‌LM185-1.2QML 电压基准二极管技术文档总结

LM185-1.2 是一款微功率 2 端子带隙稳压二极管。 经营 在 10μA 至 20mA 电流范围内，它具有极低的动态阻抗和良好的温度稳定性。片上微调用于提供严格的电压容差。由于LM185-1.2 带隙基准电压源仅使用晶体管和电阻器，噪声低，长期稳定性结果。

LM185-1.2 的精心设计使该器件对电容性负载具有特殊的耐受性，使其易于在几乎任何参考应用中使用。宽动态作范围允许其与各种电源一起使用，并具有出色的调节能力。
*附件：lm185-1.2qml-sp.pdf

LM185-1.2 的功耗极低，可用于微功率电路。该基准电压源可用于制造便携式仪表、稳压器或通用模拟电池寿命接近保质期的电路。

此外，宽工作电流使其能够用更严格的参考电压源替换旧基准电压源公差部分。

特性

• 工作电流为10μA至20mA
• 1Ω最大动态阻抗（典型值）
• 低温系数
• 辐射合格选项
  • 100 克拉德
  • 低剂量率测试为 10 mrad/s

参数

方框图

‌1. 产品概述‌
LM185-1.2QML 是一款微功耗两端带隙电压基准二极管，由德州仪器（TI）设计，适用于严苛环境（如航空航天、军事应用）。其核心特性包括：

• ‌工作电流范围‌：10μA 至 20mA
• ‌低动态阻抗‌：典型值 1Ω
• ‌温度稳定性‌：低温度系数
• ‌辐射耐受性‌：通过 100 krad 低剂量率测试（10 mrad/s）

‌2. 关键特性‌

• ‌电压基准‌：
  • 反向击穿电压（VRef）范围：1.205V 至 1.26V（根据电流条件）
  • 正向偏置电压（VF）：-1.0V 至 -0.4V（IF = 2mA）
• ‌动态性能‌：
  • 电流变化下的电压稳定性（ΔVRef/ΔIR）：±1mV（10μA–1mA）
  • 噪声电压低，长期稳定性优异

‌ 3. 辐射性能（RLQV 型号） ‌

• 辐射后参数变化：
  • 反向击穿电压漂移 ≤ ±3%（100 krad 测试）
  • 动态阻抗变化 ≤ ±15mV（10μA–1mA 范围）

‌4. 封装与可靠性‌

• ‌封装选项‌：
  • TO-CAN（2引脚）、CFP（10引脚）、CLGA（10引脚）
  • 工作温度范围：-55°C 至 +125°C
• ‌质量控制‌：符合 MIL-STD-883 标准（Group A/B 测试）

‌5. 典型应用电路‌

• ‌微功耗基准源‌：支持 1.5V/9V 电池供电设计（静态电流低至 30μA）
• ‌温度测量‌：用于精密温度计（如 0°C–100°C 线性输出）
• ‌电流源‌：可生成 1μA–1mA 的稳定电流

‌6. 修订与版本‌

• 文档版本 SNVS384B（2014年1月修订），包含辐射测试数据更新。
• 提供军用（QML）和航天级（QML-SP）认证版本。

‌7. 附加信息‌

• ‌封装尺寸‌：提供详细机械图纸（如 TO-CAN 的 NDU0002A 封装）。
• ‌订购型号‌：支持多种后缀（如 LM185H-1.2/883、LM185WG-1.2/883）。

‌总结‌：LM185-1.2QML 是一款高精度、低功耗的电压基准器件，适用于极端环境下的精密电子系统，其辐射硬化和宽温性能使其成为航空航天及军事应用的理想选择。