LM195QML功率晶体管技术文档总结
LM195 是一款快速、单片功率集成电路，具有完全过载 保护。该器件充当高增益功率晶体管，在芯片上包含 电流限制、功率限制和热过载保护使其几乎不可能 从任何类型的过载中销毁。
包含热限制，这是分立设计中不容易获得的功能， 提供几乎绝对的过载保护。功耗过大或不足 散热会导致热限制电路关闭器件，防止过度 加热。
*附件：lm195qml.pdf
LM195 显着提高了可靠性并简化了功耗 电路。在某些保护异常困难的应用中，例如开关 正常功耗较低的稳压器、灯或电磁阀驱动器，LM195 尤其如此 有利。
LM195 易于使用，只需遵守一些预防措施。收集器过多 与任何功率晶体管一样，发射极电压会损坏 LM195。当设备用作 具有低源阻抗的发射极跟随器，需要串联插入一个 5.0K 电阻 与基极引线一起防止可能的发射极跟随器振荡。虽然设备是 通常作为发射极跟随器稳定，电阻器消除了出现故障的可能性，而没有 性能下降。最后，由于它具有良好的高频响应，因此电源旁路是 推荐。
特性
- 内部热限制
- 大于 1.0A 的输出电流
- 3.0 μA 典型基极电流
- 500 ns 开关时间
- 2.0V 饱和度
- 底座可驱动至 40V 而不会损坏
- 直接与 CMOS 或 TTL 接口
- 100% 电老化
参数
方框图
1. 产品概述
LM195QML是德州仪器（TI）推出的高可靠性单片功率集成电路，集成了过载保护功能，可作为高增益功率晶体管使用。关键特性包括：
- 内部热限制保护
- 输出电流＞1.0A
- 典型基极电流3.0μA
- 500ns开关速度
- 2.0V饱和电压
- 兼容CMOS/TTL直接驱动
- 100%电老化测试
2. 核心功能
- 三重保护机制：电流限制、功率限制、热过载保护，确保器件在极端条件下不被损坏。
- 热限制优势：通过自动关断防止过热，特别适用于开关稳压器、灯/螺线管驱动等低功耗场景。
- 高频响应：需配合电源旁路电容使用，建议在基极串联5.0kΩ电阻以抑制射极跟随振荡。
3. 技术参数
- 极限工作条件：
- 集电极-发射极电压：42V
- 工作温度范围：-55°C至+125°C
- 热阻（TO封装）：192°C/W（静态空气）
- 电气特性：
- 饱和电压（IC=1A）：≤2V
- 基极电流（VBE≤42V）：≤5μA
- 响应时间（开关）：≤1.8μs
4. 典型应用电路
5. 封装与质量认证
- 封装形式：TO-5（3引脚）
- 军用标准：符合MIL-STD-883 Method 5005 Group A测试规范
- 环保认证：RoHS兼容
6. 设计注意事项
- 避免集电极-发射极过压
- 高频应用需注意PCB布局与散热
- 静电敏感器件，存储时需短路引脚或使用导电泡沫
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