UCC27200A 具有 8V UVLO、负电压处理和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器数据手册

UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器包括一个 120V 自举二极管和具有独立输入的高侧/低侧驱动器，可实现最大的控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中进行 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器由独立控制，并在彼此的导通和关断之间匹配 1ns。为了提高嘈杂电源环境中的性能，UCC2720xA 具有增强的 ESD 输入结构，并且还能够在其 HS 引脚上承受最大 –18V 的电压。
*附件：ucc27200a.pdf

片上自举二极管消除了外部分立二极管。如果驱动电压低于指定阈值，则为高侧和低侧驱动器提供欠压锁定，强制输出为低电平。

UCC2720xA 提供两个版本。UCC27200A 具有高抗噪 CMOS 输入阈值，而 UCC27201A 具有 TTL 兼容阈值。

特性

• 在高压侧和低压侧配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
• HS 上的负电压处理 （–18V）
• 最大启动电压 120V
• 最大 VDD 电压 20V
• 片上 0.65V VF、0.65Ω RD 自举二极管
• 22ns 传播延迟时间
• 3A 灌电流、3A 拉电流输出电流
• 8ns 上升/7ns 下降时间，1000pF 负载
• 1ns 延迟匹配
• 用于高压侧和低压侧驱动器的欠压锁定
• 额定温度范围为 –40°C 至 150°C

参数

方框图

一、产品概述

• ‌型号‌：UCCA
• ‌类型‌：高频N沟道MOSFET驱动器
• ‌特点‌：
  • 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET，具有独立输入
  • 最大自举电压0V
  • 最大VDD电压0V
  • 内置.5V VF、0.Ω RD自举二极管
  • 2ns传播延迟时间
  • A源和A沉输出电流
  • 高噪声免疫CMOS输入阈值（UCCA版本）
  • 支持-V HS引脚负电压

二、应用领域

• 太阳能电源优化器和微型逆变器
• 电信和商用电源
• 在线和离线不间断电源（UPS）
• 储能系统
• 电池测试设备

三、引脚配置与功能

• ‌VDD‌：正电源，为低侧栅极驱动器供电
• ‌HB‌：高侧自举供电，连接自举电容正极
• ‌HO‌：高侧输出，连接高侧功率MOSFET栅极
• ‌HS‌：高侧源极连接，连接高侧功率MOSFET源极和自举电容负极
• ‌VSS‌：负电源，通常接地
• ‌LO‌：低侧输出，连接低侧功率MOSFET栅极
• ‌LI‌、‌HI‌：低侧和高侧输入，分别控制低侧和高侧输出
• ‌NC‌：未连接引脚（在某些封装中存在）

四、电气特性

• ‌ 供电电压（VDD） ‌：V至V（绝对最大值为0V）
• ‌输入电压范围‌：HI和LI引脚-0.3V至VDD+.V（脉冲<0ns时-2V至VDD+.V）
• ‌输出电流‌：高侧和低侧峰值均为3A
• ‌传播延迟‌：典型值为ns
• ‌上升/下降时间‌：高侧和低侧均为ns（pF负载）
• ‌UVLO阈值‌：VDD欠压锁定阈值为7.1V（带0.5V迟滞），VHB欠压锁定阈值为.V（带.V迟滞）

五、保护功能

• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：当VDD或VHB电压低于阈值时，禁用高侧或低侧输出，保护电路免受低电压影响
• ‌输入保护‌：具有ESD保护，可承受高达±V（HBM）和±0V（CDM）的静电放电

六、典型应用

• 提供了在多种电源转换拓扑中的典型应用电路，包括半桥、全桥等
• 描述了设计要求和详细设计过程，包括输入阈值选择、VDD和自举电容设计、输出电流和传播延迟考虑等

七、布局指南

• 推荐将驱动器尽可能靠近MOSFET放置，以最小化寄生电感
• 在VDD和VSS之间以及HB和HS之间放置旁路电容，以改善电源去耦
• 提供了布局示例和热设计考虑，以确保最佳热性能和效率