方正微HPD SiC MOS模块FA120P002AA(1200V 2.1mΩ)是一款专为新能源车主驱逆变器设计的高性能SiCMOS功率模块,旨在提供高效、可靠的主驱电控解决方案。
该模块SiCMOS芯片采用自研平面工艺,性能、可靠性处于行业领先水平,封装采用芯片银烧结、DTS等先进工艺,确保产品在高压、高功率及各种恶劣工况、环境下都能稳定可靠运行。
模块简介:
FA120P002AA模块内部拓扑为三相全桥,同时集成了热敏电阻(NTC)以监测温度;该模块控制端子具有开尔文引脚,能在SiC MOSFET高速开关时抑制电压尖峰,保证高频开关应用的安全与可靠。

方正微HPD模块FA120P002AA图片和内部全桥拓扑图
主要参数:

模块特点:
采用方正微电子自研自产车规级SiC MOS芯片;
模块满足AQG-324可靠性标准;
同时芯片加严质量要求,关键可靠性项目可轻松通过3000h认证,3倍于行业通用车规认证要求;
采用高性能Si3N4陶瓷绝缘,高热导率,并通过直接液冷PinFin基板实现了高效散热,Rthjf=0.112°C/W;
模块内芯片布局合理紧凑,降低了功率回路路径,有效减小了寄生电感~8nH,可降低电压尖峰、电压震荡、开关损耗、EMI噪声等;
满足绝缘耐受电压测试:DC,4.3kV,t=1s;
芯片击穿电压BV(Ids=1mA)>1450V,可轻松满足高电压平台应用;
芯片采用银烧结和DTS工艺,提升了模块的可靠性和寿命。
应用测试:
针对新能源汽车主驱应用场景,FA120P002AA模块进行了电机台架的多工况测试,以模拟模块在电控系统中的性能表现,包括波形、芯片温度、堵转、循环工况、老化等。也采用了较严苛的条件运行,850V母线电压,开关频率12kHz,冷却液流量8L/min、50%水+50%乙二醇、冷却液温度70℃,芯片结温最高≈175℃。

方正微FA120P002AA模块电机台架运行芯片结温图

方正微FA120P002AA电机台架波形图
综上,FMIC推出的HPD 1200V 2.1mΩ SICMOS模块具有出色的性能,可为新能源纯电汽车、混合电动汽车等主驱逆变器提供最优解。
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原文标题:方正微电子高性能1200V2.1mΩ HPD SiC MOS模块
文章出处:【微信号:FMIC_Founder,微信公众号:深圳方正微电子有限公司】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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