仁懋MOT9166T产品特点及应用

仁懋产品T9166T特点

低导通阻抗Rds(on):6.7(type)

内置体二极管反向恢复时间148ns

超低反向电容Crss低至346pf@40V

高浪涌能量EAS达2500mJ

外挂仁懋MOT9166T的N MOS

宽工作温度范围:-55~175℃

采用 trench工艺使得Id可达81A@100℃

封装:拥有8脚TOLL以及TOLT双面散热等封装可实现P 2 P

能实现在浪涌事件中不间断供电，实现负载系统的可持续运行

MOT9166T应用领域

电机、BMS系统

高压直流配电系统

工业、汽车系统浪涌保护

主要参数——外挂仁懋MOT9166T的优点

1. 高EAS

仁懋MOT9166T具高EAS特点，其高达2500mJ 的EAS是的，其在电机、BMS、浪涌防护等需要高浪涌能量承受能力的应用场景中如鱼得水；

2.低导通阻抗

仁懋MOT9166T具有低导通阻抗的特点，使得其在搭配LTC433组成主动浪涌防护电路时，能够进一步降低整个系统能耗提高功率转换；

3.低反向传输电容

仁懋MOT9166T具有低反向传输电容，这是的仁懋MOT9166T在过压事件中能够实现快速电压钳位进而保护后级电路；

4.电流部分

仁懋MOT9166T具有高达114A@25℃以及81A@100℃的导通电流，这使得仁懋MOT9166能在各式各样环境实现高功率应用

5.工作环境温度

仁懋MOT9166T具有宽工作温度特点，这使得能在相对恶劣环境中也能应用自如；

6.封装

仁懋MOT9166T具有拥有8脚TOLL以及TOLT双面散热等先进封装既可实现传统TOLL的P 2 P，同时也能实现高散热性。

仁懋电子公司介绍

⼴东仁懋电⼦有限公司创始于2011年，是国内知名的半导体封装测试⾼新技术企业，国家级专精特新企业“⼩巨⼈”企业，深圳市瞪羚企业，致⼒于为全球电⼦制造企业提供优质半导体元器件产品。发展⾄今，仁懋电⼦拥有两⼤⽣产基地：珠三⻆惠州⼚及⻓三⻆江苏盐城⼚，建筑⾯积为60000平⽅⽶，⽬前封装测试⻋间⾯积为40000平⽶，主要封装形式为SOT、TO系列、PDFN产品封装。随着公司的投⼊和⼯艺技术不断优化，品质稳步提升，先后与业界知名企业建⽴战略合作关系，已发展

成为全国颇具竞争⼒的功率器件封测企业。