UCC27311A-Q1 是一款坚固耐用的栅极驱动器,设计用于驱动半桥或同步降压配置中的两个 N 沟道 MOSFET,绝对最大自举电压为 120V。其 3.7A 峰值拉电流和 4.5A 峰值灌电流能力使 UCC27311A-Q1 能够在米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率 MOSFET。开关节点 (HS 引脚) 可以处理负瞬态电压,从而可以保护高侧通道免受寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响。
*附件:ucc27311a-q1.pdf
输入与电源电压无关,能够承受 -10V 和 +20V 的绝对最大额定值。低侧和高侧栅极驱动器在导通和关断之间匹配 4ns,并分别通过 LI 和 HI 输入引脚进行控制。片内 120V 额定电压自举二极管,无需添加分立式自举二极管。高压闭锁 (UVLO) 适用于高压侧和低压侧驱动器,可提供对称的导通和关断行为,并在驱动电压低于指定阈值时强制输出为低电平。
特性
- 在半桥配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用:
- 设备温度等级 1
- –40°C 至 +150°C 结温范围
- HB 引脚上的最大电压为 120V abs
- 3.7A 灌电流、4.5A 拉电流输出电流
- 8V 至 17V VDD 工作范围 (最大 20V 绝对值),带 UVLO
- HS 引脚上的 –(28–VDD)V abs 最大负瞬态容差(<100ns 脉冲)
- –10V 至 +20V 绝对最大输入引脚容差,与电源电压范围无关(TTL 兼容)
- 切换参数:
- 20ns 典型传播延迟时间
- 7.2ns 上升时间,5.5ns 下降时间,1000pF 负载
- 4ns 典型延迟匹配
- 集成自举二极管
- 禁用时具有低电流消耗(典型值为 3μA)的启用/禁用功能
参数
方框图

一、产品概述
二、主要特性
- 驱动能力:
- 驱动两个N沟道MOSFET,半桥配置
- .A源电流,.A沉电流
- 电压范围:
- VDD工作范围:V至V(绝对最大V)
- HB引脚绝对最大电压:V
- HS引脚负瞬态电压耐受:-(-VDD)V(
- 输入引脚耐受电压:-V至+V(独立于供电电压范围)
- 保护功能:
- 欠压锁定(UVLO)
- 使能/禁用功能,禁用时低功耗(典型μA)
- 功能安全能力
- 其他特性:
- 典型传播延迟:ns
- 上升/下降时间:.ns/.ns(pF负载)
- 延迟匹配:ns(典型)
- 集成V自举二极管
三、电气特性
- 绝对最大额定值:
- VDD、HB、VSS、HS引脚电压范围
- 输入引脚(HI、LI、EN)电压范围
- 输出引脚(HO、LO)电压范围
- 推荐工作条件:
- VDD电压范围:V至V
- HS电压范围:-V至V
- HB电压范围:VS+V至VS+V
- 电气参数:
- 静态电流:VDD静态电流、HB静态电流等
- 输入阈值电压:HI、LI输入高/低阈值
- 使能阈值电压:启用/禁用阈值
- 输出特性:HO、LO高/低电平输出电压,峰值拉/灌电流
四、保护功能
- UVLO保护:监控VDD和HB电压,低于阈值时关断输出
- 热关断:内部热传感器监测结温,超过阈值时自动关断
五、封装与尺寸
- 封装类型:VSON(DRC),引脚
- 尺寸:mm × mm(体尺寸)
六、应用信息
- 典型应用:半桥或同步降压配置,驱动大功率MOSFET
- 设计考虑:包括输入阈值类型、VDD偏置电压、峰值源/沉电流、传播延迟、功率耗散等
七、布局指导
- 关键布局原则:
- 驱动器尽可能靠近MOSFET
- VDD和GND、HB和HS电容靠近驱动器放置
- GND和HS节点处理
- 使用宽迹线,多过孔
- 避免输入信号靠近高dV/dt迹线
八、文档与支持
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