格罗方德2025年度技术峰会北美站成功举办

格罗方德2025年度技术峰会（GlobalFoundries Technology Summit 2025, GTS 2025）北美站于8月28日在美国加利福尼亚州圣克拉拉市成功举办。本次峰会期间，格罗方德宣布了一系列令人瞩目的技术成果与战略合作进展，包括：

携手芯科科技（Silicon Labs）推动Wi-Fi连接技术规模化发展

推出公司迄今为止性能最高的锗硅平台——130纳米互补双极型CMOS（CBIC）平台

发布配备电阻式随机存取存储器（RRAM）技术的22FDX+平台

格罗方德正以强大的技术实力和前瞻性的战略布局打造差异化的核心芯片，助力半导体行业的创新生态发展。

携手芯科科技推动行业领先

Wi-Fi连接技术规模化发展

格罗方德与低功耗无线技术领军企业芯科科技宣布，双方基于40纳米工艺技术的合作取得重大里程碑——采用格罗方德40LP平台制造的芯科科技Wi-Fi芯片累计出货量已突破1000万颗。此次在40LP平台上实现无线系统级芯片（SoC）的大规模量产，其中包括芯科科技的SiWX917 Wi-Fi 6芯片，为下一代高性能、高能效的联网设备奠定了基础。

此次合作的核心在于格罗方德丰富多样且性价比高、功能强大的CMOS解决方案组合，这些方案为下一代边缘设备提供了恰到好处的功能特性。格罗方德经过硅验证的40LP制程技术，在待机模式下具有低漏电特性，能够支持低功耗、持续在线的智能设备。40LP平台是格罗方德先进传感技术产品组合中的关键组成部分，可提供出色的信噪比，确保实时监测时数据的精准捕获。

推出面向高性能智能移动设备、通信及工业应用的130CBIC 锗硅（SiGe）平台

格罗方德宣布其130纳米互补双极型CMOS（CBIC）平台正式投入生产，这是公司迄今为止性能最高的锗硅技术。目前，该平台已提供工艺设计套件（PDK）供设计使用。130CBIC平台凭借NPN晶体管ft/fmax超过400 GHz、PNP晶体管超过200 GHz的卓越性能，成为唯一能够满足智能手机、无线基础设施、光网络、卫星通信和工业物联网等多个关键市场需求的高性能锗硅平台。

130CBIC平台将由格罗方德位于佛蒙特州伯灵顿的工厂研发并制造，该平台经过优化，可在降低成本的同时，突破连接应用中射频（RF）性能的极限。对于蜂窝智能手机而言，该平台支持的低噪声放大器（LNA）能够在保持超低噪声系数的同时，降低电流消耗，从而有助于减少电池电量损耗。在数据中心领域，该平台的高性能PNP晶体管支持创新的放大器拓扑结构，能够在较低功耗下实现高增益带宽，适用于高速模拟和光网络。此外，该平台还支持频率超过100GHz的先进毫米波（mmWave）工业雷达应用，能够在更小的封装尺寸内实现高分辨率传感和距离测量。

发布适用于无线连接与人工智能应用的22FDX+ RRAM技术

格罗方德推出配备RRAM技术的22FDX+平台，这标志着公司在嵌入式非易失性存储器（eNVM）解决方案领域取得了重大进展。全新的RRAM技术与高性能、超低功耗的22FDX平台相结合，为无线微控制器和人工智能物联网（AI IoT）应用的代码存储提供了安全、低延迟、高密度的嵌入式存储器。

格罗方德的嵌入式RRAM采用行业验证的氧化铪电阻式随机存取存储器（OxRAM）技术设计，具备低成本、低功耗读写、高耐久性和出色的数据保持能力等优势。与格罗方德增强型22FDX平台实现片上集成后，可提升数据保留能力、可靠性和安全性，同时提高电源效率，打造出紧凑型SoC解决方案。

格罗方德此次公布的一系列技术成果彰显了格罗方德在技术研发与创新方面的卓越能力。