方正微电子:2025年车规SiC MOS年产能将达16.8万片

10月16日，方正微电子宣布，作为第三代半导体领域的IDM（集成设备制造）企业，公司现拥有两个生产基地（fab）。其中，Fab1已实现每月9000片6英寸SiC（碳化硅）晶圆的产能，预计到2024年底将增至1.4万片/月，并在2025年具备年产16.8万片车规级SiC MOS的生产能力。同时，GaN（氮化镓）产能已达4000片/月。此外，方正微电子还计划在2024年底启动Fab2的8英寸SiC生产线，长远规划产能为每月6万片。值得注意的是，方正微电子目前所建成的车规级SiC MOS生产能力在中国位居首位。

方正微电子的产品线已全面覆盖新能源汽车的各种应用场景，包括主驱逆变控制器、OBC（车载充电机）、DC/DC转换器、空调压缩机以及充电桩等。特别是其车规级1200V SiC MOS产品，已在新能源汽车主驱控制器上实现大规模应用。

方正微电子表示，其车规级1200V SiC MOS全系产品的性能已达到国际主流水平。以1200V/16mΩ和1200V/20mΩ的主驱控制器应用芯片为例，这些芯片在Vgs（栅源电压）、Rds（漏源电阻）、Igs（栅极启动电流）、Idss（漏源饱和电流）、Rth（热阻）和Qg（栅极电荷）等核心性能指标上，均可与国际高端新能源车所应用的SiC MOS产品相媲美，部分指标甚至更为领先，完全满足新能源汽车的应用需求。

另外，方正微电子的1200V工规级SiC MOS/SiC SBD（肖特基势垒二极管）系列产品自2023年一季度起已开始大规模量产，广泛应用于光伏、储能、充电、UPS（不间断电源）以及工业电源等领域，至今已出货超过4万片SiC晶圆。