0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

这笔钱花的值!单价1.2亿刀,中芯国际拿下EUV光刻机

dKBf_eetop_1 来源:未知 作者:伍文辉 2018-05-20 10:32 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

据业内最新消息,全球最大的芯片机器制造商、荷兰的AMSL证实,中国向荷兰订购一台最新型的使用EUV(极紫外线)技术的芯片制造机器光刻机,订货单位是中芯国际(SMIC)。这也几乎花掉了中芯国际2017年的所有利润,该公司去年的净利润为1.264亿美元。

不过在大家了解到 EUV 设备有多重要之后,就知道这笔钱花的有多值了。

EUV 作为现在最先进的光刻机,是唯一能够生产 7nm 以下制程的设备,因为它发射的光线波长仅为现有设备的十五分之一,能够蚀刻更加精细的半导体电路,所以 EUV 也被成为“突破摩尔定律的救星”。从2019年半导体芯片进入 7nm 时代开始(现在我们处于 10nm 时代),EUV 光刻机是绝对的战略性设备,没有它就会寸步难行。

在半导体工艺进入10nm节点之后,制造难度越来越大,传统的193nm紫外光刻机也难以为继,EUV极紫外光刻机成为突破制程工艺的关键。

光刻机曾经也是日本佳能、尼康公司的重要产品,不过现在的高端光刻机已经被ASML垄断,在EUV光刻机上更是独一份。日经新闻亚洲版今天报道称,中芯国际(SMIC)已经向ASML公司订购了一台EUV光刻机,单价1.2亿美元,预计在2019年初交付。

此前英特尔三星、台积电以及GF都向ASML下了EUV订单,其中台积电订购了大约10台,三星订购了大约6台,英特尔今年会引入3台EUV光刻机,GF也下了订单,不过日经新闻没提到具体数量。

中国公司能买先进的光刻机?很多人听到这个消息可能不太相信,因为网上一直有传闻称中国公司因为瓦森那协定的关系一直被禁止采购先进光刻机。对于这个问题,网上有很多争议也有很多解答了,日经新闻报道的中芯国际采购EUV光刻机其实也不是新闻了。

去年台媒电子时报采访过中ASML中国区总经理金泳璇,后者辟谣称ASML光刻机并没有禁运问题,该公司对所有客户都一视同仁,不存在有钱买不到的问题。他还透露了已经有中国客户洽谈购买EUV光刻机,如果订单确认的话,那么最快在2019年就会有EUV光刻机进入中国晶圆厂,ASML对此表示乐观。

两边对比的话,这家中国公司就是中芯国际,虽然该公司的14nm工艺要到2019年初才能量产,不过国内有需求EUV光刻机的几乎只有他们了,2017年中芯国际表示他们已经在预研7nm工艺了,订购一台EUV光刻机做研究也是很正常的。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    339

    文章

    31480

    浏览量

    267644
  • 中芯国际
    +关注

    关注

    27

    文章

    1458

    浏览量

    68169
  • 光刻机
    +关注

    关注

    31

    文章

    1202

    浏览量

    49075
  • EUV
    EUV
    +关注

    关注

    8

    文章

    615

    浏览量

    89019

原文标题:单价1.2亿刀!中芯国际拿下EUV光刻机!

文章出处:【微信号:eetop-1,微信公众号:EETOP】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    中国打造自己的EUV光刻胶标准!

    其他工艺器件的参与才能保障芯片的高良率。   以光刻胶为例,这是决定芯片 图案能否被精准 刻下来的“感光神经膜”。并且随着芯片步入 7nm及以下先进制程芯片 时代,不仅需要EUV光刻机,更需要
    的头像 发表于 10-28 08:53 7278次阅读

    俄罗斯亮剑:公布EUV光刻机路线图,挑战ASML霸主地位?

      电子发烧友网报道(文/吴子鹏) 在全球半导体产业格局光刻机被誉为 “半导体工业皇冠上的明珠”,而极紫外(EUV光刻技术更是先进制程芯片制造的核心。长期以来,荷兰 ASML 公
    的头像 发表于 10-04 03:18 1.1w次阅读
    俄罗斯亮剑:公布<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻机</b>路线图,挑战ASML霸主地位?

    集成电路制造工艺的COAG技术介绍

    在半导体先进制程的跨代演进,我们往往将目光聚焦于光刻机EUV)的波长抑或是晶体管架构(从Planer到FinFET到GAA到CFET)的变革。
    的头像 发表于 04-14 11:41 468次阅读
    集成电路制造工艺<b class='flag-5'>中</b>的COAG技术介绍

    垄断 EUV 光刻机之后,阿斯麦剑指先进封装

    电子发烧友网综合报道 当全球半导体产业陷入 “先进制程竞赛” 的白热化阶段,极紫外(EUV光刻机作为高端芯片制造的 “皇冠上的明珠”,成为决定产业格局的核心力量。荷兰阿斯麦(ASML)作为全球唯一
    的头像 发表于 03-05 09:19 2874次阅读

    泽攸科技 | EBL和EUV光刻机有何区别?如何影响半导体行业?

    从技术路径上看,电子束光刻和大家熟悉的EUV光刻并不是同一类问题的解法。电子束光刻本质上是一种直接写入技术,利用聚焦电子束在抗蚀剂上逐点曝光,通过电磁控制精确描绘图形。这种方式不依赖掩
    的头像 发表于 01-06 16:49 1171次阅读
    泽攸科技 | EBL和<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻机</b>有何区别?如何影响半导体行业?

    国产高精度步进式光刻机顺利出厂

    近日,深圳稳顶聚技术有限公司(简称“稳顶聚”)宣布,其自主研发的首台国产高精度步进式光刻机已成功出厂,标志着我国在半导体核心装备领域取得新进展。 此次稳顶聚出厂的步进式
    的头像 发表于 10-10 17:36 2903次阅读

    【「AI芯片:科技探索与AGI愿景」阅读体验】+半导体芯片产业的前沿技术

    %。至少将GAA纳米片提升几个工艺节点。 2、晶背供电技术 3、EUV光刻机与其他竞争技术 光刻技术是制造3nm、5nm等工艺节点的高端半导体芯片的关键技术。是将设计好的芯片版图图形转移到硅晶圆上的一种精细
    发表于 09-15 14:50

    今日看点丨全国首台国产商业电子束光刻机问世;智元机器人发布行业首个机器人世界模型开源平台

    全国首台国产商业电子束光刻机问世,精度比肩国际主流   近日,全国首台国产商业电子束光刻机"羲之"在浙大余杭量子研究院完成研发并进入应用测试阶段。该设备精度达到0.6nm,线宽
    发表于 08-15 10:15 3264次阅读
    今日看点丨全国首台国产商业电子束<b class='flag-5'>光刻机</b>问世;智元机器人发布行业首个机器人世界模型开源平台

    全球市占率35%,国内90%!上微装第500台步进光刻机交付

      电子发烧友网综合报道,近日,上海上微装科技股份有限公司(简称:上微装,英文简称:AMIES)第500台步进光刻机成功交付,并举办了第500台 步进光刻机 交付仪式。    
    发表于 08-13 09:41 2650次阅读
    全球市占率35%,国内90%!<b class='flag-5'>芯</b>上微装第500台步进<b class='flag-5'>光刻机</b>交付

    今日看点丨佳能再开新光刻机工厂;中国移动首款全自研光源芯片研发成功

        时隔21年,佳能再开新光刻机工厂   日前,据《日本经济新闻》报道,佳能在当地一家位于栃木县宇都宫市的半导体光刻设备工厂举行开业仪式,这也是佳能时隔21年开设的首家新光刻机厂。佳能宇都宫工厂
    发表于 08-05 10:23 2380次阅读

    光刻机实例调试#光刻机 #光学 #光学设备

    光刻机
    jf_90915507
    发布于 :2025年08月05日 09:37:57

    佳能9月启用新光刻机工厂,主要面向成熟制程及封装应用

    7 月 31 日消息,据《日经新闻》报道,日本相机、打印机、光刻机大厂佳能 (Canon) 位于日本宇都宫市的新光刻机制造工厂将于 9 月正式投入量产,主攻成熟制程及后段封装应用设备,为全球芯片封装
    的头像 发表于 08-04 17:39 1126次阅读

    中科院微电子所突破 EUV 光刻技术瓶颈

    极紫外光刻(EUVL)技术作为实现先进工艺制程的关键路径,在半导体制造领域占据着举足轻重的地位。当前,LPP-EUV 光源是极紫外光刻机所采用的主流光源,其工作原理是利用波长为 10.6um 的红外
    的头像 发表于 07-22 17:20 1451次阅读
    中科院微电子所突破 <b class='flag-5'>EUV</b> <b class='flag-5'>光刻</b>技术瓶颈

    改善光刻图形线宽变化的方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

    的应用。 改善光刻图形线宽变化的方法 优化曝光工艺参数 曝光是决定光刻图形线宽的关键步骤。精确控制曝光剂量,可避免因曝光过度导致光刻胶过度反应,使线宽变宽;或曝光不足造成线宽变窄。采用先进的曝光设备,如极紫外(
    的头像 发表于 06-30 15:24 1281次阅读
    改善<b class='flag-5'>光刻</b>图形线宽变化的方法及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    ASML官宣:更先进的Hyper NA光刻机开发已经启动

    电子发烧友网综合报道,日前,ASML 技术高级副总裁 Jos Benschop 表示,ASML 已携手光学组件独家合作伙伴蔡司,启动了 5nm 分辨率的 Hyper NA 光刻机开发。这一举措标志着
    发表于 06-29 06:39 2200次阅读