LP2996-N 1.5A DDR 终端稳压器，带 DDR2 关断引脚数据手册

LP2996-N 和 LP2996A 线性稳压器旨在满足 JEDEC SSTL-2 标准 DDR-SDRAM 终止规范。该器件还支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR3L VTT 总线端接，带 VDDQ最小 1.35 V。设备 包含一个高速运算放大器，可对负载瞬变提供出色的响应。这 输出级可防止击穿，同时提供 1.5A 连续电流和瞬态峰值 根据 DDR-SDRAM 端接的要求，应用中高达 3 A。LP2996-N 和 LP2996A 集成一个 VSENSE 引脚，以提供出色的负载调节和 VREF 输出作为参考 芯片组和 DIMM。

LP2996-N 和 LP2996A 的另一项功能是/有效关断 （SD） 引脚，提供 Suspend To RAM （STR） 功能。当 SD 被拉低时，VTT 输出将处于三态，从而提供高阻抗 output，但 VREF 保持活动状态。在此模式下，可以通过以下方式获得节能优势 较低的静态电流。
*附件：lp2996-n.pdf

TI 推荐将 LP2998 和 LP2998-Q1 器件用于汽车应用和 DDR 需要在零度以下的温度下运行的应用。

WEBENCH 公司^®^应用程序设计人员可以使用设计工具来 使用 LP2998 和 LP2998-Q1 生成、优化和模拟应用程序。

特性

• 最小 V DDQ :
  • 1.8 伏 （LP2996-N）
  • 1.35 伏（LP2996A）
• 拉电流和吸收电流
• 低输出电压偏移
• 无需外部电阻器即可设置输出电压
• 线性拓扑
• 挂起到 RAM （STR） 功能
• 使用具有适当 ESR 的陶瓷电容器时保持稳定
• 外部元件数量少
• 热关断

参数

方框图

一、概述

LP2996-N是一款线性调节器，专为DDR（双倍数据速率）SDRAM终止电压设计。它支持DDR1和DDR2，并具有低外部元件数量、低输出电压偏移、无需外部电阻设置输出电压等特点。

二、主要特性

• ‌最低VDDQ‌：1.8V
• ‌源和沉电流能力‌：提供1.5A连续电流，瞬态峰值可达3A
• ‌低输出电压偏移‌：在负载电流变化时，输出电压偏移保持在±30mV以内
• ‌无需外部电阻‌：即可设置输出电压
• ‌线性拓扑‌：具有快速响应负载瞬态的能力
• ‌Suspend to RAM（STR）功能‌：通过SD引脚实现，降低静态电流以节省电源
• ‌热关机保护‌：防止器件过热损坏

三、应用

• ‌DDR1和DDR2终止电压‌
• ‌FPGA‌
• ‌工业和医疗PC‌
• ‌SSTL-2和SSTL-3终止‌
• ‌HSTL终止‌

四、引脚功能

• ‌AVIN‌：模拟输入引脚，为内部控制电路供电
• ‌GND‌：地
• ‌PVIN‌：电源输入引脚，为输出级供电
• ‌SD‌：关断引脚，低电平有效
• ‌VDDQ‌：内部参考电压输入，等于VDDQ/2
• ‌VREF‌：缓冲内部参考电压输出
• ‌VSENSE‌：反馈引脚，用于调节VTT输出
• ‌VTT‌：调节输出，连接至终止电阻

五、电气特性

• ‌参考电压‌：VREF = VDDQ/2，具有低输出阻抗
• ‌VTT输出电压‌：根据DDR类型，在0A至±1.5A负载电流范围内，输出电压保持在VDDQ/2的±30mV以内
• ‌静态电流‌：在正常工作模式下，静态电流为320μA至500μA（取决于AVIN电压）
• ‌关断时静态电流‌：SD引脚拉低时，静态电流降至115μA至150μA

六、功能描述

• ‌启动过程‌：启动时，如果VDDQ的上升沿过快，可能导致大电流涌入，引起器件重启。建议通过限制VDDQ的上升斜率或使用RC滤波器来避免这种情况。
• ‌正常工作模式‌：包含高速运算放大器，提供优异的负载瞬态响应，并能够防止穿通。
• ‌关断模式‌：SD引脚拉低时，VTT输出变为高阻抗，但VREF保持活跃，以降低静态电流。

七、布局考虑

• ‌输入电容‌：推荐在PVIN引脚附近放置输入电容，以改善大负载瞬态性能。
• ‌VSENSE引脚‌：应连接至VTT终止总线的中间位置，以改善负载调节。如果VSENSE引脚迹线较长，建议在其附近放置一个小陶瓷电容以滤除高频噪声。
• ‌热管理‌：使用裸露的热焊盘和多个过孔来改善热性能。

八、封装与尺寸

提供SOIC（8引脚）、WSON（8引脚）和WQFN（16引脚）封装选项，具体尺寸和封装细节请参考数据手册。