LM9061系列 7V 至 26V 高压侧保护控制器数据手册

LM9061 系列由电荷泵器件组成，可提供 栅极驱动到配置为高侧驱动器或开关的任意尺寸的外部功率 MOSFET。这 包括多个并联连接的 MOSFET，适用于极高电流应用。一个 CMOS 逻辑兼容的 ON 和 OFF 输入控制输出栅极驱动电压。在 ON 状态下， 电荷泵电压，远高于可用的 V抄送supply，是 直接应用于 MOSFET 的栅极。内置 15V 齐纳二极管可箝位到源极的最大栅极 MOSFET 的电压。当命令关闭时，110μA 电流吸收器将 MOSFET 具有逐渐关断特性，以最大限度地减少感性负载的持续时间 瞬态电压，并进一步保护功率 MOSFET。
*附件：lm9061.pdf

功率 MOSFET 的无损保护是 LM9061 的一个关键特性。电压降 （V DS 系列 ） 在整个功率器件中受到持续监控并与 外部可编程阈值电压。一个小型电流感应电阻器，与 负载会导致可用能量损失，因此保护电路不需要。如果 VDS 系列电压，由于负载电流过大，超过阈值电压， 输出以更渐进的方式（通过 10 μA 输出电流吸收）锁定 可编程延迟时间间隔。

特性

• 适用于汽车应用
• 符合 AEC-Q100 标准，结果如下：
  • 器件 HBM ESD 分类 2 级
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
• 可承受 60V 电源瞬变
• 带 V 的过压关断 抄送 > 30 V
• 无损过流保护闭锁
  • 不需要电流检测电阻器
  • 在高电流负载下将功率损耗降至最低
• 保护闭锁的可编程延迟
• 逐渐关断以较大限度地降低电感负载瞬态电压
• CMOS 逻辑兼容的 ON 和 OFF 控制输入

参数

方框图

一、产品概述

LM1是一款高侧保护控制器，适用于汽车应用，并通过AEC-Q认证。它能够为外部功率MOSFET提供门极驱动，并具备过压、过流保护功能。

二、主要特性

• ‌汽车级应用‌：符合AEC-Q标准，适用于汽车控制单元、继电器驱动等场景。
• ‌无损过流保护‌：通过监测MOSFET的漏源电压（VDS）实现过流保护，无需电流感应电阻，减少功率损失。
• ‌可编程延迟关断‌：提供可编程的延迟时间，允许在过流情况下短暂维持输出，适应启动电流较大的负载。
• ‌逐渐关断‌：关断时通过逐渐减小门极电流，减少感性负载的瞬态电压，保护MOSFET。
• ‌过压保护‌：当供电电压VCC超过0V时，自动关断输出。
• ‌CMOS逻辑兼容‌：通过CMOS电平信号控制开关状态。

三、应用领域

• ‌ 传输控制单元（TCU） ‌
• ‌ 发动机控制单元（ECU） ‌
• ‌阀门、继电器和电磁阀驱动‌
• ‌灯驱动‌
• ‌DC电机PWM驱动‌
• ‌逻辑控制的电源分配开关‌
• ‌电子断路器‌
• ‌高功率音频扬声器‌

四、电气特性

• ‌供电电压‌：7V至6V（标称），最高可承受0V瞬态电压。
• ‌门极驱动电压‌：最高可达VCC+V，内置5V齐纳二极管保护。
• ‌静态电流‌：5mA（典型值），在关闭状态下较低。
• ‌过流保护阈值‌：通过外部电阻设置，监测VDS电压实现保护。

五、功能描述

• ‌MOSFET门极驱动‌：内置电荷泵电路，提供高于VCC的门极驱动电压。
• ‌无损过流保护‌：监测MOSFET的VDS电压，当超过设定阈值时，经过延迟后逐渐关断输出。
• ‌可编程延迟‌：通过外部电容设置关断前的延迟时间。
• ‌过压保护‌：当VCC电压超过0V时，自动关断MOSFET以保护负载。
• ‌逐渐关断‌：关断时通过μA电流逐渐放电MOSFET门极电容，减少感性负载的电压尖峰。

六、应用信息

• ‌典型应用电路‌：包括驱动单个或多个并联MOSFET的电路，适用于高电流应用。
• ‌设计指南‌：提供了关于如何选择外部电阻、电容以及布局布线的建议。
• ‌热管理‌：在高电流应用中，需要注意MOSFET的散热设计，以防止过热损坏。

七、封装与尺寸

• ‌封装类型‌：SOIC-封装。
• ‌封装尺寸‌：具体尺寸请参考数据手册中的封装图纸。