8231是一系列器件的一部分,具有引脚对引脚、可扩展R DS(on) 和电源电压选项,支持各种负载和电源轨,设计变化极小。
特性
- N通道H桥有刷直流电机驱动器
- 工作电源电压范围:4.5V至33V
- 引脚对引脚、R
DS(on)、电压和电流检测/调节型号(外部分流电阻器和集成电流镜) - 集成电流调节
- 低功率睡眠模式
- <1µA(V
VM=24V,TJ=25°C时)
- <1µA(V
- 小型封装尺寸和占位面积
- 8引脚WSON,带PowerPAD™,2.0mm × 2.0mm
- 8引脚HSOP封装,带有PowerPAD™,4.9mm × 6.0mm
- 集成保护特性
- VM欠压闭锁 (UVLO)
- 自动重试过流保护 (OCP)
- 热关断 (TSD)
功能框图

DRV8231 H桥电机驱动器技术解析与应用指南
一、产品概述
Texas Instruments的DRV8231是一款集成电流调节功能的3.7A有刷直流电机驱动器,采用N通道H桥设计,具有4.5V至33V的宽工作电压范围。该器件提供两种电流检测/调节变体:外部分流电阻和集成电流镜版本(DRV8231A),满足不同应用场景的需求。
关键特性:
- 峰值输出电流能力达3.7A
- PWM控制接口,支持1.8V/3.3V/5V逻辑输入
- 集成电流调节功能,有效限制启动和堵转电流
- 低功耗睡眠模式(<1µA@VVM=24V)
- 小型封装选项:2.0×2.0mm WSON或4.9×6.0mm HSOP
- 完善的保护功能:欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)和热关断(TSD)
二、核心技术解析
1. H桥驱动架构
DRV8231采用全N沟道MOSFET H桥设计,典型RDS(on)为600mΩ。其内置电荷泵支持100%占空比驱动,通过四个N沟道MOSFET实现双向电机控制。控制逻辑简单,只需两个数字输入(IN1/IN2)即可实现:
- 正转(IN1=1, IN2=0)
- 反转(IN1=0, IN2=1)
- 制动(IN1=1, IN2=1)
- 滑行/休眠(IN1=0, IN2=0)
2. 电流调节技术
该器件的突出特点是集成电流调节功能,通过比较VREF电压与ISEN引脚上的分流电阻压降来实现。电流调节阈值计算公式为:
ITRIP = 10 × (VREF / RSENSE)
这种设计可显著降低电机启动和堵转时的大电流,保护电机和驱动电路。当不使用电流调节时,ISEN引脚可直接接地。
3. 保护机制
DRV8231集成了三重保护电路:
- 欠压锁定(UVLO) :VM电压低于4.05V(下降阈值)时禁用输出
- 过流保护(OCP) :电流超过3.7A时触发自动重试机制
- 热关断(TSD) :结温超过150°C时关闭输出,40°C滞后恢复
三、典型应用设计
1. 电机驱动电路设计
关键元件选型:
PCB布局建议:
- 将ISEN走线作为Kelvin连接,减少测量误差
- 功率回路面积最小化以降低EMI
- 热焊盘充分连接至接地平面
2. 堵转检测方案
通过外接电流检测放大器(如TLV6001)监测ISEN电压,可实现智能堵转检测:
3. 继电器驱动应用
DRV8231同样适合驱动单/双线圈闭锁继电器:
四、选型指南
DRV8231属于TI有刷电机驱动器系列,与其他型号对比如下:
| 型号 | 电压范围(V) | RDS(on)(mΩ) | 电流调节方式 |
|---|---|---|---|
| DRV8870 | 6.5-45 | 565 | 外部分流电阻 |
| DRV8251 | 4.5-48 | 450 | 外部分流电阻 |
| DRV8231 | 4.5-33 | 600 | 外部分流电阻 |
| DRV8231A | 4.5-33 | 600 | 集成电流镜(IPROPI) |
五、应用领域
DRV8231广泛应用于需要精密电机控制的场景:
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