TPS48130-Q1 是一款具有保护和诊断功能的 100V 低 IQ 智能高侧驱动器。该器件具有 3.5V–95V 的宽工作电压范围,专为 12V、24V 和 48V 系统设计而设计。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。
TPS48130-Q1 集成了两个栅极驱动器,具有 1.69A 拉电流和 2A 灌电流能力,用于驱动主路径中的 MOSFET,以及 165μA 拉电流和 2A 灌电流能力,用于低功耗路径。
*附件:tps4813-q1.pdf
在 LPM = Low 的低功耗模式下,低功率路径 FET 保持导通,主 FET 关闭。在此模式下,该器件的 IQ 低至 35μA (典型值)。进入活动状态的自动加载唤醒阈值可通过 ISCP/LWU 引脚进行调整。当 EN/UVLO 为低电平时,IQ 降至 1μA (典型值)。
该器件使用 MOSFET VDS 感应或使用外部 RSNS 电阻器提供可调节的短路保护。可以配置自动重试和闭锁故障行为。该器件还具有使用外部控制对内部短路比较器进行诊断SCP_TEST 输入功能。
TPS48130-Q1 采用 19 引脚 VSSOP 封装。
特性
- AEC-Q100 汽车级 1 级温度认证
- 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 功能安全
- 3.5V 至 95V 输入范围 (绝对最大值 100V)
- 低至 –65 V 的反向输入保护
- 集成 11V 电荷泵
- 低静态电流,低功耗模式下为 35μA (LPM = 低)
- 1μA (典型值) 的低关断电流 (EN/UVLO = 低)
- 强大的栅极驱动(G1PU/G1PD:1.69A src 和 2A sink)
- 可调短路保护 (ISCP),具有可调响应时间 (TMR) 和故障标志输出 (FLT)
- 从低功耗模式快速过渡到活动模式,带 WAKE 指示
- 通过外部 LPM 触发器(从低到高)从低功耗路径到主路径的切换时间为 8μs
- 可调负载唤醒阈值 (ILWU),从低功耗路径切换到主路径 (6μs)
- 短路故障、电荷泵欠压和输入欠压期间的故障指示 (FLT)
- 可调输入欠压锁定 (UVLO)
- 短路比较器诊断 (SCP_TEST)
参数
方框图
1. 概述
TPS4813-Q1 是一款适用于汽车应用的100V低IQ智能高压侧驱动器,具有低功耗模式、可调负载唤醒触发、短路保护及故障诊断功能。该设备专为12V、24V和48V系统设计,具有宽输入电压范围(3.5V至95V)和反向输入保护(低至-65V)。
2. 主要特性
- AEC-Q100认证:满足汽车级标准,适用于-40°C至+125°C的环境温度范围。
- 宽输入电压范围:3.5V至95V(绝对最大值为100V)。
- 低功耗模式:低功耗模式(LPM)下IQ低至35µA,关断电流低至1µA。
- 可调负载唤醒:通过ISCP/LWU引脚调整负载唤醒阈值,实现从低功耗模式到活动模式的快速转换(8µs)。
- 短路保护:可调短路保护,具有可调响应时间和故障标志输出(FLT)。
- 故障诊断:包括短路保护诊断(SCP_TEST输入)。
- 反向输入保护:可承受低至-65V的反向输入电压。
- 集成电荷泵:11V电荷泵用于驱动外部MOSFET。
- 强栅极驱动:主路径栅极驱动具有1.69A源和2A沉能力,低功耗路径具有165µA源和2A沉能力。
3. 应用
- 汽车48V锂离子系统
- 电源分配盒
4. 功能描述
4.1 电荷泵和栅极驱动
- 集成11V、345µA电荷泵,为外部栅极电容充电。
- 主路径和低功耗路径分别具有强大的栅极驱动能力。
4.2 电容性负载驱动
- 支持使用低功耗旁路FET(G2驱动)预充电容性负载,限制涌入电流。
- 提供使用主FET(G1驱动)栅极斜率控制的方法。
4.3 短路保护
- 可调短路保护,通过外部电阻R_ISCP或内部MOSFET的VDS感测设置阈值。
- 支持自动重试和锁存关闭故障行为。
4.4 欠压保护(UVLO)
- 使用EN/UVLO引脚实现欠压保护,可编程UVLO阈值。
4.5 反向极性保护
- 集成反向极性保护,可承受输入和输出端的反向极性电压。
4.6 状态指示和故障输出
- WAKE引脚指示活动/低功耗模式。
- FLT引脚在短路故障、电荷泵欠压、输入欠压等情况下拉低。
4.7 低功耗模式与负载唤醒
- 设备可自动从低功耗模式唤醒,当负载电流超过设定的唤醒阈值(I_LWU)时。
5. 封装与订购信息
- 提供19引脚VSSOP封装。
- 订购信息详见数据手册的“Mechanical, Packaging, and Orderable Information”部分。
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