onsemi EliteSiC碳化硅肖特基二极管FFSB0865B - F085技术解析

在功率半导体领域，碳化硅（SiC）技术正逐渐崭露头角。今天我们就来详细探讨一下安森美（onsemi）的这款8A、650V的碳化硅肖特基二极管FFSB0865B - F085，看看它有哪些独特之处。

文件下载：FFSB0865B-F085-D.PDF

碳化硅技术优势

SiC肖特基二极管采用了全新的技术，与传统的硅二极管相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。它没有反向恢复电流，开关特性不受温度影响，并且具备出色的热性能，这些特点使得碳化硅成为下一代功率半导体的首选。使用SiC二极管的系统能够实现最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰（EMI），同时还能减小系统尺寸和降低成本。

产品特性亮点

高可靠性设计

• 高温性能：最大结温可达175°C，雪崩额定能量为33mJ，能够在高温环境下稳定工作。
• 浪涌电流承受能力：具有高浪涌电流容量，正温度系数使其易于并联使用，增强了系统的稳定性。
• 无恢复特性：没有反向恢复和正向恢复，减少了开关损耗，提高了系统效率。
• 汽车级认证：通过了AEC - Q101认证，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力，适用于汽车电子等对可靠性要求极高的领域。
• 环保标准：该器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）产品，符合RoHS标准。

应用领域

这款二极管主要应用于汽车混合动力电动汽车（HEV - EV）的车载充电器和DC - DC转换器。在这些应用中，对功率密度、效率和可靠性的要求都非常高，而FFSB0865B - F085正好能够满足这些需求。

关键参数解读

最大额定值

参数	符号	测试条件	值	单位
重复峰值反向电压	VRRM	-	650	V
单脉冲雪崩能量	EAS	TJ = 25°C, L(pk) = 11.5A, L = 0.5mH, V = 50V	33	-
连续整流正向电流	IF	@Tc < 147	8.0	A
		@Tc < 135	10.1	A
非重复峰值正向浪涌电流	IFM	TC = 25°C, tp = 10us	577	A
		TC = 150°C, tp = 10us	533	A
非重复正向浪涌电流（半正弦脉冲）	IFSM	-	56	A
功率耗散	PD	TC = 25°C	73	W
		TC = 150°C	12	W
工作结温和存储温度范围	TJ, Tstg	-	- 55 to +175	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

热阻（结到壳）最大值RJC为2.05°C/W，良好的热性能有助于将热量快速散发出去，保证器件的稳定运行。

电气特性

• 正向电压：在不同的结温和正向电流下，正向电压有所不同。例如，当IF = 8.0A，TJ = 25°C时，正向电压VF为1.39 - 1.7V；当TJ升高到125°C和175°C时，VF分别为1.55 - 2.0V和1.71 - 2.4V。
• 反向电流：随着结温的升高，反向电流IR也会增加。当VR = 650V，TJ = 25°C时，IR为0.5 - 40A；TJ = 125°C时，IR为1.0 - 80A；TJ = 175°C时，IR为2.0 - 160A。
• 电荷、电容和栅极电阻：总电容电荷QC在VC = 400V时为22nC，不同反向电压下的电容值也有所变化，如VR = 1V，f = 100kHz时，Ctot为336pF；VR = 200V时为39pF；VR = 400V时为30pF。

封装和订购信息

该二极管采用D2PAK2（TO - 263 - 2L）封装，包装方式为卷带包装，卷盘尺寸为330mm，胶带宽度为24mm，每盘数量为800个。

典型特性图表

文档中还提供了一系列典型特性图表，包括正向特性、反向特性、电流降额、功率降额、电容电荷与反向电压关系、电容与反向电压关系、电容存储能量以及结到壳瞬态热响应等。这些图表能够帮助工程师更好地了解器件的性能，进行合理的设计。

机械尺寸和标记信息

文档给出了D2PAK2封装的详细机械尺寸，包括各个尺寸的最小值、标称值和最大值。同时，还介绍了标记图，包含组装厂代码、日期代码、批次代码和特定器件代码等信息。

在实际设计中，电子工程师需要根据具体的应用需求，综合考虑以上各项参数和特性，确保FFSB0865B - F085能够在系统中发挥最佳性能。你在使用类似的碳化硅二极管时，有没有遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。