快充电源芯片U8609的主要特征

发电、输电、储电和用电的各个环节需要更智能、更高效的能源管理，才能更好实现降低能源消耗、低碳化的愿景。功率半导体技术则是这一链条各环节的核心所在。GaN技术的一个典型应用是，提升智能手机和笔记本电脑的充电器效率和功率密度。在GaN FET驱动市场，有这么一颗广受关注的快充电源芯片U8609，推荐给各位小伙伴！

快充电源芯片U8609是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U8609采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。

在手机充电器的应用中，电池与充电器之间一般会通过一定长度的电缆相连，由此也将导致输送到电池端的电压产生一定的电压降。快充电源芯片U8609内置线损补偿功能，根据负载的变化调整线损补偿量，从而使得线缆输出端获得平直的恒压输出曲线。线损补偿的最大值为输出电压的3%。

快充电源芯片U8609主要特征：

● 原边反馈控制，无需光耦和TL431

● 集成700V GaN FET驱动

● 集成高压启动功能

● 谷底锁定QR模式

● 最高工作频率130kHz

● 外置环路补偿

● 驱动电流分档配置

● 内置线损补偿

● 集成完善的保护功能

● 输出短路保护(FB SLP)

● 输出过压保护(FB OVP)

● 输入欠压保护(Line BOP)

● 输入过压保护(Line OVP)

● 过温保护(OTP)

● VDD过欠压保护和钳位保护

● 封装形式 DASOP-7

快充电源芯片U8609采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，U8609采用了谷底锁定工作模式，在负载一定的情况下，导通谷底数稳定，系统无噪音。

快充电源芯片U8609搭配同步整流芯片的电源方案，尽可能减少功率转换环节的损耗，设计简约化，降低成本，实现更优异的性能指标！