LM5060-Q1系列 汽车 5.5V 至 65V 高压侧保护控制器数据手册

LM5060 高侧保护控制器可在正常开/关转换和故障条件下对高侧 N 沟道 MOSFET 进行智能控制。浪涌电流由输出电压的几乎恒定的上升时间控制。POWER GOOD输出指示输出电压何时达到输入电压，并且MOSFET完全导通。提供输入 UVLO （带滞后） 以及可编程输入 OVP。使能输入提供远程开或关控制。可编程 UVLO 输入可用作第二个使能输入，以实现安全冗余。单个电容器对初始启动 V 进行编程GS系列故障检测延迟时间，转换 VDS 系列故障检测延迟时间和连续过流 VDS 系列故障检测延迟时间。当检测到的故障情况持续超过允许的故障延迟时间时，MOSFET 将被锁定，直到使能输入或 UVLO 输入先切换为低电平，然后再切换为高电平。
*附件：lm5060-q1.pdf

特性

• 提供汽车级 / AEC Q-100
• 宽工作输入电压范围：
  5.5 V 至 65 V
• 功能安全能力
  • 提供有助于功能安全系统设计的文档
• 禁用模式下的静态电流小于 15μA
• 受控的输出上升时间，用于安全连接电容负载
• 用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
• 带迟滞的可调欠压锁定 （UVLO）
• UVLO 用作需要安全冗余的系统的第二个使能输入
• 可编程故障检测延迟时间
• 检测到负载故障后 MOSFET 闭锁
• 低漏极有效开路 POWER GOOD （nPGD） 输出
• 可调输入过压保护 （OVP）
• 过压关断后立即重启
• 10 引脚 VSSOP

参数

方框图

1. 产品概述

LM5060-Q1是一款高性能的高侧保护控制器，专为汽车级应用设计，符合AEC-Q100标准。它提供了对高侧N通道MOSFET的智能控制，在正常开关转换和故障条件下均能表现出色。

2. 主要特性

• ‌宽输入电压范围‌：5.5V至65V。
• ‌低静态电流‌：禁用模式下小于15µA。
• ‌可控输出上升时间‌：适用于安全连接电容性负载。
• ‌电荷泵门驱动‌：用于外部N通道MOSFET。
• ‌ 可调欠压锁定（UVLO） ‌：具有迟滞功能。
• ‌可编程故障检测延迟时间‌。
• ‌MOSFET故障锁定‌：检测到负载故障后锁定关断。
• ‌活动低开漏电源良好（nPGD）输出‌。
• ‌ 可调输入过压保护（OVP） ‌：过压关断后立即重启。

3. 应用领域

• 汽车车身电子
• 工业电源分配和控制

4. 功能描述

• ‌过流保护‌：通过监测MOSFET的电压降来实现，当电压降超过可调阈值且持续一定时间后，MOSFET被禁用。
• ‌OVP和UVLO监测‌：对输入线路进行过压和欠压监测。
• ‌使能输入‌：提供远程开关控制。
• ‌可编程UVLO输入‌：可用作安全冗余的第二使能输入。
• ‌nPGD输出‌：报告N通道MOSFET的状态。

5. 电气特性

• ‌输入电压范围‌：5.5V至65V。
• ‌静态电流‌：启用模式下1.4mA，禁用模式下9µA，待机模式下0.56mA。
• ‌GATE控制‌：正常操作期间GATE引脚电压被内部稳压器钳位在约16.8V以上。
• ‌OVP和UVLO阈值‌：可编程，具有迟滞。
• ‌nPGD低电压‌：80mV（典型值）。

6. 封装与尺寸

• ‌封装类型‌：10引脚VSSOP。
• ‌尺寸‌：3.00mm x 3.00mm。

7. 热特性

• ‌热阻‌：RθJA为162.1°C/W。

8. 设计支持

• 提供详细的应用信息、典型应用电路、布局指南和热考虑因素。
• 包括相关文档、社区资源、商标信息、静电放电警告和术语表。

9. 订购信息

提供多种封装和数量选项，具体请参考数据手册中的订购信息部分。

LM5060-Q1是一款功能强大、灵活且可靠的高侧保护控制器，适用于需要高安全性和可靠性的汽车和工业应用。