东芝推出隔离栅极驱动器电路参考设计

随着SiC材料特性的深入发掘和技术的不断成熟，SiC MOSFET模块在光伏逆变器、工业变频器、轨道交通牵引变流器等工业应用中展现出显著优势，不仅大幅提升了系统效率，还适应了紧凑型设计的需求。

为驱动大电流、高压双SiC MOSFET模块，东芝开发了具有多种保护功能的隔离栅极驱动器电路参考设计。该参考设计集成了TLP5231预驱动光耦、TCR1HF50B LDO稳压器、SSM3K15AFS MOSFET、2SC6026MFV双极结型晶体管、TPC8132 P沟道MOSFET以及SSM6K804R N沟道MOSFET等众多出色产品。

整个参考设计由低边栅极驱动电路和高边栅极驱动电路两个部分组成。每个电路均采用TLP5231预驱动光耦实现隔离栅极驱动电路。TLP5231是东芝面向中大电流IGBT／MOSFET推出的一种预驱动光耦，该款光耦内置多种功能，其中包括通过监控集电极电压来实现过流检测，真正意义上起到了隔离保护的作用。

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