0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

开启焊机高效时代:国内首发400V SiC肖特基二极管B3D120040HC深度解析

杨茜 来源:jf_33411244 作者:jf_33411244 2025-05-23 06:07 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

碳化硅逆变焊机输出整流应用的革新之选:国内首发400V SiC肖特基二极管B3D120040HC深度解析

wKgZPGgvoDiAHy7xAAT2vz1hhcQ010.png

引言:碳化硅技术引领焊机高效化浪潮

随着电力电子技术向高频化、高效化迈进,碳化硅(SiC)器件凭借其优异的物理特性,正在逐步取代传统硅基器件。在逆变焊机领域,输出整流环节的效率与可靠性直接影响整机性能。BASiC Semiconductor基本半导体推出的国内首款400V SiC肖特基二极管B3D120040HC,以其卓越的电气性能和热管理能力,为焊机设计者提供了全新的解决方案。

倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块,碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片,SiC功率模块驱动板,驱动IC)分销商,聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向,致力于服务中国工业电源,电力电子装备及新能源汽车产业链。

wKgZO2gvoDmAQRtwABEd1flQArY594.jpg

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级!

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头:

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势!

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势!

倾佳电子杨茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势!

核心优势:B3D120040HC的六大技术亮点

零反向恢复电流,降低开关损耗
传统硅快恢复二极管(FRD)在关断时存在反向恢复电流(IRRIRR​),导致显著的开关损耗。而B3D120040HC基于SiC肖特基结构,实现了零反向恢复电流,可将开关损耗降低90%以上,尤其适合高频逆变焊机(20kHz以上)的整流应用。

高温稳定性,提升系统可靠性
在Tc​=135℃时,B3D120040HC仍可输出120A连续正向电流,且正向压降(VF​)具有正温度系数(25℃时1.48V,175℃时1.8V),有效避免电流集中导致的局部过热,适配焊机长时间高负载工况。

电容电荷(QC​=172nC),支持高频化设计
总电容电荷仅为172nC,结合极低的反向恢复电荷(Qrr​=0),显著降低高频开关下的容性损耗。这使得焊机可进一步提升开关频率,缩小磁性元件体积,降低系统成本。

卓越热管理能力,简化散热设计
热阻(Rth(j−c)​)低至0.18K/W,配合TO-247-3封装的高效散热路径,可在175℃结温下稳定运行。对比传统方案,散热器体积可缩减30%以上,助力焊机小型化。

高浪涌电流耐受性,增强鲁棒性
非重复浪涌电流(IFSM​)在25℃时达300A(10ms半正弦波),即使面对焊机启停或短路瞬态冲击,仍能保障系统安全。

EMI优化,简化滤波设计
零反向恢复特性与低电容电荷有效抑制高频振荡和电磁干扰(EMI),减少输出滤波电路复杂度,降低整机BOM成本。

wKgZPGgvoDmAP4nwAAjWOaA3A-c655.jpg

应用场景:逆变焊机输出整流的性能跃升

在逆变焊机中,B3D120040HC可无缝替代传统硅FRD,具体优势如下:

高频化设计:支持50kHz以上开关频率,显著减小输出电感和变压器体积,提升功率密度。

效率提升:实测对比显示,在40kHz/200A工况下,整机效率提升2%~3%(典型值),降低能耗与运行成本。

可靠性增强:175℃高温下仍保持低漏电流(IR=100μA@1200V),避免热失控风险。

国内首发意义:打破技术壁垒,赋能本土制造

B3D120040HC的推出标志着国产SiC器件在高压大电流领域实现突破。其本土化生产不仅缩短供应链周期,还可降低综合成本15%~20%,助力国内焊机厂商在全球市场竞争中占据技术制高点。

结语:开启焊机高效时代

BASiC Semiconductor基本半导体B3D120040HC凭借零反向恢复、高温稳定性与低损耗特性,为碳化硅逆变焊机的输出整流树立了新标杆。其国内首发不仅填补了市场空白,更为本土高端装备制造注入强劲动能。在“双碳”目标驱动下,SiC技术的普及将加速焊机行业向绿色高效转型。


审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 二极管
    +关注

    关注

    149

    文章

    10309

    浏览量

    176389
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3500

    浏览量

    68044
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    解析 onsemi NDSH20120CDN:SiC 肖特基二极管的卓越性能

    在电力电子领域,不断追求更高的效率、更快的开关速度和更小的系统尺寸,碳化硅(SiC肖特基二极管正逐渐成为新一代功率半导体的首选。今天,我们将深入探讨 onsemi 的 NDSH20120CDN 碳化硅
    的头像 发表于 12-01 16:01 108次阅读
    <b class='flag-5'>解析</b> onsemi NDSH20120CDN:<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二极管</b>的卓越性能

    探索 onsemi NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二极管高效与可靠的完美结合

    在当今电子设备不断追求高性能、高可靠性和小型化的时代,功率半导体器件的性能提升至关重要。碳化硅(SiC肖特基二极管作为新一代功率半导体,凭借其卓越的性能,正逐渐成为众多应用领域的首选
    的头像 发表于 11-28 14:15 119次阅读

    肖特基二极管怎么用+原理

    : 在普通PN结二极管中,电流导通需要克服P区和N区接触形成的内建电势差(势垒)。硅材料PN结的这个势垒高度通常在0.7V左右,因此需要大约0.7V的电压才能让二极管开始显著导通(
    的头像 发表于 09-22 16:40 1789次阅读
    <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二极管</b>怎么用+原理

    SiC MOSFET与肖特基势垒二极管的完美结合,提升电力转换性能

    使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC
    的头像 发表于 03-20 11:16 933次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET与<b class='flag-5'>肖特基势垒二极管</b>的完美结合,提升电力转换性能

    SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

    P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220I - 2 封装,符合 AEC - Q101 和 RoH
    的头像 发表于 02-27 17:32 737次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> SBD-P<b class='flag-5'>3D</b>06008I2 650<b class='flag-5'>V</b> 碳化硅<b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二极管</b>数据手册

    SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

    P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220I - 2 封装,符合 AEC - Q101 标准和 R
    的头像 发表于 02-26 17:07 677次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> SBD-P<b class='flag-5'>3D</b>06006I2 650<b class='flag-5'>V</b> 碳化硅<b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二极管</b>数据手册

    SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

    P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 263 - 2 封装,符合 AEC - Q101标准,具备超快
    的头像 发表于 02-25 17:44 714次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> SBD-P<b class='flag-5'>3D</b>06004G2 650<b class='flag-5'>V</b> 碳化硅<b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二极管</b>数据手册

    SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

    P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO-220-2 封装,符合 AEC-Q101 标准,具备超快速开关、零
    的头像 发表于 02-25 17:03 808次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> SBD-P<b class='flag-5'>3D</b>06004T2 650<b class='flag-5'>V</b> 碳化硅<b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二极管</b>数据手册

    SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二极管数据手册

    P3D06002T2 是一款耐压 650VSiC 肖特基二极管,采用 TO - 220 - 2 封装,符合 AEC - Q101、Ro
    的头像 发表于 02-25 16:01 824次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> SBD-P<b class='flag-5'>3D</b>06002T2 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二极管</b>数据手册

    SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二极管数据手册

    P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 263 - 2 封装,符合 AEC - Q101 标准,无卤且
    的头像 发表于 02-25 15:44 724次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> SBD-P<b class='flag-5'>3D</b>06002G2 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二极管</b>数据手册

    SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二极管特性

    P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 252 - 2 封装,符合 AEC - Q101标准,具备超快
    的头像 发表于 02-25 14:18 765次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> SBD-P<b class='flag-5'>3D</b>06002E2 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二极管</b>特性

    为什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二极管全面取代FRD快恢复二极管

     为什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二极管全面取代FRD快恢复二极管 在科技政策与法规的推动下,半导体行业正经历一场深刻的变革。随着对高效
    的头像 发表于 02-06 11:51 1006次阅读
    为什么BASiC基本公司<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二极管</b>全面取代FRD快恢复<b class='flag-5'>二极管</b>

    如何测试肖特基二极管性能 肖特基二极管功率损耗分析

    如何测试肖特基二极管性能 测试肖特基二极管性能的方法有多种,以下是一些常用的测试方法: 万用表测试法 : 将万用表选择到二极管测试模式,或正
    的头像 发表于 12-13 16:18 2579次阅读

    肖特基二极管应用领域 肖特基二极管在开关电源中的应用

    肖特基二极管是一种由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管,也可称为肖特基势垒二极管,属于金属半导体结型二极管。作为一种低功耗、超高
    的头像 发表于 12-13 16:17 2459次阅读

    肖特基二极管工作原理 肖特基二极管与普通二极管的区别

    工作原理 肖特基二极管的工作原理基于金属和半导体之间的能带结构差异。在金属和N型半导体之间形成的肖特基势垒,其特点是具有较低的势垒高度和较窄的耗尽区。这使得肖特基
    的头像 发表于 12-13 16:10 2714次阅读