伍尔特电子推出WE-HCMD高电流多相双路耦合电感

在为处理器设计电源时，研发工程师面临着日益严苛且快速变化的负载瞬态需求——例如AI应用中使用的FPGA，随之激发了TLVR（跨电感稳压器）的技术革新，同时催生出对新一代元器件的需求：即使在高温环境与最大电流条件下，仍能保持极佳的可靠性、稳定性与高效率。

伍尔特电子（WürthElektronik）推出专为TLVR拓扑结构而开发的WE-HCMD高电流多相双路耦合电感。采用锰锌磁芯的线圈具有高磁导率和极低直流电阻特性，因此能实现优异的功率密度和超高效率。

在终端应用中，新款电感的快速瞬态响应能力和低压降表现尤为突出，还能通过减小电容的标称输出容量，有效降低应用成本并节省空间。

WE-HCMD电感是专为突发负载瞬变的TLVR应用而设计的理想器件选择，具有以下优势：

耦合系数最高可达0.98

电感值范围70nH-200nH

饱和电流高达190A（额定电流78A）

内阻低至0.125mΩ

工作温度高达125°C

锰锌磁芯，选用高磁导率材料

典型应用领域包括：CPU主板的多相电压调节器、FPGA、GPU、AI芯片、服务器以及大功率ASIC等应用场景。

内部测试表明，在高负载导致的高温工况下，该电感相比市面现有方案展现出显著优化的稳定性。直接对比测试中，卓越的电流稳定性及更高效率表现尤为突出。

WE-HCMD TLVR专用SMT电感系列目前可提供四种0910封装型号与六种1111封装型号，现已开放现货供应，无最小起订量限制，并可支持免费样品。