仁懋电子

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• 发布了文章 2025-10-28 09:30

  仁懋电子高压平面MOS技术在电力行业的应用

  

  随着科技的不断发展，电力行业对高压功率器件的需求日益增长。作为一家国产功率器件生产原厂，仁懋电子一直致力于研发和生产MOS系列产品，其高压平面MOS有MOT5N50、MOT4N65、MOT7N65、MOT10N65、MOT12N65等200多款型号不同电压选择（具体参照产品型号表）。仁懋电子高压平面MOS的特点高压平面MOS（Metal-Oxide-Semi

  MOS 半导体 电子电力

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• 发布了文章 2025-10-24 10:23

  功率MOSFET在电源板上参数解读

  

  功率MOSFET在电源板上参数解读

  MOS 半导体

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• 发布了文章 2025-10-15 17:41

  高功率密度65W氮化镓快充方案：仁懋MOS 1145G开启快充新纪元

  

  在快充技术飞速发展的今天，65W功率档位已成为市场主流，而氮化镓技术的出现，正在重新定义充电器的尺寸与效能边界。仁懋电子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能为65W氮化镓快充方案注入了全新动能。突破性的性能表现仁懋MOT1145G同步整流NMOS采用先进的沟槽工艺，具备100V耐压`和4.4mΩ的超低导通电阻，电流承载能力高达90A。这一突破性参

  MOS 仁懋电子 氮化镓

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• 发布了文章 2025-09-27 10:17

  基于仁懋MOSFET的直流电机驱动电路：栅极电阻选型与VGS波形优化

  

  PART01栅极电阻在MOSFET驱动中的核心作用在直流电机驱动电路中，MOSFET作为功率开关器件，其栅极与源极之间存在等效电容（Ciss=Cgd+Cgs),栅极电阻（Rg）的主要作用包括：1.限制栅极驱动电流：防止驱动芯片输出过大电流损坏MOSFET栅极氧化层（通常栅极电压不超过±20V）2.控制开关数度：通过调节Rg阻值改变栅极充电/放电速度，影响MO

  MOS MOSFET 仁懋电子 直流电机

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• 发布了文章 2025-09-17 17:47

  仁懋MOT9166T产品特点及应用

  

  仁懋产品T9166T特点低导通阻抗Rds(on):6.7(type)内置体二极管反向恢复时间148ns超低反向电容Crss低至346pf@40V高浪涌能量EAS达2500mJ外挂仁懋MOT9166T的NMOS宽工作温度范围:-55~175℃采用trench工艺使得Id可达81A@100℃封装:拥有8脚TOLL以及TOLT双面散热等封装可实现P2P能实现在浪涌

  MOT 二极管 仁懋电子

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• 发布了产品 2025-09-16 14:42

  MOT5N50BD

  

  产品型号：MOT5N50BD

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• 发布了文章 2025-09-12 11:32

  85V-265V全球电压通吃！仁懋芯风扇灯方案

  

  一颗“中国芯”的全球之旅：仁懋方案如何撬动风扇灯外贸市场从安第斯山脉的民居，到东南亚的商超，中国制造的风扇灯正凭“可靠”二字照亮世界。而这份稳定的光芒背后，离不开来自仁懋的“电力心脏”。全球消费者正用订单为中国风扇灯投票，在这片火热的出口赛道中，产品能否实现长久稳定的运行，已成为品牌脱颖而出的关键。决定这些的，往往是隐藏在灯具内部、不被普通消费者察觉的供电核

  仁懋电子 电压

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• 发布了产品 2025-09-09 14:29

  MOT4N90F

  

  产品型号：MOT4N90F

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• 发布了产品 2025-09-09 14:27

  MOT4N80F

  

  产品型号：MOT4N80F

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• 发布了产品 2025-09-09 14:23

  MOT4N80D

  

  产品型号：MOT4N80D

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