onsemi UJ3D1220K2碳化硅二极管的特性与应用解析
在电力电子领域,高性能二极管的选择对于系统的效率和可靠性至关重要。今天我们来深入了解一下 onsemi 推出的 UJ3D1220K2 碳化硅(SiC)二极管,它属于 EliteSiC 系列,采用 TO247 - 2 封装,具备 20 A、1200 V 的规格,是一款值得关注的 SiC 合并 PiN - 肖特基(MPS)二极管。
文件下载:UJ3D1220K2-D.PDF
产品概述
onsemi 的这款 UJ3D1220K2 是第三代高性能 SiC 合并 PiN - 肖特基(MPS)二极管。它具有零反向恢复电荷和最高 175 °C 的结温,非常适合用于高频、高效的电力系统,并且对冷却要求较低。
产品特性
温度特性
- 高工作温度:最大工作温度可达 175 °C,这使得它在高温环境下也能稳定工作,为一些对温度要求较高的应用场景提供了保障。
电气特性
- 易于并联:在电路设计中,多个二极管并联使用时,UJ3D1220K2 能够方便地实现并联,有助于提高电路的整体性能。
- 超快开关:开关速度极快,且不受温度影响,能够有效减少开关损耗,提高系统效率。
- 无反向或正向恢复:这一特性可以降低开关过程中的能量损耗,进一步提升系统的效率和可靠性。
- 增强的浪涌电流能力:采用 MPS 结构,经过 100% UIS 测试,能够承受较大的浪涌电流,增强了产品的稳定性和可靠性。
环保特性
- 符合环保标准:该器件无卤素,符合 RoHS 豁免 7a 标准,并且在二级互连(2LI)上无铅,体现了环保理念。
典型应用
电力转换
在各种电力转换器中,UJ3D1220K2 能够凭借其高性能特性,提高转换效率,减少能量损耗。
工业电机驱动
为工业电机提供稳定的电力支持,确保电机的高效运行。
开关电源
在开关模式电源中,它可以降低开关损耗,提高电源的效率和稳定性。
功率因数校正模块
有助于改善功率因数,提高电能的利用效率。
产品参数
最大额定值
| 参数 | 测试条件 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 直流阻断电压 | 1200 | V | |
| 重复峰值反向电压($T_{J}=25^{circ}C$) | VRRM、VRSM | 1200 | V |
| 正向电流($T_{C}=135^{circ}C$) | IF | 20 | A |
| 非重复正向浪涌电流(正弦半波) | IFSM($T{C}=25^{circ}C,t{p}=10ms$) | 190 | A |
| IFSM($T{C}=110^{circ}C,t{p}=10ms$) | 180 | A | |
| 重复正向浪涌电流(正弦半波,D = 0.1) | IFRM($T{C}=25^{circ}C, t{p}=10ms$) | 71.9 | A |
| IFRM($T_{C}= |
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
电力电子
+关注
关注
32文章
751浏览量
51097 -
碳化硅二极管
+关注
关注
2文章
39浏览量
7149
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
碳化硅(SiC)肖特基二极管的特点
的正向损耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如,商用的硅肖特基的电压小于300V,而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。 (
发表于 01-11 13:42
碳化硅二极管选型表
反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高,可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
发表于 10-24 14:21
碳化硅肖特基二极管的基本特征分析
基于基本半导体碳化硅肖特基二极管1D20065K(650V/20A),电流特性(5A、10A、15A): 硅快速恢复二极管(环境温度25℃
发表于 02-28 16:34
onsemi UJ3D1250K2碳化硅二极管:高性能解决方案
onsemi UJ3D1250K2碳化硅二极管:高性能解决方案 在电力电子领域,碳化硅(SiC)二极管
安森美1700V、25A碳化硅二极管UJ3D1725K2:高性能与高可靠性的完美结合
(onsemi)作为半导体行业的领导者,推出了第三代高性能碳化硅合并PiN - 肖特基(MPS)二极管UJ3D1725K2,为高频、高效电力系统提供了理想的解决方案。 文件下载
onsemi UJ3D1250K:高性能碳化硅二极管的卓越之选
的 UJ3D1250K 碳化硅(SiC)二极管,看看它有哪些独特的特性和优势。 文件下载: UJ3D1250K-D.PDF 产品概述
探索onsemi UJ3D1210KS碳化硅二极管:高性能与可靠性的完美融合
探索onsemi UJ3D1210KS碳化硅二极管:高性能与可靠性的完美融合 在当今电力电子领域,碳化硅(SiC)技术凭借其卓越的性能优势,
安森美UJ3D1220KSD SiC二极管:高性能电源系统的理想之选
(onsemi)推出的UJ3D1220KSD碳化硅(SiC)二极管,看看它有哪些独特的优势,能为我们的设计带来怎样的提升。 文件下载: UJ3D12
onsemi碳化硅肖特基二极管PCFFS40120AF的特性与应用解析
onsemi碳化硅肖特基二极管PCFFS40120AF的特性与应用解析 在功率半导体领域,碳化硅
onsemi UJ3D06560KSD:高性能SiC二极管的技术解析与应用展望
(onsemi)推出的第三代高性能碳化硅(SiC)合并PiN - 肖特基(MPS)二极管UJ3D06560KSD,看看它在现代电力系统中能带来怎样的变革。 文件下载:
安森美UJ3D1210K2碳化硅二极管:高性能电源系统的理想之选
安森美UJ3D1210K2碳化硅二极管:高性能电源系统的理想之选 在现代电子设计中,碳化硅(SiC)二极管凭借其卓越的性能,成为了众多工程师
onsemi PCFFS30120AF碳化硅肖特基二极管深度解析
onsemi PCFFS30120AF碳化硅肖特基二极管深度解析 作为一名电子工程师,在电源设计中,选择合适的二极管至关重要。今天就来详细
onsemi碳化硅肖特基二极管NDSH30120CDN技术解析
onsemi碳化硅肖特基二极管NDSH30120CDN技术解析 在功率半导体领域,碳化硅(SiC)技术正逐渐崭露头角。今天我们就来深入了解一
onsemi UJ3D1220K2碳化硅二极管的特性与应用解析
评论