UCC27288 具有 8V UVLO 且无内部自举二极管的 2.5A 至 3.5A 120V 半桥驱动器数据手册

UCC27288 是一款坚固耐用的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 （HS） 额定电压为 100 V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。其 3A 峰值拉电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻使UCC27288能够在 MOSFET 米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27288 可以与模拟和数字控制器结合使用。两个输入彼此完全独立，因此提供了更大的控制设计灵活性。
*附件：ucc27288.pdf

输入引脚和 HS 引脚能够承受显著的负电压，从而提高系统稳健性。输入彼此完全独立。这允许控制灵活性，如果需要，两个输出可以通过重叠输入重叠。小传播延迟和延迟匹配规格最大限度地减少了死区时间要求，从而提高了系统效率。

高压侧和低压侧驱动器级均提供欠压锁定 （UVLO），如果 VDD 电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。没有集成的自举二极管允许用户使用适合应用的外部自举二极管。UCC27288 采用 SOIC8 封装，以提高系统在恶劣环境中的稳健性。

特性

• 在高侧低侧配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
• 16ns 典型传播延迟
• 12 ns 上升，10 ns（典型下降时间，负载为 1800 pF 时）
• 1ns 典型延迟匹配
• 可配置的外部自举二极管
• 8V 典型欠压锁定
• 输入上的绝对最大负电压处理能力 （–5 V）
• HS 上的绝对最大负电压处理能力 （–14 V）
• ±3A 峰值输出电流
• 绝对最大启动电压 120 V
• 输入彼此独立，VDD 独立
• 两个通道的欠压锁定
• 额定结温范围为 –40°C 至 140°C

参数

方框图

一、产品概述

UCC是一款-A、-V半桥驱动器，专为控制两个N通道MOSFET设计，适用于高边和低边配置。它具备低传播延迟、快速开关时间、可配置外部自举二极管和-V欠压锁定（UVLO）等特性，适用于太阳能功率优化器、商用网络及服务器电源、商用电信整流器、DC输入BLDC电机驱动以及测试测量设备等领域。

二、主要特性

• ‌驱动能力‌：-A峰值源和漏电流，适用于大功率MOSFET。
• ‌开关性能‌：-ns典型传播延迟，-ns上升时间，-ns典型下降时间（-pF负载）。
• ‌电压范围‌：最大开关节点（HS）电压额定值为 V，绝对最大负电压处理能力（输入端- V，HS端- V）。
• ‌灵活性‌：输入独立，允许TTL和CMOS控制信号；可配置外部自举二极管。
• ‌保护特性‌：-V典型UVLO，双通道UVLO保护。
• ‌温度范围‌：指定工作温度范围从-°C至°C。

三、应用领域

• 太阳能功率优化器
• 商用网络及服务器电源
• 商用电信整流器
• DC输入BLDC电机驱动
• 测试测量设备

四、功能描述

• ‌独立输入‌：两个输入信号完全独立，允许控制灵活性。
• ‌电平移位‌：高速、低功耗的电平移位器，提供从控制逻辑到高边栅极驱动器的干净电平转换。
• ‌UVLO保护‌：高边和低边驱动级均包含UVLO保护电路，确保在电源电压不足时不会开启外部MOSFET。
• ‌输出级‌：具备高摆率、低电阻和高峰值电流能力的输出级，适用于高效开关MOSFET。

五、典型应用

文档提供了UCC的典型应用电路，包括设计要求和详细设计步骤，如选择自举电容和VDD电容、估计驱动器功率损耗、选择外部栅极电阻、考虑延迟和脉冲宽度、VDD和输入滤波、瞬态保护等。

六、电源推荐

推荐VDD电源电压范围为 V至 V，并建议使用低ESR陶瓷表面贴装电容作为旁路电容，以支持高峰值电流并最小化电压波动。

七、布局指南

• ‌电容放置‌：低ESR电容应尽可能靠近VDD和HB引脚放置，以支持高峰值电流。
• ‌最小化寄生电感‌：最小化高边MOSFET源极和低边MOSFET源极（同步整流器）之间的寄生电感。
• ‌热管理‌：将热焊盘连接到大型重铜平面以改善热性能。