格罗方德受邀参加Leti创新日活动

近日，在由法国原子能与替代能源委员会-电子与信息技术研究所（CEA-Leti）主办的Leti 创新日活动（Leti Innovation Day）上，格罗方德（GlobalFoundries）副总裁Jamie Shaeffer受邀发表了题为“人工智能核心芯片：从云端到边缘（Essential Chips for AI: from the cloud to the edge）”的主旨演讲。他在演讲中表示，格罗方德正在构建一个协同增效的云边端生态系统，旨在赋能更强大的AI学习与推理能力，推动自动驾驶、医疗健康、机器人技术和工业自动化等领域实现更高生产力的AI应用。

云端领域

为连接更多图形处理单元（GPU）以构建更强大的人工智能模型，需采用更高数据速率的硅光子技术（Fotonix）和光网络技术；

为实现数据中心的可持续供电和降低二氧化碳排放，需利用氮化镓（GaN）、BCDLite和FinFET技术，实现低传输损耗的电力传输和快速瞬态响应的电压调节；

为构建更强大的领域专用计算架构，需借助格罗方德新设立的先进封装与光子中心提供的芯片组装和先进封装技术。

云端与边缘端的协同领域

通过锗硅（SiGe）、射频SOI及FDXFD-SOI等高性能射频技术，构建支持AI快速高效处理海量数据集的高速网络；

边缘节点与传感器的海量设备互联，依赖FDX和FinFET实现的超低功耗无线连接；

分布式智能系统需要支持5G FR2/FR3毫米波、6G、WiFi8/9、车联网（V2X/A2X）、卫星通信（SatComm）和太赫兹（THz）等新频段标准，构建跨系统、跨域设备的可靠通信架构。

边缘端领域

个性化AI体验通过嵌入式非易失存储器（eFlash/eRRAM/eMRAM）实现神经网络权重存储，使设备能基于用户偏好和行为模式提供定制化服务，并通过本地数据处理保障隐私安全;

低功耗边缘计算采用超低功耗FD-SOI和FinFET技术，结合高能效AI运算IP设计，实现实时推理与自主决策;

AI数据分析的驱动力来自多功能传感器解决方案，包括摄像头、红外传感器、麦克风和雷达。

格罗方德的核心芯片创新突破晶体管尺寸限制，构建覆盖云端至边缘的全栈技术赋能体系。