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Diodes推出超低RDS 100V PowerDI8080-5封装汽车级N沟道MOSFET

Diodes 达迩科技半导体 来源:Diodes 达迩科技半导体 2026-04-03 15:48 次阅读
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Diodes公司(Diodes)(Nasdaq:DIOD)推出行业领先的超低RDS(ON)100V MOSFET,扩充其PowerDI8080-5汽车级*N沟道MOSFET产品组合。与新型40V至80V MOSFET一同推出,所有8mm x 8mm海鸥翼引线器件均设计用于最大限度降低导通损耗、减少热量产生,并提升整体效率。其应用涵盖电池电动汽车(BEV)、混合动力汽车(HEV)及内燃机(ICE)平台中的无刷直流(BLDC)和直流-直流(DC-DC)转换系统。

工程师可利用100V额定电压DMTH10H1M7SPGWQ,最大1.5mΩ的RDS(ON),用于48V无刷直流(BLDC)电机驱动应用,例如动力转向与制动系统。其他高功率应用包括电池断开开关和车载充电器(OBC)。设计人员还可以选择额定电压为80V的DMTH81M2SPGWQ。

40V额定DMTH4M40SPGWQ最大RDS(ON)为0.4mΩ,处于行业领先水平,适用于12V无刷直流(BLDC)电机及直流-直流(DC-DC)应用。40V额定逻辑型MOSFET DMTH4M40LPGWQ在栅源电压(VGS)为4.5V时可提供低至0.64mΩ的RDS(ON),适用于低电压、微控制器驱动汽车应用,如执行器/风扇控制及负载开关,且不牺牲导通状态损耗。60V额定DMTH6M70SPGWQ为24V应用提供高性能表现。

PowerDI8080-5封装的PCB占板面积仅64mm²,约为传统TO-263(D2PAK)封装面积的40%,且封装高度仅为1.7mm,使其非常适合小占板面积应用。此外,铜夹片芯片键合技术可将热阻(RthJC)降至最低0.3°C/W,使漏极电流可达847A且无损坏风险。海鸥翼引线结构促进自动光学检测(AOI),并提升温度循环可靠性,支持稳健的汽车制造工艺。

另提供标准合规版本,适用于工业及商业应用。

关于Diodes Incorporated

Diodes公司(Nasdaq:DIOD)为汽车、工业、计算、消费电子通信市场的全球领先企业提供高质量半导体产品。我们拥有丰富的产品组合,包括模拟电源解决方案,通过灵活的混合生产模式,满足客户需求。我们提供各类专用产品,通过完整解决方案形式销售,可在全球范围内获得工程、测试、制造与客户服务支持,这使得Diodes成为高增长市场的优质供应商。更多信息请访问www.diodes.com。

*汽车级合规-通过AEC认证,在获得IATF 16949认证的工厂生产,并支持PPAP文件。

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原文标题:Diodes推出行业领先的100V PowerDI®8080-5封装 MOSFET,低 RDS(ON)助力实现48V汽车系统的高效率设计

文章出处:【微信号:Diodes 达迩科技半导体,微信公众号:Diodes 达迩科技半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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